【技术实现步骤摘要】
一种UVC外延结构及UVC芯片
[0001]本申请涉及电子元件性能检测领域,尤其涉及一种UVC外延结构及UVC芯片。
技术介绍
[0002]近年来,UVC LED市场呈现爆发式增长,尤其是芯片市场热火朝天,一度供不应求。UVC芯片作为UVC LED的核心器件,保障其性能尤为重要。
[0003]当前条件下,常规UVC芯片的外延结构产品点测后无法直接看到可见光,无法简单地确认LED结构是否正常工作。此时,一旦UVC芯片出现异常或损坏的情况,技术人员和用户也无法及时获知,给日常工作和使用带来困扰。
技术实现思路
[0004]为解决上述技术问题之一,本专利技术提供了一种UVC外延结构及UVC芯片。
[0005]本专利技术实施例第一方面提供了一种UVC外延结构,所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层,所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间,所述UVC MQW层的下表面依次铺设N型ALGAN层和基层,所述UVA MQW层在通电后发出可见光。
[0006]优选地,所述UVA MQW层的发出可见光的波长为360nm
‑
430nm。
[0007]优选地,所述UVA MQW层的阱层厚度为10A至50A。
[0008]优选地,所述UVA MQW层的垒层厚度为10A至50A。
[0009]优选地,所述UVA MQW层的阱垒对数为一对或两对。
[0010]优选地,所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种UVC外延结构,其特征在于,所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层,所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间,所述UVC MQW层的下表面依次铺设N型ALGAN层和基层,所述UVA MQW层在通电后发出可见光。2.根据权利要求1所述的UVC外延结构,其特征在于,所述UVA MQW层的发出可见光的波长为360nm
‑
430nm。3.根据权利要求1所述的UVC外延结构,其特征在于,所述UVA MQW层的阱层厚度为10A至50A。4.根据权利要求1所述的UVC外延结构,其特征在于,所述UVA MQW层的垒层厚度为10A至50A。5.根据权利要求1所述的UVC外延结构,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:阚钦,
申请(专利权)人:安徽格恩半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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