半导体器件封装制造技术

公开了根据一个实施例的半导体器件封装，所述半导体包括：基板；设置在基板上的第一引线框架和第二引线框架；发光元件，电连接到第一引线框架和第二引线框架；反射层，设置在基板上以反射从发光元件发出的光；以及透镜，设置在基板上以覆盖发光元件、反射层、以及第一引线框架和第二引线框架。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件封装
实施例涉及半导体器件封装。
技术介绍
发光二极管(LED)是在向其施加电流时发光的发光器件之一。LED能够在低电压下高效发光，因此具有显著的节能效果。近来，LED的亮度问题已经得到显著改善，因此LED被应用于各种装置，例如液晶显示装置的背光单元、电子标牌、指示器、家用电器等。发光二极管可以具有这样的结构：其中，第一电极和第二电极设置在包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构的一侧上。此外，第一电极和第二电极可以通过引线框架电连接到外部电路。然而，设置在LED下方的引线框架均由诸如金(Au)等的金属材料制成，并且存在金属材料吸收光导致光通量降低的问题。为了解决上述问题，当引线框架涂有银(Ag)等时，存在引线框架的表面褪色并因此可靠性降低的问题。
技术实现思路
技术问题实施例旨在提供一种具有改善的光通量的半导体器件封装。此外，实施例旨在提供一种能够控制方向角的半导体器件封装。技术方案本专利技术的一个方面提供一种半导体器件封装，包括基板；设置在基板上的第一引线框架和第二引线框架；电连接到第一引线框架和第二引线框架的发光器件；反射层，设置在基板上并被配置为反射从发光器件发射的光；以及透镜，设置在基板上并被配置为覆盖发光器件、反射层、第一引线框架和第二引线框架。第一引线框架可以包括电连接到发光器件的第一引线电极部分、设置在基板边缘上的边缘部分、以及延伸部，被配置为将边缘部分连接到第一引线电极部分。反射层可以设置在边缘部分内。半导体器件封装可以包括电连接到第一引线框架的第一焊盘和电连接到第二引线框架的第二焊盘。半导体器件封装可以包括：第一贯穿电极，被配置为在基板厚度方向上穿过基板以将第一引线框架电连接到第一焊盘；以及第二贯穿电极，被配置为在基板厚度方向上穿过基板以电将第二引线框电连接到第二焊盘。第一引线框架和第二引线框架中的每一个的引线电极部分可以连接到齐纳二极管的电极焊盘。边缘部分可以围绕第二引线框架的第二引线电极部分。透镜可以包括设置在透镜中心部分上的凸起部分和被配置为围绕凸起部分的平坦部分。半导体器件封装可以包括设置在基板和平坦部分之间的坝形部分。坝形部分可以具有一个靠近发光器件的表面和与该表面相对的另一个表面，并且该靠近发光器件的表面可以具有曲率，而另一个表面可以具有平坦表面。坝形部分可以连接到反射层。反射层可以覆盖发光器件的侧表面。反射层的厚度越远离发光器件越小。半导体器件封装可以包括设置在发光器件上的波长转换层。有益效果根据实施例，可以改善光通量。此外，可以控制方向角。本专利技术的各种有益优点和效果不受以上描述的限制，并且通过对本专利技术的详细实施例的描述应该容易理解。附图说明图1是根据本专利技术的一个实施例的半导体器件封装的概念图。图2是示出图1的引线框架的结构的平面图。图3是示出根据发光器件的高度的反射层的区域的图。图4是半导体器件的概念图。图5是根据本专利技术另一实施例的半导体器件封装的概念图。图6是用于描述制造根据本专利技术另一实施例的半导体器件封装的方法的图。图7是根据本专利技术又一实施例的半导体器件封装的概念图。图8是示出图7的修改的示例的图。具体实施方式可以以其他形式修改示例性实施例，或者各种实施例可以彼此组合，并且本专利技术的范围不限于下面描述的每个实施例。尽管在另一个实施例中没有描述在特定实施例中描述的项目，但是除非在另一个实施例中另外描述或者只要其中没有相互矛盾的描述，该项目可以被理解为与另一个实施例相关。例如，当在特定实施例中描述配置A的特征并且在另一实施例中描述配置B的特征时，即使当没有明确地描述组合配置A和配置B的实施例时，除非在实施例中另外描述或者只要其中没有相互矛盾的解释，应该理解它们将落入本专利技术的范围内。在实施例的描述中，当元件被描述为形成在另一元件“上”或“下”时，术语“在......上”或“在...下”包括两个组件彼此直接接触(直接地)的含义并且包括在两个组件之间设置和形成一个或多个其他部件(间接地)的含义。此外，当元件被描述为形成在另一元件“上”或“下”时，该描述可以包括元件在另一元件的向上的方向上形成和在另一元件的向下的方向上形成的含义。在下文中，将详细地完整描述本专利技术的示例性实施例，使得示例性实施例适合于由本专利技术所属领域的技术人员参考附图来实现。图1是根据本专利技术的一个实施例的半导体器件封装的概念图，图2是示出图1的引线框架的结构的平面图。参照图1，根据该实施例的半导体器件封装包括基板10；设置在基板10上的第一引线框架20和第二引线框架30；设置在基板10上的反射层40；发光器件100，电连接到第一引线框架20和第二引线框架30；设置在发光器件100上的波长转换层50；以及透镜60，设置在基板10上方并被配置为覆盖发光器件100和第一引线框架20和第二引线框架30。基板10可以是绝缘基板，但是本专利技术不限于此。例如，基板10可以是氮化物或氧化物的陶瓷绝缘基板。基板10可以由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O2、AlN等形成，但是本专利技术不限于此。第一引线框架20和第二引线框架30中的每一个包括导电材料，例如具有高导电率的铜(Cu)、金(Au)等，但是本专利技术不限于此。或者，当第一引线框架20和第二引线框架30中的每一个包括诸如铝(Al)等反射材料时，从发光器件100发射的光可以被反射到透镜60。然而，当每个引线框架均由Cu或Au制成时，存在反射效率相对降低的问题。第一引线框架20和第二引线框架30可以彼此电分离并且分别连接到发光器件100的第一电极和第二电极(未示出)。特别地，第一引线框架20和第二引线框架30的形状不限于附图中所示的那些形状，并且可以被容易地改变。电连接到第一引线框架20的第一焊盘81和电连接到第二引线框架30的第二焊盘82可以设置在基板10下方。第一贯穿电极81a可以沿着基板厚度方向穿过基板10以将第一引线框架20电连接到第一焊盘81。此外，第二贯穿电极82a可以沿基板厚度方向穿过基板10以将第二引线框架30电连接到第二焊盘82。可以将发光器件100设置在基板10上以电连接到第一引线框架20和第二引线框架30。发光器件100可以具有垂直型结构、倒装芯片型结构等，但是本专利技术不是限于此。例如，当发光器件100具有倒装芯片结构时，发光器件100可以在没有导线的情况下直接连接到第一引线框架20和第二引线框架30。反射层40可以具有反射颗粒分散在绝缘基底材料中的结构。基底材料可以是透光环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、尿素树脂和丙烯酸树脂中的一种或多种。例如，聚合物树脂可以是硅树脂。反射颗粒可包括诸如TiO2或SiO2的颗粒。反射层40可以设置在基板10上以反射从发光器件100发射的光。因此，可以改善封装的光提取效率和光通量。反射层40可以被设置为围绕第一引线框架20和第二引线框架30中的每一个。因此，反射层40可以设置在第一引线框架20和第二引线框架30之间。波长转换层50可以转换从发光器件100发射的光的波长。例如，波长转换层50可以将从发光器件100发射的光转换成白光。波长转换层50可以由其中分散有磷光体或量子点的聚合物树脂制成。磷光体的种类没有特别限制。磷光体可以包括基于钇铝石榴石(YAG)的磷光体、基于Tb3Al本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件封装，包括：基板；第一引线框架和第二引线框架，设置在基板上；发光器件，电连接到第一引线框架和第二引线框架；反射层，设置在基板上并被配置为反射从发光器件发射的光；以及透镜，设置在基板上并被配置为覆盖发光器件、反射层、第一引线框架和第二引线框架，其中，第一引线框架包括：第一引线电极部分，电连接到发光器件；边缘部分，设置在基板的边缘上；以及延伸部，被配置为将边缘部分连接到第一引线电极部分，并且反射层设置在边缘部分内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.27 KR 10-2016-01413231.一种半导体器件封装，包括：基板；第一引线框架和第二引线框架，设置在基板上；发光器件，电连接到第一引线框架和第二引线框架；反射层，设置在基板上并被配置为反射从发光器件发射的光；以及透镜，设置在基板上并被配置为覆盖发光器件、反射层、第一引线框架和第二引线框架，其中，第一引线框架包括：第一引线电极部分，电连接到发光器件；边缘部分，设置在基板的边缘上；以及延伸部，被配置为将边缘部分连接到第一引线电极部分，并且反射层设置在边缘部分内。2.根据权利要求1所述的半导体器件封装，包括：第一焊盘，电连接到第一引线框架；第二焊盘，电连接到第二引线框架；第一贯穿电极，被配置为在基板的厚度方向上穿过基板，以将第一引线框架电连接到第一焊盘；以及第二贯穿电极，被配置为在基板的厚度方向上穿过基板以将第二引线框电连接到第二焊盘。3.根据权利要求1所述的半导体器件封...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔成民，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR