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本发明公开了一种对接耦合型探测器和对接耦合型探测器的制作方法。该对接耦合型探测器包括：衬底，以及沿入射光传播方向在衬底上依次同层设置有无源波导区，对接耦合区和吸收区；对接耦合区嵌入吸收区，与吸收区耦合，对接耦合区沿入射光传播方向上的截面积逐...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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