发光二极管及显示面板制造技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管及显示面板，该发光二极管至少包括N型半导体层、P型半导体层和有源层，该有源层形成于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间，所述有源层包括多个量子阱层和多个垒层，各所述量子阱和各所述垒层交替堆叠，其中，至少一层所述垒层为变势垒层，所述变势垒层沿所述N型半导体层至所述P型半导体层的方向，所述变势垒层的局部或全部的势垒高度由高变低。本发明专利技术，通过在有源层设置变势垒层，通过使变势垒层的势垒高度沿N型半导体层至P型半导体层的方向局部或全部由高变低，有利于增强有源层对电子的限制能力，减少电子在有源层外的复合，增加电子和空穴在有源区的复合几率，提高发光效率。提高发光效率。提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及显示面板


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及发光二极管及显示面板。

技术介绍

[0002]如今，发光二极管的应用广泛，它是通过半导体材料中导带电子和价带空穴的辐射复合产生光子，将电能直接转化为光能的电子元器件，与传统光源相比，其具有高效、节能、环保和长寿等优点。
[0003]在现有的一些发光二极管中，电子的有效质量比空穴小，但电子的迁移率比空穴大，会导致没有被限制在有源区的电子会在有源区之外发生复合发光，产生其他波段光源，进而减少有源区内载流子数目，降低有源区电子与空穴的复合几率，导致影响发光效率。
[0004]因此，如何增强有源区对电子限制的能力，减少电子在有源区之外复合，是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供发光二极管及显示面板，旨在增强有源区对电子限制的能力，减少电子在有源区之外复合，提高发光效率。
[0006]一种发光二极管，至少包括：
[0007]N型半导体层；
[0008]P型半导体层；以及
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：N型半导体层；P型半导体层；以及有源层，形成于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间，所述有源层包括多个量子阱层和多个垒层，各所述量子阱和各所述垒层交替堆叠，其中，至少一层所述垒层为变势垒层，所述变势垒层沿所述N型半导体层至所述P型半导体层的方向，所述变势垒层的局部或全部的势垒高度由高变低。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：在所述变势垒层中，所述变势垒层的最高势垒处与N型半导体层的距离最近。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述变势垒层包括沿所述N型半导体层至所述P型半导体层的方向依次设置的：势垒渐变部，所述势垒渐变部沿所述N型半导体层至所述P型半导体层的方向的势垒高度由高变低；和势垒恒定部：所述势垒恒定部的势垒高度保持恒定，且所述势垒恒定部的势垒高度等于所述渐变部的最低势垒高度。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：各所述垒层中，至少一层所述垒层为恒势垒层，所述恒势垒层的势垒高度保持恒定，所述变势垒层的平均势垒高度高于所述恒势垒层的势垒高度。5.根据权利要求4所述的发光二极管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷鹏军，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：