TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法技术

TFT基板(105)的源极端子部(ST)具有包含于栅极金属层(3)的源极端子用下部连接部(3sA)和包含于导电层(19)的源极端子用上部连接部(19sA)。源极栅极连接部(SG)具有：源极下部连接配线(3sg)，其包含于栅极金属层，连接到源极端子用下部连接部；源极总线连接部(7sg)，其包含于源极金属层(7)，连接到源极总线(SL)；以及源极上部连接部(19sg)，其包含于导电层，源极上部连接部在形成于栅极绝缘层(4)的第3开口部(4sg1)内与源极下部连接配线接触，在形成于层间绝缘层(11)的第5开口部(11sg2)内与源极总线连接部接触。

Manufacturing Method of TFT Substrate, Scanning Antenna with TFT Substrate and TFT Substrate

The source terminal part (ST) of the TFT substrate (105) has a lower connection part (3sA) for the source terminal contained in the gate metal layer (3) and an upper connection part (19sA) for the source terminal contained in the conductive layer (19). The source gate connection part (SG) includes: the lower connection wiring (3sg) of the source electrode, which is connected to the lower connection part of the source terminal; the source bus connection part (7sg), which is contained in the source metal layer (7), connected to the source bus (SL); and the upper connection part (19sg) of the source electrode, which is contained in the conductive layer, and the upper connection part of the source electrode is formed in the third open part of the gate insulation layer (4). The outlet (4sg1) is in contact with the lower connection wiring of the source, and the source bus connection part is in contact with the fifth opening (11sg2) formed in the interlayer insulation layer (11).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法
本专利技术涉及扫描天线，特别是涉及天线单位(有时也称为“元件天线”。)具有液晶电容的扫描天线(有时也称为“液晶阵列天线”。)，这种扫描天线所使用的TFT基板以及这种TFT基板的制造方法。
技术介绍
移动体通信或卫星广播用天线需要能改变波束的方向(被称为“波束扫描”或者“波束定向(beamsteering)”。)的功能。作为具有这种功能的天线(以下称为“扫描天线(scannedantenna)”。)，已知具备天线单位的相控阵列天线。但是，现有的相控阵天线的价格高，这成为向消费品普及的障碍。特别是，当天线单位的数量增加时，成本会显著上升。因此，已提出利用了液晶材料(包括向列液晶、高分子分散液晶)的大的介电各向异性(双折射率)的扫描天线(专利文献1～5和非专利文献1)。液晶材料的介电常数具有频率分散性，因此在本说明书中将微波的频带中的介电常数(有时也称为“相对于微波的介电常数”。)特别标记为“介电常数M(εM)”。在专利文献3和非专利文献1中，记载了通过利用液晶显示装置(以下称为“LCD”。)的技术能得到价格低的扫描天线。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2007-116573号公报专利文献2：特开2007-295044号公报专利文献3：特表2009-538565号公报专利文献4：特表2013-539949号公报专利文献5：国际公开第2015/126550号非专利文献非专利文献1：R.A.Stevensonetal.，“RethinkingWirelessCommunications：AdvancedAntennaDesignusingLCDTechnology”，SID2015DIGEST，pp.827-830.非专利文献2：M.ANDOetal.，“ARadialLineSlotAntennafor12GHzSatelliteTVReception”，IEEETransactionsofAntennasandPropagation，Vol.AP-33，No.12，pp.1347-1353(1985)。
技术实现思路
专利技术要解决的问题如上所述，虽然已知通过应用LCD技术来实现价格低的扫描天线这样的想法，但是没有具体地记载了利用LCD技术的扫描天线的结构、其制造方法以及其驱动方法的文献。因此，本专利技术的目的在于提供能利用现有的LCD的制造技术批量生产的扫描天线、这种扫描天线所使用的TFT基板以及这种TFT基板的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术的实施方式的TFT基板具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域，上述多个天线单位区域各自具有TFT和连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极，上述TFT基板具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域，在上述TFT基板中，具有：栅极金属层，其支撑于上述电介质基板，包含上述TFT的栅极电极和连接到上述栅极电极的栅极总线；栅极绝缘层，其形成于上述栅极金属层上；源极金属层，其形成于上述栅极绝缘层上，包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极、连接到上述源极电极的源极总线、以及上述贴片电极；层间绝缘层，其形成于上述源极金属层上；以及导电层，其形成于上述层间绝缘层上，上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的源极端子部和源极栅极连接部，上述源极端子部具有：源极端子用下部连接部，其包含于上述栅极金属层；第1开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述源极端子用下部连接部；第2开口部，其形成于上述层间绝缘层，在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第1开口部重叠；以及源极端子用上部连接部，其形成于上述层间绝缘层上，包含于上述导电层，上述源极端子用上部连接部在上述第1开口部内与上述源极端子用下部连接部接触，上述源极栅极连接部具有：源极下部连接配线，其包含于上述栅极金属层，连接到上述源极端子用下部连接部；第3开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述源极下部连接配线；源极总线连接部，其包含于上述源极金属层，连接到上述源极总线；第4开口部，其形成于上述层间绝缘层，在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第3开口部重叠；第5开口部，其形成于上述层间绝缘层，到达上述源极总线连接部；以及源极上部连接部，其形成于上述层间绝缘层上，包含于上述导电层，上述源极上部连接部在上述第3开口部内与上述源极下部连接配线接触，在上述第5开口部内与上述源极总线连接部接触。在某实施方式中，上述导电层包含透明导电层。在某实施方式中，上述导电层包括：第1导电层，其包含透明导电层；以及第2导电层，其形成于上述第1导电层之下，由从包括Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoW层、W层以及Ta层的群中选择的至少1个层形成。在某实施方式中，上述第1开口部的侧面与上述第2开口部的侧面是对齐的。在某实施方式中，上述第3开口部的侧面与上述第4开口部的侧面是对齐的。在某实施方式中，上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的栅极端子部，上述栅极端子部具有：栅极端子用下部连接部，其包含于上述栅极金属层，连接到上述栅极总线；第6开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述栅极端子用下部连接部；第7开口部，其形成于上述层间绝缘层，在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第6开口部重叠；以及栅极端子用上部连接部，其形成于上述层间绝缘层上，包含于上述导电层，上述栅极端子用上部连接部在上述第6开口部内与上述栅极端子用下部连接部接触。在某实施方式中，上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的传输端子部，上述传输端子部具有：传输端子用下部连接部，其包含于上述栅极金属层；第8开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述传输端子用下部连接部；第9开口部，其形成于上述层间绝缘层，在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第8开口部重叠；以及传输端子用上部连接部，其形成于上述层间绝缘层上，包含于上述导电层，上述传输端子用上部连接部在上述第8开口部内与上述传输端子用下部连接部接触。在某实施方式中，在从上述电介质基板的法线方向观看时，上述第8开口部位于上述传输端子用下部连接部的内侧。在某实施方式中，在从上述电介质基板的法线方向观看时，上述传输端子用上部连接部在上述第8开口部内包含与上述传输端子用下部连接部不重叠的部分。在某实施方式中，上述传输端子用下部连接部中的、位于上述第8开口部内的部分被上述传输端子用上部连接部覆盖。在某实施方式中，在上述源极金属层和上述导电层之间以及上述导电层上不具有另外的导电层。在某实施方式中，配置于上述非发送接收区域的端子部不包括上述源极金属层所包含的导电部。本专利技术的实施方式的扫描天线具备：上述的任意一种TFT基板；缝隙基板，其以与上述TFT基板相对的方式配置；液晶层，其设置于上述TFT基板与上述缝隙基板之间；以及反射导电板，其以隔着电介质层与上述缝隙基板的与上述液晶层相反的一侧的表面相对的方式配置，上述缝隙基板具有其它电介质基板和形成于上述其它电介质基板的上述液晶层侧的表面的缝隙电极，上述缝隙电极具有多个缝隙，上述多个缝隙与上述TFT基板的上述多个天线单位区域中的上述贴片电极对应配置。本专利技术的实施方式的TFT基板的制造方法是上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT基板，具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域，上述多个天线单位区域各自具有TFT和连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极，上述TFT基板具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域，上述TFT基板的特征在于，具有：栅极金属层，其支撑于上述电介质基板，包含上述TFT的栅极电极和连接到上述栅极电极的栅极总线；栅极绝缘层，其形成于上述栅极金属层上；源极金属层，其形成于上述栅极绝缘层上，包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极、连接到上述源极电极的源极总线、以及上述贴片电极；层间绝缘层，其形成于上述源极金属层上；以及导电层，其形成于上述层间绝缘层上，上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的源极端子部和源极栅极连接部，上述源极端子部具有：源极端子用下部连接部，其包含于上述栅极金属层；第1开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述源极端子用下部连接部；第2开口部，其形成于上述层间绝缘层，在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第1开口部重叠；以及源极端子用上部连接部，其形成于上述层间绝缘层上，包含于上述导电层，上述源极端子用上部连接部在上述第1开口部内与上述源极端子用下部连接部接触，上述源极栅极连接部具有：源极下部连接配线，其包含于上述栅极金属层，连接到上述源极端子用下部连接部；第3开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述源极下部连接配线；源极总线连接部，其包含于上述源极金属层，连接到上述源极总线；第4开口部，其形成于上述层间绝缘层，在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第3开口部重叠；第5开口部，其形成于上述层间绝缘层，到达上述源极总线连接部；以及源极上部连接部，其形成于上述层间绝缘层上，包含于上述导电层，上述源极上部连接部在上述第3开口部内与上述源极下部连接配线接触，在上述第5开口部内与上述源极总线连接部接触。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.09 JP 2016-2187171.一种TFT基板，具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域，上述多个天线单位区域各自具有TFT和连接到上述TFT的漏极电极的贴片电极，上述TFT基板具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域，上述TFT基板的特征在于，具有：栅极金属层，其支撑于上述电介质基板，包含上述TFT的栅极电极和连接到上述栅极电极的栅极总线；栅极绝缘层，其形成于上述栅极金属层上；源极金属层，其形成于上述栅极绝缘层上，包含上述TFT的源极电极、上述漏极电极、连接到上述源极电极的源极总线、以及上述贴片电极；层间绝缘层，其形成于上述源极金属层上；以及导电层，其形成于上述层间绝缘层上，上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的源极端子部和源极栅极连接部，上述源极端子部具有：源极端子用下部连接部，其包含于上述栅极金属层；第1开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述源极端子用下部连接部；第2开口部，其形成于上述层间绝缘层，在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第1开口部重叠；以及源极端子用上部连接部，其形成于上述层间绝缘层上，包含于上述导电层，上述源极端子用上部连接部在上述第1开口部内与上述源极端子用下部连接部接触，上述源极栅极连接部具有：源极下部连接配线，其包含于上述栅极金属层，连接到上述源极端子用下部连接部；第3开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述源极下部连接配线；源极总线连接部，其包含于上述源极金属层，连接到上述源极总线；第4开口部，其形成于上述层间绝缘层，在从上述电介质基板的法线方向观看时与上述第3开口部重叠；第5开口部，其形成于上述层间绝缘层，到达上述源极总线连接部；以及源极上部连接部，其形成于上述层间绝缘层上，包含于上述导电层，上述源极上部连接部在上述第3开口部内与上述源极下部连接配线接触，在上述第5开口部内与上述源极总线连接部接触。2.根据权利要求1所述的TFT基板，上述导电层包含透明导电层。3.根据权利要求1或2所述的TFT基板，上述导电层包括：第1导电层，其包含透明导电层；以及第2导电层，其形成于上述第1导电层之下，由从包括Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoW层、W层以及Ta层的群中选择的至少1个层形成。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的TFT基板，上述第1开口部的侧面与上述第2开口部的侧面是对齐的。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的TFT基板，上述第3开口部的侧面与上述第4开口部的侧面是对齐的。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的TFT基板，上述TFT基板具有配置于上述非发送接收区域的栅极端子部，上述栅极端子部具有：栅极端子用下部连接部，其包含于上述栅极金属层，连接到上述栅极总线；第6开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述栅极端子用下部连接部；第7开口部，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：美崎克纪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP