一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，所述长余辉型LED芯片由长余辉材料和LED灯条构成，所述LED灯条为LED芯片并联焊接而成，所述长余辉材料的原料为CaAl2O4:Eu 20

【技术实现步骤摘要】
一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法


[0001]本专利技术涉及植物补光灯
，具体为一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法。

技术介绍

[0002]在植物种植过程中，由于白天的光线时间有限，并且部分植物的采光位置不够好，无法接受正常光照，因此人们会采用植物补光灯对植物进行补光，同时植物补光灯还能够在夜间进行使用，延长植物的光照时间，从而加快植物的生产速度。
[0003]经过海量检索，发现现有技术公开号为：CN112366254A，公开了一种LED芯片制备方法及其LED芯片，其中，制备方法包括：在P型外延层的上表面生长过渡层，所述P型外延层的上表面包括第一区域和第二区域，其中，所述第二区域用于生长电流阻挡层；清除所述第二区域的过渡层。本专利技术提供的LED芯片制备方法，通过在P型外延层的非电流阻挡层区域采用过渡层作为保护层的特殊工艺，改善了芯片因P型欧姆接触恶化造成的电压高和报废问题，有效提高芯片良率。本专利技术提供的LED芯片具有电学性能好、芯片良率高的优点。
[0004]综上所述，由于LED灯具备热量低、成本低、使用寿命长和具备可发出植物所需的颜色灯光的优点，广泛应用于植物补光灯的光源，现有的长余辉型LED灯在对植物进行补光过程中，由于长余辉材料吸收光线后，再度发生光线的种类复杂，无法发出植物生长所需的红蓝光和红蓝光必比例较低，使得传统的长余辉材料发出光线对促进植物生长的作用较小，达不到使用的预期标准。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，所述长余辉型LED芯片由长余辉材料和LED灯条构成，所述LED灯条为LED芯片并联焊接而成，制备方法步骤如下：
[0007]S1：制备长余辉材料；
[0008]S2：焊接LED灯条；
[0009]S3：制作LED灯条基座；
[0010]S4：安装LED灯条，并将长余辉材料对LED灯条表面进行覆盖；
[0011]S5：对长余辉材料表面进行打磨和抛光。
[0012]优选的，基于长余辉型LED芯片制备方法的S1中：
[0013]所述长余辉材料的原料为CaAl2O4:Eu 20
‑
25％、Dy 20
‑
25％、MdSiO3:Mn20
‑
25％、Eu 20
‑
30％和还原剂5
‑
10％，将原料置于高温环境中，在高温下进行固相还原反应，制得长余辉材料；
[0014]反应环境温度为900
‑
1450℃，加热时间为2
‑
5h，并保持长余辉材料温度为80
‑
110
℃，使得长余辉材料维持胶质状态，便于后续注模成型。
[0015]优选的，基于长余辉型LED芯片制备方法的S2中：
[0016]将LED芯片的正负极进行区分，并等距排布于排线表面，通过电烙铁将LED芯片的正负极与排线表面的正负极进行焊接，构成一条完整的LED灯条。
[0017]优选的，基于长余辉型LED芯片制备方法的S3中：
[0018]将呈胶质态的长余辉材料倾倒至模具中，模具底部设置有凸起，凸起的宽度与LED灯条宽度对应；
[0019]倾倒完成后，等待2
‑
3h，基座自然冷却固化，制得基座。
[0020]优选的，基于长余辉型LED芯片制备方法的S4中：
[0021]将LED灯条置于基座内部，将基座连同LED灯条置于模具中，在基座与LED灯条表面倾倒胶质状态的长余辉材料；
[0022]将模具置于
‑
2个标准大气压的负压环境中，进行气泡抽离，负压除气泡时间为30min，并静置2h等待长余辉材料固化，得到封存于长余辉材料内部的LED灯条。
[0023]优选的，基于长余辉型LED芯片制备方法的S5中：
[0024]对固化后的长余辉材料表面进行打磨，使得LED灯条发光面的长余辉擦料打磨成圆弧形，并对长余辉材料表面进行抛光。
[0025]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术中采用CaAl2O4:Eu、Dy、MdSiO3:Mn作为长余辉材料的原料，所制得的长余辉材料具备发出植物所需的红光和蓝光，更加利于植物生长，在LED灯条电源关闭后，长余辉材料吸收了LED灯条的光线后产生余晖，余晖的光线颜色为红光和蓝光，正是植物生长所需的红光和蓝光，可节省LED灯条的电量使用，并且相比较传统的长余辉材料发出的光线，促进植物生长的效果更好，并且长余辉材料将LED灯条进行包裹，具备更加全面的光线吸收和余辉发光效果。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0029]本专利技术提供的六种实施例：
[0030]实施例一：
[0031]一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，长余辉型LED芯片由长余辉材料和LED灯条构成，LED灯条为LED芯片并联焊接而成，制备方法步骤如下：
[0032]S1：制备长余辉材料；
[0033]S2：焊接LED灯条；
[0034]S3：制作LED灯条基座；
[0035]S4：安装LED灯条，并将长余辉材料对LED灯条表面进行覆盖；
[0036]S5：对长余辉材料表面进行打磨和抛光。
[0037]实施例二：
[0038]基于长余辉型LED芯片制备方法的S1中：
[0039]长余辉材料的原料为CaAl2O4:Eu 20
‑
25％、Dy 20
‑
25％、MdSiO3:Mn 20
‑
25％、Eu 20
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于：所述长余辉型LED芯片由长余辉材料和LED灯条构成，所述LED灯条为LED芯片并联焊接而成，制备方法步骤如下：S1：制备长余辉材料；S2：焊接LED灯条；S3：制作LED灯条基座；S4：安装LED灯条，并将长余辉材料对LED灯条表面进行覆盖；S5：对长余辉材料表面进行打磨和抛光。2.根据权利要求1所述的一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于：基于长余辉型LED芯片制备方法的S1中：所述长余辉材料的原料为CaAl2O4:Eu 20
‑
25％、Dy 20
‑
25％、MdSiO3:Mn20
‑
25％、Eu 20
‑
30％和还原剂5
‑
10％，将原料置于高温环境中，在高温下进行固相还原反应，制得长余辉材料；反应环境温度为900
‑
1450℃，加热时间为2
‑
5h，并保持长余辉材料温度为80
‑
110℃，使得长余辉材料维持胶质状态，便于后续注模成型。3.根据权利要求1所述的一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王婷，颜贵龙，
申请(专利权)人：武汉纳斯恩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：