一种双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法技术

本发明专利技术公开了公开了一种双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，包括以下几个步骤：（一）制绒；（二）扩散：晶体硅扩散；（三）激光掺杂：对扩散后的晶体硅进行激光掺杂；（四）刻蚀：除去扩散后的硼磷硅玻璃；（五）背钝化：生产出SiO2‑Al2O3‑SiNx∶H叠层钝化膜，厚度为80‑100nm；（六）正面镀膜：采用PECVD技术，生成SiO2‑SiNx减反膜，厚度为80‑90nm；（七）背面激光掺杂及开槽：形成相应的P++层，激光掺杂区副栅线线宽为40‑45μm，根数为120根以及复合1.6mm主栅；（八）背面印刷：形成背面铝栅线图形，收集电流，再经过烧结，即可形成双面PERC高效晶硅太阳能电池。

A Fabrication Method of Double-sided PERC High Efficiency Crystalline Silicon Solar Cell

The invention discloses a manufacturing method of double-sided PERC high-efficiency crystalline silicon solar cells, which includes the following steps: (1) making velvet; (2) diffusion: crystalline silicon diffusion; (3) laser doping: laser doping of crystalline silicon after diffusion; (4) etching: removal of diffused borosilicate glass; (5) back passivation: production of SiO 2 Al2O3 SiNx H stack. Passivation film with thickness of 80 100 nm; (6) Frontal coating: SiO 2 SiNx antireflective film with thickness of 80 90 nm was formed by PECVD technology; (7) Laser doping and slotting on the back side: forming corresponding P++ layer, the width of the secondary grating line in the laser doping area is 40 45 um, the root number is 120 and the composite main grating is 1.6 mm; (8) Back printing: forming the pattern of the aluminum grating line on the back side, collecting the current. After sintering, double-sided PERC high-efficiency crystalline silicon solar cells can be formed.

【技术实现步骤摘要】
一种双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法
本专利技术涉及太阳能电池生产制造
，具体的说是涉及一种双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，人们的目光已经集中在太阳能上。太阳能作为一种取之不尽用之不竭的能源形态，正逐渐走入我们的日常生活当中。目前，硅基太阳能电池是市场上用得最多的电池，其高效的发电效率、成熟的生产工艺使光伏平价上网成为现实。然而，随着技术的发展，PERC电池即钝化发射极背面接触太阳能电池，受到了广泛的关注。现有的单面PERC电池，通过印刷将铝浆印刷在硅片的整个背面，铝层整个覆盖在激光刻蚀线上，在激光刻蚀线区域形成局域铝硅合金层，而在没有激光刻蚀线的地方只是简单的覆盖在钝化膜层上，由于全铝背场不透光，这样就导致整个背面不能接受光照实现背面发电，只能正面吸收光能实现单面发电，增加了生产成本且制作好的电池利用率低，无法达到预想的工作效率，为了提高工作效率，降低生产成本，省时省力，高效节能，本专利技术提出了一种双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，针对以上现有技术存在的缺点提出一种双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，不仅提高了工作效率，降低了生产成本，而且省时省力，高效节能。本专利技术解决以上技术问题的技术方案是：一种双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，该方法包括以下几个步骤：（一）预先对晶体硅进行制绒；（二）扩散：晶体硅扩散，扩散生成方阻为90-100Ω/□；（三）激光掺杂：对扩散后的晶体硅进行激光掺杂，从而形成相应的N++层，激光掺杂区副栅线线宽为70-90μm，根数为108根；主栅线垂直于副栅线，单条主栅线宽为0.7mm；（四）刻蚀：除去扩散后的硼磷硅玻璃，背面反射率控制在25-28%；（五）背钝化：生产出SiO2-Al2O3-SiNx∶H叠层钝化膜，厚度为80-100nm；（六）正面镀膜：采用PECVD技术，生成SiO2-SiNx减反膜，厚度为80-90nm；（七）背面激光掺杂及开槽：形成相应的P++层，激光掺杂区副栅线线宽为40-45μm，根数为120根以及复合1.6mm主栅；（八）背面印刷：形成背面铝栅线图形，收集电流，再经过烧结，即可形成双面PERC高效晶硅太阳能电池。本专利技术进一步限定的技术方案是：前述的双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，步骤（一）中制绒后硅片表面反射率控制在11-15%。前述的双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，该方法适用于所有P型双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作。前述的双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，该方法包括以下几个步骤：（一）预先对晶体硅进行制绒；（二）扩散：晶体硅扩散，扩散生成方阻在90Ω/□；（三）激光掺杂：对扩散后的晶体硅进行激光掺杂，从而形成相应的N++层，激光掺杂区副栅线线宽为70μm，根数为108根；主栅线垂直于副栅线，单条主栅线宽为0.7mm；（四）刻蚀：除去扩散后的硼磷硅玻璃，背面反射率控制在25%；（五）背钝化：生产出SiO2-Al2O3-SiNx∶H叠层钝化膜，厚度为80nm；（六）正面镀膜：采用PECVD技术，生成SiO2-SiNx减反膜，厚度为80nm；（七）背面激光掺杂及开槽：形成相应的P++层，激光掺杂区副栅线线宽为40μm，根数为120根以及复合1.6mm主栅；（八）背面印刷：形成背面铝栅线图形，收集电流，再经过烧结，即可形成双面PERC高效晶硅太阳能电池。前述的双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，该方法包括以下几个步骤：（一）预先对晶体硅进行制绒；（二）扩散：晶体硅扩散，扩散生成方阻为100Ω/□；（三）激光掺杂：对扩散后的晶体硅进行激光掺杂，从而形成相应的N++层，激光掺杂区副栅线线宽为90μm，根数为108根；主栅线垂直于副栅线，单条主栅线宽为0.7mm；（四）刻蚀：除去扩散后的硼磷硅玻璃，背面反射率控制在28%；（五）背钝化：生产出SiO2-Al2O3-SiNx∶H叠层钝化膜，厚度为100nm；（六）正面镀膜：采用PECVD技术，生成SiO2-SiNx减反膜，厚度为90nm；（七）背面激光掺杂及开槽：形成相应的P++层，激光掺杂区副栅线线宽为45μm，根数为120根以及复合1.6mm主栅；（八）背面印刷：形成背面铝栅线图形，收集电流，再经过烧结，即可形成双面PERC高效晶硅太阳能电池。前述的双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，该方法包括以下几个步骤：（一）预先对晶体硅进行制绒；（二）扩散：晶体硅扩散，扩散生成方阻为95Ω/□；（三）激光掺杂：对扩散后的晶体硅进行激光掺杂，从而形成相应的N++层，激光掺杂区副栅线线宽为80μm，根数为108根；主栅线垂直于副栅线，单条主栅线宽为0.7mm；（四）刻蚀：除去扩散后的硼磷硅玻璃，背面反射率控制在26%；（五）背钝化：生产出SiO2-Al2O3-SiNx∶H叠层钝化膜，厚度为90nm；（六）正面镀膜：采用PECVD技术，生成SiO2-SiNx减反膜，厚度为85nm；（七）背面激光掺杂及开槽：形成相应的P++层，激光掺杂区副栅线线宽为42μm，根数为120根以及复合1.6mm主栅；（八）背面印刷：形成背面铝栅线图形，收集电流，再经过烧结，即可形成双面PERC高效晶硅太阳能电池。采用本专利技术的技术方案有益效果是：通过本专利技术的技术方案，改变了背面的铝背场结构，将原来的全铝背场结构改成铝栅线结构，使铝浆没有覆盖的地方也能接受光照实现背面发电，增加单个电池片的发电量。双面PERC电池背面通过精密印刷使铝栅线完全覆盖在背面激光刻蚀线上，从而实现铝浆在局部区域与硅形成欧姆接触将电池内部产生的电子导出，最终通过铝栅线将电子汇集到背面电极，从而实现背面发电，同时也能提高正面的开路电压Uoc和短路电流Isc，进一步提高单片电池片的发电量，相比常规工艺制造成本降低5%左右，太阳能电池转换效率提升18%，极大的提升了双面PERC晶体硅太阳能电池的转化效率，降低了制造成本，省时省力，高效节能，并且该技术方案步骤简单，操作方便。附图说明图1为专利技术中双面PERC高效晶硅太阳能电池正面示意图；图2为本专利技术中双面PERC高效晶硅太阳能电池背面示意图。具体实施方式实施例1本实施例提供一种双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，该方法适用于所有P型双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作且包括以下几个步骤：（一）预先对晶体硅进行制绒，制绒后硅片表面反射率控制在11%；（二）扩散：晶体硅扩散，扩散生成方阻在90Ω/□；（三）激光掺杂：对扩散后的晶体硅进行激光掺杂，从而形成相应的N++层，激光掺杂区副栅线线宽为70μm，根数为108根；主栅线垂直于副栅线，单条主栅线宽为0.7mm；（四）刻蚀：除去扩散后的硼磷硅玻璃，背面反射率控制在25%；（五）背钝化：生产出SiO2-Al2O3-SiNx∶H叠层钝化膜，厚度为80nm；（六）正面镀膜：采用PECVD技术，生成SiO2-SiNx减反膜，厚度为80nm；（七）背面激光掺杂及开槽：形成相应的P++层，激光掺杂区副栅线线宽为40μm，根数为120根以及复合1.6mm主栅；（八）背面印刷：形成背面铝栅线图形，收集电流，再经过烧结，即可形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：该方法包括以下几个步骤：（一）预先对晶体硅进行制绒；（二）扩散：晶体硅扩散，扩散生成方阻为90‑100Ω/□；（三）激光掺杂：对扩散后的晶体硅进行激光掺杂，从而形成相应的N++层，激光掺杂区副栅线线宽为70‑90μm，根数为108根；主栅线垂直于副栅线，单条主栅线宽为0.7mm；（四）刻蚀：除去扩散后的硼磷硅玻璃，背面反射率控制在25‑28%；（五）背钝化：生产出SiO2‑ Al2O3‑SiNx∶H叠层钝化膜，厚度为80‑100nm；（六）正面镀膜：采用PECVD技术，生成SiO2‑ SiNx减反膜，厚度为80‑90nm；（七）背面激光掺杂及开槽：形成相应的P++层，激光掺杂区副栅线线宽为40‑45μm，根数为120根以及复合1.6mm主栅；（八）背面印刷：形成背面铝栅线图形，收集电流，再经过烧结，即可形成双面PERC高效晶硅太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：该方法包括以下几个步骤：（一）预先对晶体硅进行制绒；（二）扩散：晶体硅扩散，扩散生成方阻为90-100Ω/□；（三）激光掺杂：对扩散后的晶体硅进行激光掺杂，从而形成相应的N++层，激光掺杂区副栅线线宽为70-90μm，根数为108根；主栅线垂直于副栅线，单条主栅线宽为0.7mm；（四）刻蚀：除去扩散后的硼磷硅玻璃，背面反射率控制在25-28%；（五）背钝化：生产出SiO2-Al2O3-SiNx∶H叠层钝化膜，厚度为80-100nm；（六）正面镀膜：采用PECVD技术，生成SiO2-SiNx减反膜，厚度为80-90nm；（七）背面激光掺杂及开槽：形成相应的P++层，激光掺杂区副栅线线宽为40-45μm，根数为120根以及复合1.6mm主栅；（八）背面印刷：形成背面铝栅线图形，收集电流，再经过烧结，即可形成双面PERC高效晶硅太阳能电池。2.根据权利要求1所述的双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的步骤（一）中制绒后硅片表面反射率控制在11-15%。3.根据权利要求1所述的双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：该方法适用于所有P型双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作。4.根据权利要求1所述的双面PERC高效晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：该方法包括以下几个步骤：（一）预先对晶体硅进行制绒；（二）扩散：晶体硅扩散，扩散生成方阻在90Ω/□；（三）激光掺杂：对扩散后的晶体硅进行激光掺杂，从而形成相应的N++层，激光掺杂区副栅线线宽为70μm，根数为108根；主栅线垂直于副栅线，单条主栅线宽为0.7mm；（四）刻蚀：除去扩散后的硼磷硅玻璃，背面反射率控制在25%；（五）背钝化：生产出SiO2-Al2O3-SiNx∶H叠层钝化膜，厚度为80nm；（六）正面镀膜：采用PECVD技术，生成SiO2-SiNx减反膜，厚度为80nm；（七）背面激光掺杂及开槽：形成相应的P++层，激光掺杂区副栅线线宽为...

【专利技术属性】
技术研发人员：赫汉，马建峰，葛祖荣，
申请(专利权)人：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32