非接触卡的制作方法及用该方法制成的非接触卡技术

一种非接触卡的制作方法，其特征在于包括以下步骤： 模块封装； 腐蚀线圈制作； 腐蚀线圈与模块的组合加工； 制卡层压。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于智能卡领域，尤其涉及非接触卡的制作方法。本专利技术需要解决的另一技术问题是提供一种用下述方法制作的非接触卡。为解决上述第一个技术问题，本专利技术的技术方案包括以下步骤一、模块封装二、腐蚀线圈制作三、腐蚀线圈与模块的组合加工四 制卡层压本专利技术要解决的另一个技术问题即利用上述方法制成的非接触卡，它包括射频模块，模块焊盘，聚脂薄膜、PVC卡基，还包括由腐蚀方法制成的线圈和薄膜电容器，线圈与薄膜电容器和射频模块电连接于聚脂薄膜上。本专利技术所述的工艺方法与现有技术相比有如下有益效果，由于采用了腐蚀线圈的制作方法，使其在制造工艺上比现有技术更简捷，产品性能比现有技术更稳定可靠，一致性更高，制造成本明显降低，更适合大生产加工。如附图说明图1，本专利技术所涉及的非接触卡包括射频模块1、模块焊盘4、聚脂薄膜5、PVC卡基6、还包括由腐蚀方法制成的线圈3和薄膜电容器2，线圈与薄膜电容器和射频模块电连接于聚脂薄膜上。本专利技术所涉及的方法制作非接触卡，第一步工序是模块封装。首先把圆盘芯片减薄到0.15～0.18mm，再进行切割；用机器将切割后的芯片用银浆与条带结合，达到切向推力标准＞500g/mm2；对于之后完成后的半成品进行金丝球焊，用金丝把芯片的焊点和条带连接起来，行成一个通路，并测试达到如下标准垂直方向拉断金丝，拉力需达到标准＞4g；再用黑色模塑料把芯片和金丝部份完全包封起来，即模块封装，须确保金丝引线完好。模块外型平整无空洞，并封装面积5.0*4.8MM；封装厚度0.4MM。最后编写程序对模块的电性能进行100％测试，剔除失效模块，利用冲切设备把合格模块冲切下。第二步工序是腐蚀线圈制作。首先进行腐蚀线圈的设计，即根据模块串联电容要求计算出天线等效电感量，计算公式为L＝1/4Л2f2C，f为模块设计最佳谐振频率；C为模块等效串联谐振电容量；再按要求电感量的大小设计线圈圈数，并确定线圈的截面积、线宽、线距、厚度等参数。在相应位置预留模块按装孔，以便后续层压工序中外侧两层PVC能牢固结合。电容一般在几十个PF左右，可根据芯片内电容设计值，实际卡的读卡距离做调整，以达到最佳读卡距离。如果最佳谐振频率为15-19MHz，线圈的截面积约3000-5000mm2；圈数3-6圈；线宽1-2mm；线距0.2-0.8mm；然后开始腐蚀线圈的制造，选取厚度从0.02到0.1mm的聚脂薄膜，然后在聚脂薄膜上腐蚀银材质的导电线圈，也可以腐蚀铜或铝材质的导电线圈，导电线圈的腐蚀厚度要求0.02-0.05mm。之后在140-150摄氏度高温下整形。这样聚脂薄膜线圈的总厚度，即聚脂薄膜层厚度加上导电线圈的腐蚀厚度后为0.05到0.15mm。接下来是制作谐振匹配薄膜电容，在射频模块电极两端并联一适合大小面积的导电面，导电面的材料与腐蚀线圈的材料一致，在聚脂薄膜正反面重叠形成等效电容，电容量的大小与重叠面积成正比，与重叠面的距离成反比。容量大小根据实际芯片要求设计，以达到最好的匹配效果。第三步工序是腐蚀线圈与模块的组合加工首先在聚脂薄膜腐蚀线圈焊盘上印刷导电粘接剂，把冲切下来的模块压合在涂有导电粘接剂的聚脂薄膜，即薄膜天线基材上，再把模块黑封胶部份(黑封胶是芯片完成金丝焊接后，包封在芯片外面的一种保护塑封料)嵌入.聚脂薄膜开孔处，模块焊接区与线圈焊盘相接；把上述部份半成品经200-260摄氏度波峰焊焊接使模块和线圈高温固化有效地连接起来。这样完成的产品已经可以作为智能标签，如单面腐蚀强力粘接胶，可直接贴在物品上，作为智能标签。第四步工序是制卡层压。把上述第三步完成的产品作为非接触卡的芯层，根据卡的厚度标准，选取适合的PVC并可在上面按需求印刷文案，把PVC附在芯层两侧，用层压机把三样东西热压合起来，层压后卡的总厚度要求0.76-0.84mm。，层压机的温度可设定在130℃-140℃，压力可设定在8-10Mpa，压合以后再经过冲切就可成为标准的非接触卡。权利要求1.一种非接触卡的制作方法，其特征在于包括以下步骤模块封装；腐蚀线圈制作；腐蚀线圈与模块的组合加工；制卡层压；2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于腐蚀线圈制作包括如下两步根据模块串联电容要求计算出天线等效电感量，再按要求电感量的大小设计线圈圈数，并确定线圈的截面积、线宽、线距、厚度等参数；在相应位置预留模块按装孔；选取聚脂薄膜，在其上面腐蚀导电线圈，并在高温下整形。在射频模块电极两端并联一与腐蚀线圈的材料一致的导电面以在聚脂薄膜正反面重叠形成等效电容。3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于所述导电线圈的腐蚀厚度为0.02-0.05mm。4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于聚脂薄膜厚度为0.02-0.1mm。5.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于腐蚀线圈为银、铜或铝。6.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于整形温度为140-150℃。7.一种非接触卡，包括射频模块1、模块焊盘4、聚脂薄膜5、PVC卡基6，其特征在于还包括由腐蚀方法制成的线圈3和薄膜电容器2，线圈与薄膜电容器和射频模块电连接于聚脂薄膜上。8.如权利要求8所述的非接触卡，其特征在于线圈3的材质为银、铝或铜。全文摘要本专利技术公开了一种应用于智能卡领域的非接触卡的制作方法及用该方法制成的非接触卡。制作方法包括以下步骤一、模块封装；二、腐蚀线圈制作；三、腐蚀线圈与模块的组合加工；四、制卡层压；而利用该方法制成的非接触卡包括射频模块，模块焊盘，聚酯薄膜、PVC卡基，还包括由腐蚀方法制成的线圈和薄膜电容器，线圈与薄膜电容器和射频模块电连接于聚酯薄膜上。本专利技术的有益效果是由于采用了腐蚀线圈的制作方法，使其在制造工艺上比现有技术更简捷，产品性能比现有技术更稳定可靠，一致性更高，制造成本明显降低，更适合大生产加工。文档编号G06K19/077GK1424699SQ0215766公开日2003年6月18日 申请日期2002年12月20日 优先权日2002年12月20日专利技术者洪斌, 顾秋华, 杨晖峰 申请人:上海长丰智能卡有限公司 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪斌，顾秋华，杨晖峰，
申请(专利权)人：上海长丰智能卡有限公司，
类型：发明
国别省市：