硅衬底上圆盘型Micro-LED阵列转移的方法技术

本发明专利技术涉及Micro

【技术实现步骤摘要】
硅衬底上圆盘型Micro
‑
LED阵列转移的方法


[0001]本专利技术涉及Micro
‑
LED阵列转移领域，具体涉及一种硅衬底上圆盘型Micro
‑
LED阵列转移的方法。

技术介绍

[0002]目前，Micro
‑
LED显示被认为是继LCD、OLED之后的下一代显示技术，其具备自发光的特性，无需背光源，相比于OLED，色彩更容易调试，具有更高的分辨率(1500ppi)、更快的响应速度(ns级)、更长的寿命和更高的亮度。
[0003]Micro
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LED是制备出超小尺寸的LED芯片并将数量巨大的LED芯片阵列化转移至驱动基板上，通过驱动基板控制每一颗LED芯片的亮度。Micro
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LED的制备主要包括微缩制程技术、巨量转移技术、键合技术和彩色化封装，其中，以巨量转移技术最具难度，将LED芯片从原来衬底的预定位置精准抓取并放置在驱动板目标位置，难点在于如何将大量的LED芯片快速稳定精准的转移，同时提高转移效率和降低成本是产业化落地的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅衬底上圆盘型Micro
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LED阵列转移的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硅衬底上的圆盘型Micro
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LED阵列进行光刻保护，得到覆盖光刻胶的Micro
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LED阵列；(2)将所述覆盖光刻胶的Micro
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LED阵列进行干法刻蚀，得到硅柱支撑的悬浮式圆盘型Micro
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LED阵列；(3)将所述悬浮式圆盘型Micro
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LED阵列进行去除光刻胶、剥离硅衬底和柔性转移，转移到目标基板上。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述干法刻蚀在电感耦合等离子刻蚀系统中进行。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述干法刻蚀的过程包括：将所述覆盖光刻胶的Micro
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LED阵列从正面依次对InGaN/GaN外延层进行各向异性刻蚀和对硅衬底进行各向同性刻蚀。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述各向异性刻蚀的条件包括：刻蚀功率为500
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600W，射频功率为100
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200W，刻蚀速度为150
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250nm/min。5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，所述各向同性刻蚀的条件包括：刻蚀功率为600
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800W，射频功率为80
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100W，纵向刻蚀速度为3
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4μm/min，横向刻蚀速度为2
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3μm/min，刻蚀时间为15
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【专利技术属性】
技术研发人员：王江文，胡卫国，化麒麟，
申请(专利权)人：北京纳米能源与系统研究所，
类型：发明
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