【技术实现步骤摘要】
用于晶圆的ICP刻蚀装置[
]本技术涉及一种晶圆刻蚀装置,具体涉及一种用于晶圆的ICP刻蚀装置。[
技术介绍
]晶圆(wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电收女口蹄广口口。晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层,因此在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。其中刻蚀一般采用ICP (Inductively Coupled Plasma)刻蚀,即反应耦合等离子体刻蚀,是一种非常重要的半导体干法刻蚀技术。当气体以等离子体形式存在时,它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多,根据被刻蚀材料的不同,选择合适的气体,就可以更快地与材料进行反应,实现刻蚀去除的目的;另一方面,还可以利用电场对等离子体进行引导和加速,使其具备一定能量,当其轰击被刻蚀物的表面时,会将被刻蚀物材料的原子击出,从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此,干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。[
技术实现思路
]为了使ICP更好的用于晶圆的刻蚀,并且为了能够增加刻蚀设备的寿命,提供一种用于晶圆的ICP刻蚀装置,其结构如下:包括腔体、下电极和托盘,其特征在于所述的腔体侧壁上开设支撑槽,所述的下电极一端设置于支撑槽内部,所述的下电极上部设有一圆形托盘,下电极沿托盘周缘设有限位凸块,所述的圆形托盘表面环形排列若干用于放置晶圆的容置槽,容置槽深0.6?1_。上述ICP刻蚀装置还具有如下优化结构:所述的限位凸块优选为与所述下电极螺 ...
【技术保护点】
一种用于晶圆的ICP刻蚀装置,包括腔体、下电极和托盘,其特征在于所述的腔体侧壁上开设支撑槽,所述的下电极一端设置于支撑槽内部,所述的下电极上部设有一圆形托盘,下电极沿托盘周缘设有限位凸块,所述的圆形托盘表面环形排列若干用于放置晶圆的容置槽,容置槽深0.6~1mm。
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆的ICP刻蚀装置,包括腔体、下电极和托盘,其特征在于所述的腔体侧壁上开设支撑槽,所述的下电极一端设置于支撑槽内部,所述的下电极上部设有一圆形托盘,下电极沿托盘周缘设有限位凸块,所述的圆形托盘表面环形...
【专利技术属性】
技术研发人员:林宇杰,董庆安,杨辉,吴伟,
申请(专利权)人:上海博恩世通光电股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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