The invention discloses a method for manufacturing a docking coupling detector and a docking coupling detector. The docking coupling detector includes: the substrate, and passive waveguide region, docking coupling region and absorption region are arranged on the substrate in the same layer in turn along the direction of incident light propagation; the docking coupling region is embedded in the absorption region, coupled with the absorption region, and the cross-section area of the docking coupling region along the direction of incident light propagation decreases gradually. By implementing the docking coupling detector of the invention, the docking coupling region is coupled through docking. By changing the mode distribution of light at the interface between passive waveguide region and absorption region in the existing technology, the light is evenly coupled into the absorption region through the coupling region, thus solving the problem of premature saturation of the docking coupling detector. This method can significantly improve the saturated output power of the docking coupling detector while maintaining the high coupling efficiency and high bandwidth of the docking coupling detector. Rate.
【技术实现步骤摘要】
一种对接耦合型探测器和对接耦合型探测器的制作方法
本专利技术涉及光电集成
,具体涉及一种对接耦合型探测器和对接耦合型探测器的制作方法。
技术介绍
在集成波导的硅光电子系统中,解决光的探测是首要的任务。近年来,围绕着探测器研发了多种技术,例如将III-V族探测器bonding到Si衬底上。但随着Si基外延Ge技术的愈加成熟,Si基Ge探测器的工艺因与CMOS工艺兼容而在近红外探测领域中表现出很强的优势,进而被广泛研究。对于Ge探测器来说,光从SOI波导耦合到Ge探测器的方式主要有两种:倏逝耦合和对接耦合。倏逝耦合型探测器的特点是光吸收较均匀,但耦合效率较低,且需较长的探测器进行光的吸收,因此RC时间常数较大;相比之下,对接耦合型探测器的特点是光的高效耦合,仅需较短的探测器即可吸收大部分光强,因此RC时间常数较小,探测器小信号带宽较高,但对接耦合型探测器最主要的弊端在于探测器中吸收区与无源波导区的对接界面附近光吸收太强,从而导致探测器过早进入饱和状态,使得对接耦合型探测器饱和输出功率过小。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供了一种对接耦合型探测器和对接耦合型探测器的制作方法,以解决现有技术中的对接耦合型探测器饱和电流过小的问题。根据第一方面,本专利技术实施例提供了一种对接耦合型探测器,包括:衬底,以及沿入射光传播方向在所述衬底上依次同层设置有无源波导区,对接耦合区和吸收区;所述对接耦合区嵌入所述吸收区,与所述吸收区耦合;所述对接耦合区所述沿入射光传播方向上的截面积逐渐变小。结合第一方面,在第一方面第一实施方式中,所述对接耦合区与所述无源波导区为一体 ...
【技术保护点】
1.一种对接耦合型探测器,其特征在于,包括:衬底,以及沿入射光传播方向在所述衬底上依次同层设置有无源波导区,对接耦合区和吸收区;所述对接耦合区嵌入所述吸收区,与所述吸收区耦合;所述对接耦合区沿所述入射光传播方向上的截面积逐渐变小。
【技术特征摘要】
1.一种对接耦合型探测器,其特征在于,包括:衬底,以及沿入射光传播方向在所述衬底上依次同层设置有无源波导区,对接耦合区和吸收区;所述对接耦合区嵌入所述吸收区,与所述吸收区耦合;所述对接耦合区沿所述入射光传播方向上的截面积逐渐变小。2.根据权利要求1所述的接耦合型探测器,其特征在于,所述对接耦合区与所述无源波导区为一体结构。3.根据权利要求1所述的接耦合型探测器,其特征在于,沿所述入射光方向所述对接耦合区嵌入所述吸收区的长度为所述吸收区总长度的10%-30%。4.根据权利要求1所述的接耦合型探测器,其特征在于,在平行于所述衬底的平面内沿垂直于所述入射光方向所述对接耦合区与所述吸收区耦合的一端的宽度为所述吸收区宽度的5%-30%。5.根据权利要求1所述的接耦合型探测器,其特征在于,所述无源波导区,对接耦合区和吸收区在垂直于所述衬底方向的高度相等。6.根据权利要求1所述的接耦合型探测器,其特征在于,所述对接耦合区在所述衬底上的投影为梯形或半圆形。7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙思维,
申请(专利权)人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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