【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种非挥发性存储器,包括:深阱,其配备在基板上;第1阱,其配备在所述深阱区域内;第2阱,其配备在所述深阱区域内与所述第1阱隔离;第1场效应晶体管,其配备在所述第1阱上;和第2场效应晶体管,其配备在所述第2阱上。
【技术特征摘要】
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