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带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:19879560
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本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法,其中,在半导体晶圆(18)贴附能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)后,对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化,接着,对半导体晶圆(18)进行切割。对保护膜形成用膜(13)照射能...
该专利属于琳得科株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过琳得科株式会社授权不得商用。
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