本发明提供了一种设有等离激元耦合层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波层之间和上波导层与电子阻挡层之间设有等离激元耦合层，有源层与上...

本发明提供了一种内置拓扑平带层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上波导层与电子阻挡层之间设有拓扑平带层；拓扑平带层为KMn6Bi5、KAg(C...

本发明提供了一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波层之间和有源层与下波导层之间设有拓扑声子态层，相比于现有技术，有...

本发明提出了一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述有源层为由阱层和垒层组成的周期结构，所述有源层阱层的折射率系数大于或等于垒层的折射率系数，所述有源层阱层的介电常数...

本发明提供了一种设有三线态激子富集层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波层之间和有源层与下波导层之间设有三线态激子富集层，相比于现有...

本发明提出一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体，所述超晶格层与量子阱层之间设置有电子匹配层，所述量子阱层与电子阻挡层之间设置有空穴匹配层，所述超晶格层、电子匹配...

本发明提供了一种内置压电极化调控层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有压电极化调控层；所述压电极化...

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有二维声子与三维电荷传输层的半导体激光元件。该半导体激光元件中的有源层与上波导层之间、有源层与下波导层之间具有二维声子与三维电荷传输层，该层为SnSe、AgSbT2、SnTe、ZrNiSn、B...

本发明公开了一种半导体发光二极管，该二极管包括从下到上一次层叠设置的衬底、n型半导体、浅量子阱、量子阱、电子阻挡层和p型半导体；量子阱由阱层和垒层组成周期结构，量子阱具有若干个周期；量子阱的Si掺杂浓度从浅量子阱向电子阻挡层方向的第一预...

本发明提出一种具有费米面拓扑层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，上限制层与电子阻挡层之间和/或下限制层与下波导层之间设置有费米面拓扑层，费米面拓扑层为二维拓扑莫尔超...

本发明提供了一种设有导电相变层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，下波导层与下限制层之间和上波导层与电子阻挡层之间设有导电相变层，导电相变层具有...

本发明提出一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱层和p型半导体，量子阱层的压电极化系数小于或等于超晶格层的压电极化系数，量子阱层的自发极化系数大于或等于超晶格层的自发极化系数，量子阱层的介...

本发明公开了一种绿光激光器，该绿光激光器包括从下到上依次层叠设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；所述下波导层和上波导层为若干层InN偏析抑制层；所述若干层InN偏析抑制层包括：GaN和In

本发明提出了一种半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、量子阱层和p型半导体，所述量子阱层为由阱层和垒层组成的周期结构，所述阱层的热膨胀系数小于或等于所述垒层的热膨胀系数，所述阱层的弹性系数小于或等于垒层的弹性系数，所述...

本发明提出了一种具有一维电荷密度波层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，在上波导层上下均设置有一维电荷密度波层。本发明能够诱导产生莫尔超晶格能隙，使自旋准粒子和带电荷...

本发明公开一种含自旋螺旋电感层的激光元件，所述激光元件从下往上包括：衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层；所述有源层和所述下波导层相邻，或者所述有源层和所述下波导层之间存在第一自旋螺旋电感层；所述有源层和所述...

本发明公开了一种半导体器件，包括：从下往上依次设置的衬底、沟道层和势垒层；势垒层的电子有效质量大于等于沟道层的电子有效质量。本发明通过设计势垒层的电子有效质量大于等于沟道层的有效电子质量，能够使得沟道层形成多维复合电子层，多维复合电子层...

本发明公开一种含粒子数反转结构的激光器，从下往上包括：衬底、下限制层、第一下波导层，第二下波导层，有源层、上波导层和上限制层；所述第一下波导层和所述第二下波导层形成下波导层；所述上限制层、所述上波导层、所述有源层、所述第一下波导层、所述...

本发明公开了一种具有光学极化子层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域；为了解决现有技术中氮化物半导体激光器缺陷问题；从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下波导层和有源层之间，以及...

本发明公开了一种具有InN相分离抑制层的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，所述有源层与下波导层间具有InN相分离抑制层。通过设计上波导层、有源层、InN相分离抑制层和下波导层...