带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法，其中，在半导体晶圆(18)贴附能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)后，对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化，接着，对半导体晶圆(18)进行切割。对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而制成保护膜(13’)时，保护膜(13’)的拉伸弹性模量为500MPa以上。本发明专利技术也涉及一种半导体装置的制造方法，其中，拾取带保护膜的半导体芯片(19)，并将半导体芯片(19)连接于衬底。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法。本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-92010号而主张优先权，并将其内容援引至本文中。
技术介绍
近年来，正在应用被称为所谓倒装(facedown)方式的安装方法制造半导体装置。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与衬底接合。因此，半导体芯片的与电路面为相反侧的背面有时会露出。有时在该露出的半导体芯片的背面形成含有有机材料的树脂膜作为保护膜，从而以带保护膜的半导体芯片的形式组入至半导体装置中。保护膜用于防止在切割工序、封装之后在半导体芯片产生裂纹。为了形成这样的保护膜，例如使用在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜能够通过固化而形成保护膜，并且能够利用支撑片作为切割片，能够制成将保护膜形成用膜与切割片一体化的保护膜形成用复合片。作为这样的保护膜形成用复合片，例如当前主要利用具备热固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片，所述热固化性的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带保护膜的半导体芯片的制造方法，在将能量射线固化性的保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆后，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而使其固化，接着，对所述半导体晶圆进行切割，其中，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，所述保护膜的拉伸弹性模量为500MPa以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.28 JP 2016-0920101.一种带保护膜的半导体芯片的制造方法，在将能量射线固化性的保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆后，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而使其固化，接着，对所述半导体晶圆进行切割，其中，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，所述保护膜的拉伸弹性模量为500MPa以上。2.根据权利要求1所述的带保护膜的半导体芯片的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻男洋一，佐藤明德，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP