薄膜晶体管及其制备方法、基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、基板及其制备方法、显示装置，涉及薄膜晶体管技术领域，可解决有源层的制备工序繁琐的问题。薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底上形成有源层；在衬底上形成有源层包括：在衬底上形成第一半导体图案，第一半导体图案划分为多个半导体图案子区；在第一半导体图案上形成阻挡层；阻挡层中与第一半导体图案在衬底上的正投影重叠的部分划分为多个第一子阻挡单元，多个第一子阻挡单元的厚度不完全相同；任一个第一子阻挡单元与一个半导体图案子区对应，相互对应的第一子阻挡单元与半导体图案子区在衬底上的正投影重叠；向阻挡层背离第一半导体图案的一侧注入离子；去除阻挡层。用于制备薄膜晶体管的有源层。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及薄膜晶体管
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
目前，在制作薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)的有源层时，常需要对半导体图案的不同位置进行多次不同剂量(Dose)或浓度的掺杂，以改善薄膜晶体管的电学性能。如图1所示，薄膜晶体管的有源层100包括重掺杂区101、轻掺杂区102以及沟道区103。由于重掺杂区101、轻掺杂区102以及沟道区103掺杂的离子剂量不同，重掺杂区101掺杂的离子剂量大于轻掺杂区102掺杂的离子剂量，轻掺杂区102掺杂的离子剂量大于沟道区103掺杂的离子剂量，因而在形成有源层100时，需要对半导体图案的重掺杂区101、轻掺杂区102和沟道区103分别进行离子注入(Doping)。由于不同剂量的掺杂需要进行多次离子注入，从而导致制备有源层的工艺繁琐。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、基板及其制备方法、显示装置，可解决有源层的制备工序繁琐的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成有源层；所述在衬底上形成有源层包括：在所述衬底上形成第一半导体图案，所述第一半导体图案划分为多个半导体图案子区；在所述第一半导体图案上形成阻挡层；所述阻挡层中与所述第一半导体图案在所述衬底上的正投影重叠的部分划分为多个第一子阻挡单元，多个所述第一子阻挡单元的厚度不完全相同；其中，任一个所述第一子阻挡单元与一个所述半导体图案子区对应，且相互对应的所述第一子阻挡单元与所述半导体图案子区在所述衬底上的正投影重叠；向所述阻挡层背离所述第一半导体图案的一侧注入离子；去除所述阻挡层。在一些实施例中，所述阻挡层包括镂空区；所述第一半导体图案中需要注入离子浓度最大的所述半导体图案子区与所述镂空区在所述衬底上的正投影重叠。在一些实施例中，所述阻挡层的材料为光刻胶。在一些实施例中，所述在所述第一半导体图案上形成阻挡层包括：在所述第一半导体图案上形成光刻胶薄膜；利用半色调掩膜板对所述光刻胶薄膜进行掩膜曝光，显影后形成所述阻挡层，所述阻挡层中多个所述第一子阻挡单元的厚度不完全相同。在一些实施例中，多个所述半导体图案子区包括沟道区和位于所述沟道区两侧的第一掺杂区；所述第一掺杂区用于与源极或漏极接触；所述沟道区注入的离子浓度小于所述第一掺杂区注入的离子浓度；与所述沟道区对应的所述第一子阻挡单元的厚度大于与所述第一掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度。在一些实施例中，与所述沟道区对应的所述第一子阻挡单元的厚度范围为和/或，与所述第一掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度为0。在一些实施例中，多个所述半导体图案子区还包括第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区和所述沟道区之间；所述第二掺杂区注入的离子浓度大于所述沟道区注入的离子浓度，且小于所述第一掺杂区注入的离子浓度；与所述第二掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度小于与所述沟道区对应的所述第一子阻挡单元的厚度，且大于与所述第一掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度。在一些实施例中，与所述第二掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度范围为第二方面，提供一种基板的制备方法，利用上述的薄膜晶体管的制备方法在衬底上形成多个薄膜晶体管。在一些实施例中，每个第一半导体图案的多个半导体图案子区包括沟道区和位于所述沟道区两侧的第一掺杂区；所述第一掺杂区用于与源极或漏极接触；其中，与多个所述第一半导体图案的所述沟道区一一对应的多个所述第一子阻挡单元的厚度不完全相同。在一些实施例中，所述基板的制备方法还包括：在衬底上形成多个第一半导体图案的同时，在所述衬底上形成多个第二半导体图案；所述阻挡层还包括多个第二子阻挡单元，任一个所述第二子阻挡单元与一个所述第二半导体图案在衬底上的正投影重叠；其中，所述第二半导体图案被注入离子后用于作为存储电容的一个电极。在一些实施例中，与所述第二半导体图案对应的所述第二子阻挡单元的厚度范围为第三方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管利用上述的薄膜晶体管的制备方法制备得到。第四方面，提供一种基板，所述基板利用上述的基板的制备方法制备得到。第五方面，提供一种显示装置，包括上述的基板。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、基板及其制备方法、显示装置，在制作有源层时，在衬底上形成第一半导体图案后，在第一半导体图案上形成阻挡层，阻挡层中与第一半导体图案在衬底上的正投影重叠的部分划分为多个第一子阻挡单元，多个第一子阻挡单元的厚度不完全相同，且任一个第一子阻挡单元与一个半导体图案子区对应，在对同一浓度的离子进行离子注入时，由于阻挡层的厚度与注入到第一半导体图案中离子的剂量成反比，而多个第一子阻挡单元的厚度不完全相同，因而进行离子注入时，注入到多个半导体图案子区上的离子剂量不完全相同。基于此，本专利技术实施例只需要进行一次离子注入就可以在第一半导体图案的不同位置注入不同剂量的离子，相对于相关技术，在制作有源层时需要进行多次离子注入，因而本专利技术实施例简化了有源层的制作工艺，提高了生产效率。此外，本专利技术实施例在进行离子注入时，只需要形成一次阻挡层，离子注入完成后去除一次阻挡层即可，因而进一步简化了有源层的制作工艺。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的一种对薄膜晶体管的有源层的不同位置进行不同浓度掺杂的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种电致发光显示面板或光致发光显示面板的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种有源层的制备方法的流程示意图；图6a为本专利技术实施例提供的一种在衬底上形成第一半导体图案的结构示意图一；图6b为本专利技术实施例提供的一种在衬底上形成第一半导体图案的结构示意图二；图7a为本专利技术实施例提供的一种在第一半导体图案上形成阻挡层的结构示意图一；图7b为本专利技术实施例提供的一种在第一半导体图案上形成阻挡层的结构示意图二；图8a为本专利技术实施例提供的一种对第一半导体图案进行离子注入的结构示意图一；图8b为本专利技术实施例提供的一种对第一半导体图案进行离子注入的结构示意图二；图9为本专利技术实施例提供的一种形成有源层的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种在第一半导体图案上形成光刻胶薄膜的结构示意图；图11为本专利技术实施例提供的一种利用半色调掩膜板对光刻胶薄膜进行掩膜曝光的结构示意图；图12为本专利技术实施例提供的一种在第一半导体图案和阻挡层之间形成栅绝缘层的结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种在衬底上形成第一半导体图案和第二半导体图案的结构示意图。附图标记：1-框架；2-盖板玻璃；3-显示面板；4-电路板；10-薄膜晶体管；20-像素电极；30-公共电极；31-阵列基板；310-第一衬底；32-对盒基板；320-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成有源层；所述在衬底上形成有源层包括：在所述衬底上形成第一半导体图案，所述第一半导体图案划分为多个半导体图案子区；在所述第一半导体图案上形成阻挡层；所述阻挡层中与所述第一半导体图案在所述衬底上的正投影重叠的部分划分为多个第一子阻挡单元，多个所述第一子阻挡单元的厚度不完全相同；其中，任一个所述第一子阻挡单元与一个所述半导体图案子区对应，且相互对应的所述第一子阻挡单元与所述半导体图案子区在所述衬底上的正投影重叠；向所述阻挡层背离所述第一半导体图案的一侧注入离子；去除所述阻挡层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成有源层；所述在衬底上形成有源层包括：在所述衬底上形成第一半导体图案，所述第一半导体图案划分为多个半导体图案子区；在所述第一半导体图案上形成阻挡层；所述阻挡层中与所述第一半导体图案在所述衬底上的正投影重叠的部分划分为多个第一子阻挡单元，多个所述第一子阻挡单元的厚度不完全相同；其中，任一个所述第一子阻挡单元与一个所述半导体图案子区对应，且相互对应的所述第一子阻挡单元与所述半导体图案子区在所述衬底上的正投影重叠；向所述阻挡层背离所述第一半导体图案的一侧注入离子；去除所述阻挡层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述阻挡层包括镂空区；所述第一半导体图案中需要注入离子浓度最大的所述半导体图案子区与所述镂空区在所述衬底上的正投影重叠。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为光刻胶。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一半导体图案上形成阻挡层包括：在所述第一半导体图案上形成光刻胶薄膜；利用半色调掩膜板对所述光刻胶薄膜进行掩膜曝光，显影后形成所述阻挡层，所述阻挡层中多个所述第一子阻挡单元的厚度不完全相同。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，多个所述半导体图案子区包括沟道区和位于所述沟道区两侧的第一掺杂区；所述第一掺杂区用于与源极或漏极接触；所述沟道区注入的离子浓度小于所述第一掺杂区注入的离子浓度；与所述沟道区对应的所述第一子阻挡单元的厚度大于与所述第一掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，与所述沟道区对应的所述第一子阻挡单元的厚度范围为和/或，与所述第一掺杂区对应的所述第一子阻挡单元的厚度为0。7.根据权利要求5或6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭雄，左丞，党康鹏，陈宏，秦鹏，金钟，饶杨，王博，罗仲丽，刘腾，唐元生，黄世飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11