【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件封装和光源设备
实施例涉及半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。
技术介绍
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点,例如宽且易于调节的带隙能,所以该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。特别地,由于薄膜生长技术和器件材料的发展,通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光,例如红光、绿光、蓝光和紫外线。另外,通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比,这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。此外,随着器件材料的发展,当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质来制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时,通过吸收具有各种波长域的光来产生光电流,使得能够使用具有各种波长域的光,例如从伽马射线到无线电波。另外,上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保、易于控制器 ...
【技术保护点】
1.一种发光器件封装,包括:第一框架和第二框架,所述第一框架和所述第二框架彼此间隔开;本体,所述本体布置在所述第一框架和所述第二框架之间;发光器件,所述发光器件包括第一电极和第二电极;以及粘合剂,所述粘合剂布置在所述本体和所述发光器件之间,其中,第一开口部和第二开口部设置成分别贯穿所述第一框架和所述第二框架的上表面及下表面,其中,所述本体包括凹部,所述凹部从所述本体的上表面朝着所述本体的下表面凹进地设置,其中,所述粘合剂布置在所述凹部中,其中,所述第一电极布置在所述第一开口部上,并且其中,所述第二电极布置在所述第二开口部上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.06.26 KR 10-2017-00807811.一种发光器件封装,包括:第一框架和第二框架,所述第一框架和所述第二框架彼此间隔开;本体,所述本体布置在所述第一框架和所述第二框架之间;发光器件,所述发光器件包括第一电极和第二电极;以及粘合剂,所述粘合剂布置在所述本体和所述发光器件之间,其中,第一开口部和第二开口部设置成分别贯穿所述第一框架和所述第二框架的上表面及下表面,其中,所述本体包括凹部,所述凹部从所述本体的上表面朝着所述本体的下表面凹进地设置,其中,所述粘合剂布置在所述凹部中,其中,所述第一电极布置在所述第一开口部上,并且其中,所述第二电极布置在所述第二开口部上。2.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述粘合剂与所述本体的上表面及所述发光器件的下表面直接接触。3.根据权利要求1所述的发光器件封装,还包括:第一导电层,所述第一导电层设置在所述第一开口部中,同时与所述第一电极的下表面直接接触;和第二导电层,所述第二导电层设置在所述第二开口部中,同时与所述第二电极的下表面直接接触。4.根据权利要求3所述的发光器件封装,其中,所述第一导电层包括:第一上导电层,所述第一上导电层设置在所述第一开口部的上部区域中;和第一下导电层,所述第一下导电层设置在所述第一开口部的下部区域中,并且所述第一上导电层和所述第一下导电层包括相互不同的材料。5.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述第一框架和所述第二框架是导...
【专利技术属性】
技术研发人员:李太星,宋俊午,任仓满,
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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