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本发明提出了一种具有一维电荷密度波层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，在上波导层上下均设置有一维电荷密度波层。本发明能够诱导产生莫尔超晶格能隙，使自旋准粒子和带电荷准粒...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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