一种UVC外延结构及UVC芯片制造技术

本发明专利技术提出了一种UVC外延结构，所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间，所述UVC MQW层的下表面依次铺设N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层在通电后发出可见光。本发明专利技术所提出的UVC外延结构通过增加能够发出可见光的UVA MQW层，能够直观看出UVC芯片是否能够正常工作。也可以在正常使用的过程中，通过UVA MQW层是否有持续发光来判别UVC芯片是否已经失效，避免出现UVC LED已失效而未发现的问题。通过本发明专利技术的UVC外延结构能够从生产到使用的整个过程判断UVC芯片正常工作与否，结构简单，成本低廉。廉。廉。

【技术实现步骤摘要】
一种UVC外延结构及UVC芯片


[0001]本申请涉及电子元件性能检测领域，尤其涉及一种UVC外延结构及UVC芯片。

技术介绍

[0002]近年来，UVC LED市场呈现爆发式增长，尤其是芯片市场热火朝天，一度供不应求。UVC芯片作为UVC LED的核心器件，保障其性能尤为重要。
[0003]当前条件下，常规UVC芯片的外延结构产品点测后无法直接看到可见光，无法简单地确认LED结构是否正常工作。此时，一旦UVC芯片出现异常或损坏的情况，技术人员和用户也无法及时获知，给日常工作和使用带来困扰。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题之一，本专利技术提供了一种UVC外延结构及UVC芯片。
[0005]本专利技术实施例第一方面提供了一种UVC外延结构，所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间，所述UVC MQW层的下表面依次铺设N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层在通电后发出可见本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种UVC外延结构，其特征在于，所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间，所述UVC MQW层的下表面依次铺设N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层在通电后发出可见光。2.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVA MQW层的发出可见光的波长为360nm
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430nm。3.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVA MQW层的阱层厚度为10A至50A。4.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVA MQW层的垒层厚度为10A至50A。5.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚钦，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：