一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，所述长余辉型LED芯片由长余辉材料和LED灯条构成，所述LED灯条为LED芯片并联焊接而成，所述长余辉材料的原料为CaAl2O4:Eu 20

【技术实现步骤摘要】
一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法


[0001]本专利技术涉及植物补光灯
，具体为一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法。

技术介绍

[0002]在植物种植过程中，由于白天的光线时间有限，并且部分植物的采光位置不够好，无法接受正常光照，因此人们会采用植物补光灯对植物进行补光，同时植物补光灯还能够在夜间进行使用，延长植物的光照时间，从而加快植物的生产速度。
[0003]经过海量检索，发现现有技术公开号为：CN112366254A，公开了一种LED芯片制备方法及其LED芯片，其中，制备方法包括：在P型外延层的上表面生长过渡层，所述P型外延层的上表面包括第一区域和第二区域，其中，所述第二区域用于生长电流阻挡层；清除所述第二区域的过渡层。本专利技术提供的LED芯片制备方法，通过在P型外延层的非电流阻挡层区域采用过渡层作为保护层的特殊工艺，改善了芯片因P型欧姆接触恶化造成的电压高和报废问题，有效提高芯片良率。本专利技术提供的LED芯片具有电学性能好、芯片良率高的优点。
[0004]综上所述，由于LED灯具备热量低、成本低、使用寿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于：所述长余辉型LED芯片由长余辉材料和LED灯条构成，所述LED灯条为LED芯片并联焊接而成，制备方法步骤如下：S1：制备长余辉材料；S2：焊接LED灯条；S3：制作LED灯条基座；S4：安装LED灯条，并将长余辉材料对LED灯条表面进行覆盖；S5：对长余辉材料表面进行打磨和抛光。2.根据权利要求1所述的一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于：基于长余辉型LED芯片制备方法的S1中：所述长余辉材料的原料为CaAl2O4:Eu 20
‑
25％、Dy 20
‑
25％、MdSiO3:Mn20
‑
25％、Eu 20
‑
30％和还原剂5
‑
10％，将原料置于高温环境中，在高温下进行固相还原反应，制得长余辉材料；反应环境温度为900
‑
1450℃，加热时间为2
‑
5h，并保持长余辉材料温度为80
‑
110℃，使得长余辉材料维持胶质状态，便于后续注模成型。3.根据权利要求1所述的一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王婷，颜贵龙，
申请(专利权)人：武汉纳斯恩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：