【技术实现步骤摘要】
一种改善smile效应的半导体激光器巴条及其制备方法
[0001]本专利技术涉及一种改善smile效应的半导体激光器巴条及其制备方法,属于半导体激光器芯片
技术介绍
[0002]半导体激光器近年来发展迅速,在过去的20年里面大幅增加用来满足工业的需求,其中光纤激光器正成为材料加工行业中最重要的工具。然而在半导体激光器巴条在工作时,巴条两侧散热较快,而中间区域散热较慢,由于热量的堆积,其中间区域的温度最高,越往两侧,温度越低,温度曲线成高斯分布曲线,中间区域温度高则导致该区域发生较大热膨胀,进而导致中间区域发生弯曲并整体表现为近场非线性效应(Smile效应)。
[0003]导致这种Smile效应的原因有很多,一是整体的半导体激光器巴条结构不合理,导致散热不均匀,中间区域的热量散不出去;二是半导体激光器巴条在封装过程中引入的缺陷、热沉材料、热沉表面平整度、焊料材料的选择、焊料表面平整度以及键合时热沉与半导体激光器巴条的热膨胀系数不匹配会产生较大的应力。当热沉的屈服强度无法对抗所产生的应力时致使制冷器产生形变从而 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改善smile效应的半导体激光器巴条,其特征在于,所述半导体激光器巴条由若干个单巴条单元组成,中央单巴条单元的周期宽度最大,由中央向两侧单巴条单元的周期宽度依次递减;相邻的单巴条单元之间设置有沟槽;所述单巴条单元由下至上依次包括N面电极、衬底、N型限制层、N型波导层、发光有源层、P型波导层、P型限制层;所述P型限制层凸起形成脊型条,所述脊型条上方和沟槽内表面设置有绝缘层,脊型条顶端的绝缘层设有空断间隔,绝缘层上方设置有P面电极。2.如权利要求1所述的改善smile效应的半导体激光器巴条,其特征在于,所述单巴条单元的个数为9~39个。3.如权利要求1所述的改善smile效应的半导体激光器巴条,其特征在于,所述中央单巴条单元的周期宽度为200~700μm,周期宽度的递减幅度为20~60μm。4.如权利要求1所述的改善smile效应的半导体激光器巴条,其特征在于,所述脊型条的宽度为50...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘鹏,孙春明,崔庆尚,朱振,夏伟,
申请(专利权)人:山东华光光电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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