The invention provides a semiconductor device, which has: a semiconductor substrate, which has a drift area of the first conductive type; a transistor part, which is arranged on the semiconductor substrate; an adjacent component part, which is arranged on the semiconductor substrate, and is arranged with the transistor part along the preset arrangement direction; both the transistor part and the adjacent component part have: a base area of the second conductive type, which is arranged on the semiconductor substrate The inner part of the substrate is arranged above the drift area; a plurality of groove parts run through the substrate area from the upper surface of the semiconductor substrate and extend along the extension direction perpendicular to the arrangement direction on the upper surface of the semiconductor substrate and are internally provided with a conductive part; the first lower surface side life control area is continuously arranged from the transistor part to the adjacent component part on the lower surface side of the semiconductor substrate, and The first lower surface side life control region is arranged on a part of the whole transistor part and the adjacent component part in the arrangement direction when looking down on the semiconductor substrate.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往,已知绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等半导体装置(例如参照专利文献1)。专利文献1:日本特开2012-43891号公报
技术实现思路
技术问题在半导体装置中,优选改善漏电流等特性。技术方案在本专利技术的一个方式中,提供一种半导体装置,其具备:半导体基板,其具有第一导电型的漂移区;晶体管部,其设置于半导体基板;相邻元件部,其设置于半导体基板,并沿预先设定的排列方向与所述晶体管部排列。晶体管部和相邻元件部这两者都具有:第二导电型的基区,其在半导体基板的内部设置于漂移区的上方;多个沟槽部,其从半导体基板的上表面贯穿基区,在半导体基板的上表面沿与排列方向垂直的延伸方向延伸,并且在内部设置有导电部;包含寿命控制剂的第一下表面侧寿命控制区域,其在半导体基板的下表面侧,从晶体管部连续地设置到相邻元件部。在俯视半导体基板时,第一下表面侧寿命控制区域在排列方向上设置于整个晶体管部和相邻元件部的一部分。在半导体基板的下表面侧可以还具有包含寿命控制剂的第二下表面侧寿命控制区域,所述第二下表面侧寿命控制区域以半导体基板的下表面为基准而设置在比第一下表面侧寿命控制区域更深的位置,并且在俯视半导体基板时与第一下表面侧寿命控制区域重叠地配置。第二下表面侧寿命控制区域可以在排列方向上从所述晶体管部连续地设置到所述相邻元件部,并且设置于晶体管部的一部分和相邻元件部的一部分。晶体管部可以在半导体基板的上表面侧还具有包含寿命控制剂的上 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:/n半导体基板,其具有第一导电型的漂移区;/n晶体管部,其设置于所述半导体基板;以及/n相邻元件部,其设置于所述半导体基板,并且沿预先设定的排列方向与所述晶体管部排列;/n所述晶体管部和所述相邻元件部这两者都具有:/n第二导电型的基区,其在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的上方;/n多个沟槽部,其从所述半导体基板的上表面贯穿所述基区,在所述半导体基板的上表面沿与所述排列方向垂直的延伸方向延伸,并且在内部设置有导电部;以及/n包含寿命控制剂的第一下表面侧寿命控制区域,其在所述半导体基板的下表面侧,从所述晶体管部起连续地设置到所述相邻元件部,/n在俯视所述半导体基板时,所述第一下表面侧寿命控制区域在所述排列方向上设置在整个所述晶体管部和所述相邻元件部的一部分。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171115 JP 2017-2203471.一种半导体装置,其特征在于,具有:
半导体基板,其具有第一导电型的漂移区;
晶体管部,其设置于所述半导体基板;以及
相邻元件部,其设置于所述半导体基板,并且沿预先设定的排列方向与所述晶体管部排列;
所述晶体管部和所述相邻元件部这两者都具有:
第二导电型的基区,其在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的上方;
多个沟槽部,其从所述半导体基板的上表面贯穿所述基区,在所述半导体基板的上表面沿与所述排列方向垂直的延伸方向延伸,并且在内部设置有导电部;以及
包含寿命控制剂的第一下表面侧寿命控制区域,其在所述半导体基板的下表面侧,从所述晶体管部起连续地设置到所述相邻元件部,
在俯视所述半导体基板时,所述第一下表面侧寿命控制区域在所述排列方向上设置在整个所述晶体管部和所述相邻元件部的一部分。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
在所述半导体基板的下表面侧还具有包含寿命控制剂的第二下表面侧寿命控制区域,所述第二下表面侧寿命控制区域以所述半导体基板的下表面为基准而设置在比所述第一下表面侧寿命控制区域更深的位置,并且在俯视所述半导体基板时与所述第一下表面侧寿命控制区域重叠地设置。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述第二下表面侧寿命控制区域在所述排列方向上从所述晶体管部连续地设置到所述相邻元件部,并且设置在所述晶体管部的一部分和所述相邻元件部的一部分。
4.如权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于,
在所述晶体管部的所述排列方向上的端部,所述第一下表面侧寿命控制区域和所述第二下表面侧寿命控制区域在所述半导体基板的深度方向上重叠。
5.如权利要求2至4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述晶体管部在所述半导体基板的上表面侧还具有包含寿命控制剂的上表面侧寿命控制区域,
在所述晶体管部,所述第二下表面侧寿命控制区域的端部设置在比所述上表面侧寿命控制区域的端部更靠所述排列方向上的所述相邻元件部侧的位置。
6.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
所述相邻...
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