半导体加工用片制造技术

本发明专利技术提供一种半导体加工用片，其至少具备基材，其复原率为70％以上、100％以下；或在23℃下沿基材的MD方向测定的100％应力相对于在23℃下沿基材的CD方向测定的100％应力的比为0.8以上、1.2以下；或在23℃下沿基材的MD方向及CD方向测定的拉伸弹性模量分别为10MPa以上、350MPa以下，且在23℃下沿基材的MD方向及CD方向测定的100％应力分别为3MPa以上、20MPa以下，且在23℃下沿基材的MD方向及CD方向测定的断裂伸长率分别为100％以上。该半导体加工用片可大幅延伸，可将半导体芯片彼此充分地分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用片
本专利技术涉及一种半导体加工用片，优选涉及一种用于扩大多个半导体芯片的间隔的半导体加工用片。
技术介绍
近年来，电子设备的小型化、轻量化及高功能化正在不断发展。搭载于电子设备的半导体装置也被要求小型化、薄型化及高密度化。半导体芯片有时安装于接近其尺寸的封装。这样的封装有时也被称为芯片级封装(ChipScalePackage；CSP)。作为CSP之一，可列举出晶圆级封装(WaferLevelPackage；WLP)。在WLP中，在利用切割进行切片之前，在晶圆形成外部电极等，最终将晶圆切割而切片。作为WLP，可列举出扇入(Fan-In)型与扇出(Fan-Out)型。在扇出型的WLP(以下，有时简称为“FO-WLP”)中，以成为较芯片尺寸大的区域的方式利用密封构件覆盖半导体芯片从而形成半导体芯片密封体，不只是在半导体芯片的电路面、也在密封构件的表面区域形成重新布线层或外部电极。例如，专利文献1中记载了一种半导体封装的制造方法，其中，针对由半导体晶圆切片而成的多个半导体芯片，留下其电路形成面，使用铸模构件包围周围而形成扩张晶圆，并使重新布线图案延伸存在于半导体芯片外的区域而形成。专利文献1所述的制造方法中，在用铸模构件包围切片而成的多个半导体芯片之前，换贴于扩展用的晶圆安装胶带(wafermounttape)，使晶圆安装胶带延展而扩大多个半导体芯片之间的距离。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2010/058646号
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题如上所述的FO-WLP的制造方法中，由于在半导体芯片外的区域形成上述的重新布线图案等，需要使半导体芯片彼此充分地分离。本专利技术鉴于如上所述的实际情况而完成，其目的在于提供一种适于需要使半导体芯片彼此充分分离的用途的、可大幅延伸的半导体加工用片。解决技术问题的技术手段为了达成所述目的，第一，本专利技术提供一种半导体加工用片，其至少具备基材，其特征在于，所述半导体加工用片的复原率为70％以上、100％以下，所述复原率为：在将所述半导体加工用片切出为150mm×15mm的试验片中，以使夹具间的长度成为100mm的方式用夹具夹住长度方向的两端，然后，以200mm/min的速度进行拉伸直到夹具间的长度成为200mm，以夹具间的长度扩张为200mm的状态保持1分钟，然后，以200mm/min的速度沿着长度方向恢复直至夹具间的长度成为100mm，以夹具间的长度恢复到100mm的状态保持1分钟，然后，以60mm/min的速度沿着长度方向拉伸，测定拉伸力的测定值显示0.1N/15mm时的夹具间的长度，将从该长度减去初期的夹具间的长度100mm的长度设为L2(mm)、将从所述扩张的状态中的夹具间的长度200mm减去初期夹具间的长度100mm的长度设为L1(mm)时，根据下式(I)算出的值：复原率(％)＝{1-(L2÷L1)}×100…(I)(专利技术1)。根据上述专利技术(专利技术1)，通过使复原率为上述范围，可大幅延伸。因此，可适用于例如FO-WLP的制造之类的需要使半导体芯片彼此充分分离的用途。第二，本专利技术提供一种半导体加工用片，其至少具备基材，其特征在于，在23℃下沿所述基材的MD方向测定的所述半导体加工用片的100％应力相对于在23℃下沿所述基材的CD方向测定的所述半导体加工用片的100％应力的比为0.8以上、1.2以下，所述100％应力为：在将所述半导体加工用片切出为150mm×15mm的试验片中，以使夹具间的长度成为100mm的方式用夹具夹住长度方向的两端，然后，以200mm/min的速度沿着长度方向拉伸，用夹具间的长度成为200mm时的拉伸力的测定值除以半导体加工用片的剖面积而计算得到的值(专利技术2)。根据上述专利技术(专利技术2)，通过使100％应力的比为上述范围，可大幅延伸。因此，可适用于例如FO-WLP的制造之类的需要使半导体芯片彼此充分分离的用途。第三，本专利技术提供一种半导体加工用片，其至少具备基材，其特征在于，在23℃下沿所述基材的MD方向及CD方向测定的所述半导体加工用片的拉伸弹性模量分别为10MPa以上、350MPa以下；在23℃下沿所述基材的MD方向及CD方向测定的所述半导体加工用片的100％应力分别为3MPa以上、20MPa以下；所述100％应力为：在将所述半导体加工用片切出为150mm×15mm的试验片中，以使夹具间的长度成为100mm的方式用夹具夹住长度方向的两端，然后，以200mm/min的速度沿着长度方向，用夹具间的长度成为200mm时的拉伸力的测定值除以半导体加工用片的剖面积而计算得到的值；在23℃下沿所述基材的MD方向及CD方向测定的所述半导体加工用片的断裂伸长率分别为100％以上(专利技术3)。根据上述专利技术(专利技术3)，通过使拉伸弹性模量及断裂伸长率为上述范围，可大幅延伸。因此，可适用于例如FO-WLP的制造之类的需要使半导体芯片彼此充分分离的用途。上述专利技术(专利技术1～3)中，优选进一步具备层叠在所述基材的至少一侧的面上的粘着剂层(专利技术4)。上述专利技术(专利技术1～4)中，优选所述基材含有热塑性弹性体(专利技术5)。上述专利技术(专利技术5)中，优选所述热塑性弹性体为氨基甲酸酯类弹性体(专利技术6)。上述专利技术(专利技术1～6)中，优选用于将层叠于所述半导体加工用片的一面的多个半导体芯片中的相邻的半导体芯片的相互的间隔扩张到200μm以上、6000μm以下(专利技术7)。上述专利技术(专利技术1～7)中，优选可通过在互相正交的X轴及Y轴的+X轴方向、-X轴方向、+Y轴方向及-Y轴方向的四个方向施加张力而将半导体加工用片拉伸，由此用于扩展层叠在所述半导体加工用片的一面的多个半导体芯片的间隔(专利技术8)。上述专利技术(专利技术1～8)中，优选在具备下述工序的半导体装置的制造方法中被用作粘着片，所述工序为：在所述粘着片的一面上设置经切片的多个半导体芯片的工序；及拉伸所述粘着片，扩大所述多个半导体芯片彼此的间隔的工序(专利技术9)。上述专利技术(专利技术1～9)中，优选用于制造扇出型的半导体晶圆级封装(专利技术10)。专利技术效果本专利技术的半导体加工用片能够大幅延伸，并能够将半导体芯片彼此充分地分离。附图说明图1为对本专利技术的一个实施方式的半导体加工用片的使用方法的第一方式进行说明的剖面图。图2为对本专利技术的一个实施方式的半导体加工用片的使用方法的第一方式进行说明的剖面图。图3为对本专利技术的一个实施方式的半导体加工用片的使用方法的第一方式进行说明的剖面图。图4为对本专利技术的一个实施方式的半导体加工用片的使用方法的第二方式进行说明的剖面图。图5为对本专利技术的一个实施方式的半导体加工用片的使用方法的第二方式进行说明的剖面图。图6为对本专利技术的一个实施方式的半导体加工用片的使用方法的第二方式进行说明的剖面图。图7为对本专利技术的一个实施方式的半导体加工用片的使用方法的第二方式进行说明的剖面图。图8为对实施例中使用的双轴延伸扩展装置进行说明的平面图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。本实施方式的半导体加工用片至少具备基材而构成。本实施方式的半导体加工用片的复原率优选为70％以上、100％以下。本说明书中，复原率是指如下所述算出的值。首先，将半导体加工用片切出为150mm×15mm，得到试验片。该切出以半导体加工用片中的基材的MD方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工用片，其至少具备基材，其特征在于，所述半导体加工用片的复原率为70％以上、100％以下，所述复原率为：在将所述半导体加工用片切出为150mm×15mm的试验片中，以使夹具间的长度成为100mm的方式用夹具夹住长度方向的两端，然后，以200mm/min的速度进行拉伸直到夹具间的长度成为200mm，以夹具间的长度扩张为200mm的状态保持1分钟，然后，以200mm/min的速度沿着长度方向恢复直至夹具间的长度成为100mm，以夹具间的长度恢复到100mm的状态保持1分钟，然后，以60mm/min的速度沿着长度方向拉伸，测定拉伸力的测定值显示0.1N/15mm时的夹具间的长度，将从该长度减去初期的夹具间的长度100mm的长度设为L2(mm)、将从处于所述扩张状态的夹具间的长度200mm减去初期夹具间的长度100mm的长度设为L1(mm)时，根据下式(I)算出的值：复原率(％)＝{1‑(L2÷L1)}×100…(I)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.30 JP 2016-1311311.一种半导体加工用片，其至少具备基材，其特征在于，所述半导体加工用片的复原率为70％以上、100％以下，所述复原率为：在将所述半导体加工用片切出为150mm×15mm的试验片中，以使夹具间的长度成为100mm的方式用夹具夹住长度方向的两端，然后，以200mm/min的速度进行拉伸直到夹具间的长度成为200mm，以夹具间的长度扩张为200mm的状态保持1分钟，然后，以200mm/min的速度沿着长度方向恢复直至夹具间的长度成为100mm，以夹具间的长度恢复到100mm的状态保持1分钟，然后，以60mm/min的速度沿着长度方向拉伸，测定拉伸力的测定值显示0.1N/15mm时的夹具间的长度，将从该长度减去初期的夹具间的长度100mm的长度设为L2(mm)、将从处于所述扩张状态的夹具间的长度200mm减去初期夹具间的长度100mm的长度设为L1(mm)时，根据下式(I)算出的值：复原率(％)＝{1-(L2÷L1)}×100…(I)。2.一种半导体加工用片，其至少具备基材，其特征在于，在23℃下沿所述基材的MD方向测定的所述半导体加工用片的100％应力相对于在23℃下沿所述基材的CD方向测定的所述半导体加工用片的100％应力的比为0.8以上、1.2以下，所述100％应力为：在将所述半导体加工用片切出为150mm×15mm的试验片中，以使夹具间的长度成为100mm的方式用夹具夹住长度方向的两端，然后，以200mm/min的速度沿着长度方向拉伸，用夹具间的长度成为200mm时的拉伸力的测定值除以半导体加工用片的剖面积而计算得到的值。3.一种半导体加工用片，其至少具备基材，其特征在于，在23℃下沿所述基材的MD方向及CD方向测定的所述半导体加工用片的拉伸弹性模量分别为10MP...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村优智，佐伯尚哉，小野义友，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP