一种退火方法及系统技术方案

本发明专利技术提出了一种退火方法及系统，所述方法应用于UVC LED结构，所述UVC LED结构包括自上而下依次铺设的P型层、UVC MQW层、N型层和基层，所述退火方法包括：对UVCLED结构中的P型层进行激光照射，所述P型层为高Al组份的P

【技术实现步骤摘要】
一种退火方法及系统


[0001]本申请涉及电子元件生产领域，尤其涉及一种退火方法及系统。

技术介绍

[0002]近年来，深紫外发光二极管(UVC LED)市场呈现爆发式增长，UVCLED的波长在200
‑
285nm之间，对应的MQW发光层需采用AlxGaN作为阱层，P型层通常采用P
‑
GaN和P
‑
Al
y
GaN作为P型层。由于P
‑
GaN的禁带宽度小于MQW中的发光层AlxGaN的禁带宽度，P
‑
GaN对深紫外波段来说，成为深紫外光的吸收层。为了提高深紫外光的出光效率，通常采用带宽大于MQW阱层AlxGaN的P
‑
Al
y
GaN(其中y>x>0.5)作为P型层。对于P
‑
Al
y
GaN的掺杂，我们通常采用Mg作为P型掺杂，但Mg会和H钝化成Mg
‑
H键，要激活Mg，需要较高的能量打破Mg
‑<br/>H键。在高A本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种退火方法，其特征在于，所述方法应用于UVC LED结构，所述UVC LED结构包括自上而下依次铺设的P型层、UVC MQW层、N型层和基层，所述退火方法包括：对UVCLED结构中的P型层进行激光照射，所述P型层为高Al组份的P
‑
AlGaN层，所述Al组份大于0.5；通过所述激光照射对所述P型层中的Mg
‑
H键进行激活。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高Al组份的P
‑
AlGaN层进行激光照射后的激活掺杂浓度为1*10
18
cm
‑3至1*10
19
cm
‑3。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高Al组份的P
‑
AlGaN层进行激光照射后的接触电阻小于5*10
‑4Ω/CM
‑2。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光的波长小于500nm。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：控制所述激光的照射深度，以使所述激光仅对所述P型层进行照射。6.一种退火系统，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宇翔，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：