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本实用新型涉及一种用于晶圆的ICP刻蚀装置，包括腔体、下电极和托盘，所述的腔体侧壁上开设支撑槽，所述的下电极一端设置于支撑槽内部，所述的下电极上部设有一圆形托盘，下电极沿托盘周缘设有限位凸块，所述的圆形托盘表面环形排列若干用于放置晶圆的容置...
该专利属于上海博恩世通光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海博恩世通光电股份有限公司授权不得商用。

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