一种具有热电优值控制层的半导体激光器制造技术

本发明专利技术提出了一种具有热电优值控制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述衬底和下限制层之间设置有热电优值控制层；所述热电优值控制层的Si掺杂浓度大于所述衬底和下限制层的Si掺杂浓度，所述热电优值控制层的C杂质浓度小于所述下限制层的C杂质浓度，所述热电优值控制层的H杂质浓度小于或等于所述下限制层的H杂质浓度。本发明专利技术提升激光器系统的模式增益、功率因子和斜率效率，斜率效率提升125％，光功率提升37％，限制因子提升50％。限制因子提升50％。限制因子提升50％。

【技术实现步骤摘要】
一种具有热电优值控制层的半导体激光器


[0001]本申请涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种具有热电优值控制层的半导体激光器。

技术介绍

[0002]激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。
[0003]激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别：
[0004]1)激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在W级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在mW级；
[0005]2)激光器的使用电流密度达KA/cm2，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏、更严重的俄歇复合、极化效应更强、电子空穴不匹配更严重，导致更严重的效率衰减Droop效应；<br/>[0006]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有热电优值控制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，其特征在于，所述衬底和下限制层之间设置有热电优值控制层；所述热电优值控制层的Si掺杂浓度大于所述衬底和下限制层的Si掺杂浓度，所述热电优值控制层的C杂质浓度小于所述下限制层的C杂质浓度，所述热电优值控制层的H杂质浓度小于或等于所述下限制层的H杂质浓度。2.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述热电优值控制层中，Si掺杂浓度≥H杂质浓度≥C杂质浓度。3.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述热电优值控制层的Si掺杂浓度大于1E19cm
‑3。4.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述热电优值控制层的C杂质浓度为1E15cm
‑3至1E17cm
‑3。5.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述热电优值控制层的H杂质浓度为5E16cm
‑3至5E17cm
‑3。6.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述热电优值控制层为AlGaN、AlInGaN、GaN、AlInN、InGaN的任意一种或任意组合，厚度为10～50000埃米。7.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述下限制层、下波导层、上波导层、电子阻挡层、上限制层包括Ga...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚宏柱，李水清，请求不公布姓名，王星河，陈婉君，张江勇，蔡鑫，黄军，刘紫涵，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：