【技术实现步骤摘要】
一种具有一维电荷密度波层的半导体激光元件
[0001]本申请涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种具有一维电荷密度波层的半导体激光元件。
技术介绍
[0002]激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。
[0003]激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别：
[0004]1)激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在W级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在mW级；
[0005]2)激光器的使用电流密度达KA/cm2，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏、更严重的俄歇复合、极化效应更强、电子空穴不匹配更严重，导致更严重的效率衰减Droop...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有一维电荷密度波层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，其特征在于，所述有源层与上波导层之间、所述上波导层与电子阻挡层之间均设置有一维电荷密度波层。2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述一维电荷密度波层为MoTe2、BaSnO3、CsPbIBr2、Cs2AgFeCl6:In、RSe2、CsAgBiBr6的任意两种以上组合，所述一维电荷密度波层的掺杂元素为Li、Be、Mg、Na、K、Ca、Sr、Fr、Ra、Zn的任意一种或任意组合。3.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述一维电荷密度波层的厚度为5nm至500nm。4.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述一维电荷密度波层为拓扑狄拉克超晶格结构。5.根据权利要求1或4所述的半导体激光元件，其特征在于，所述一维电荷密度波层为以下二元组合结构的拓扑狄拉克超晶格结构中的任意一个：MoTe2/BaSnO3,MoTe2/CsPbIBr2,MoTe2/Cs2AgFeCl6:In,MoTe2/RSe2,MoTe2/CsAgBiBr6,BaSnO3/CsPbIBr2,BaSnO3/Cs2AgFeCl6:In,BaSnO3/RSe2,BaSnO3/CsAgBiBr6,CsPbIBr2/Cs2AgFeCl6:In,CsPbIBr2/RSe2,CsPbIBr2/CsAgBiBr6,Cs2AgFeCl6:In/RSe2,Cs2AgFeCl6:In/CsAgBiBr6,RSe2/CsAgBiBr6。6.根据权利要求1或4所述的半导体激光元件，其特征在于，所述一维电荷密度波层为以下三元组合结构的拓扑狄拉克超晶格结构中的任意一个：MoTe2/BaSnO3/CsPbIBr2,MoTe2/BaSnO3/Cs2AgFeCl6:In,MoTe2/BaSnO3/RSe2,MoTe2/BaSnO3/CsAgBiBr6,MoTe2/CsPbIBr2/Cs2AgFeCl6:In,MoTe2/CsPbIBr2/RSe2,MoTe2/CsPbIBr2/CsAgBiBr6,MoTe2/Cs2AgFeCl6:In/RSe2,MoTe2/Cs2AgFeCl6:In/CsAgBiBr6,MoTe2/RSe2/CsAgBiBr6,BaSnO3/CsPbIBr2/Cs2AgFeCl6:In,BaSnO3/CsPbIBr2/RSe2,BaSnO3/CsPbIBr2/CsAgBiBr6,BaSnO3/Cs2AgFeCl6:In/RSe2,BaSnO3/Cs2AgFeCl6:In/CsAgBiBr6,BaSnO3/RSe2/CsAgBiBr6,CsPbIBr2/Cs2AgFeCl6:In/RSe2,CsPbIBr2/Cs2AgFeCl6:In/CsAgBiBr6,CsPbIBr2/RSe2/CsAgBiBr6,Cs2AgFeCl6:In/RSe2/CsAgBiBr6。7.根据权利要求1或4所述的半导体激光元件，其特征在于，所述一维电荷密度波层为以下四元组合结构的拓扑狄拉克超晶格结构中的任意一个：MoTe2/BaSnO3/CsPbIBr2/Cs...
【专利技术属性】
技术研发人员：李水清，王星河，蔡鑫，张江勇，陈婉君，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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