半导体发光器件制造技术

本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介质膜；以及多个连接件，所述多个连接件位于所述不导电反射膜的下面，与所述第一电极和所述第二电极中的一个电连通。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件本申请是申请日为2013年7月18日，申请号为201380004181.9，专利技术名称为“半导体发光器件”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开(disclosure)总体上涉及半导体发光器件，并且更具体地，涉及一种具有光反射面的半导体发光器件。在本文的上下文，术语“半导体发光器件”指的是经由电子-空穴复合来产生光的半导体光学器件，并且一个示例是III族氮化物半导体发光器件。III族氮化物半导体由含Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的化合物组成。其另一个示例是用于红光发射的GaAs基半导体发光器件。
技术介绍
这部分提供与本公开有关的背景信息，其不一定是现有技术(Thissectionprovidesbackgroundinformationrelatedtothepresentdisclosurewhichisnotnecessarilypriorart)。图1是例示在美国专利No.7,262,436中提出的半导体发光器件的示例。该半导体发光器件包括：衬底100；在衬底100上生长的n型半导体层300；在n型半导体层300上生长的有源层400；在有源层400上生长的p型半导体层500；形成在p型半导体层500上的电极901、902和903(同时充当反射膜)；以及形成在已经蚀刻并且露出的n型半导体层300上的n侧结合垫800。n型半导体层300和p型半导体层500可具有相反的导电类型。优选地，在衬底100和n型半导体层300之间设置有缓冲层(未示出)。具有该结构的芯片(即，所有的电极901、902和903以及n侧结合垫800被形成在衬底100的相对侧，电极901、902和903充当反射膜)被称为倒装芯片(flip-chip)。电极901、902和903由如下各项组成：具有高反射率的电极901(例如，Ag)；用于结合的电极903(例如，Au)；以及用于防止电极901的材料和电极903的材料之间的扩散的电极902(例如，Ni)。虽然该金属反射膜结构具有高反射率并且有利于电流扩展，但是其具有金属吸收光的缺点。图2是例示在日本特开No.2006-120913中提出的半导体发光器件的示例的图。该半导体发光器件包括：衬底100；在衬底100上生长的缓冲层；在缓冲层200上生长的n型半导体层300；在n型半导体层300上生长的有源层400；在有源层400上生长的p型半导体层500；形成在p型半导体层500上的具有电流扩展功能的透光导电膜600；形成在透光导电膜600上的p侧结合垫700；以及形成在已经蚀刻并且露出的n型半导体层300上的n侧结合垫800。此外，在透光导电膜600上设置有DBR(DistributedBraggReflector，分布式布拉格反射器)900和金属反射膜904。虽然该结构减少金属反射膜904的光吸收，但是其具有如下缺点：与使用电极901、902和903相比，电流扩展相对差。图12是例示在日本特开No.2009-164423中提出的半导体发光器件的示例的图。该半导体发光器件中，在多个半导体层300、400和500上设置有DBR900和金属反射膜904，在其相对侧设置有荧光体1000。金属反射膜904和n侧结合垫800与外部电极1100和1200电连接。外部电极1100和1200可以是用于封装体的引线框架，或者是设置在COB((ChiponBoard，板上芯片)或PCB(印刷电路板)上的电图案。荧光体1000可被共形地(conformal)涂覆，或者可与环氧树脂混合并且然后用于覆盖外部电极1100和1200。荧光体1000吸收在有源层中产生的光，并且将该光转换成更长波长或更短波长的光。
技术实现思路
技术问题待通过本公开解决的问题将在针对实施本专利技术的具体实施方式的后部描述。本部分提供本公开的总体总结(Summary)，并不是其全部范围或其所有特征的完整公开。解决问题的方案根据本公开的一个方面，提供一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子空穴复合产生具有第一波长的光的有源层；第一电极，所述第一电极向所述多个半导体层提供电子或空穴；第二电极，如果所述第一电极提供空穴则所述第二电极向所述多个半导体层提供电子，或者如果所述第一电极提供电子则所述第二电极向所述多个半导体层提供空穴；荧光体部，所述荧光体部被设置在所述生长衬底侧的所述第一半导体层上方，所述荧光体部将在所述有源层中产生的具有所述第一波长的光转换成第二波长的光；以及不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，其中，所述不导电反射膜具有基于经所述荧光体部转换的光设计的分布式布拉格反射器。有益效果本公开的有利效果将在针对实施本专利技术的具体实施方式的后部描述。附图说明图1是例示在美国专利No.7,262,436中提出的半导体发光器件的示例。图2是例示在日本特开No.2006-120913中提出的半导体发光器件的示例的图。图3到图5是例示根据本公开的半导体发光器件的示例的图。图6是例示根据本公开的半导体发光器件的另一个示例的图。图7是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。图8是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。图9和图10是例示根据本公开的半导体发光器件的另外示例的图。图11是例示根据本公开的半导体发光器件的再一个示例的图。图12是例示在日本特开No.2009-164423中提出的半导体发光器件的示例的图。图13是例示根据本公开的半导体发光器件的再一个示例的图。图14是沿着图13的线A-A截取的截面图。图15是沿着图13的线B-B截取的截面图。图16是例示图13的半导体发光器件的图，没有p侧电极和n侧电极以及不导电反射膜。图17是例示根据本公开的半导体发光器件的再一个示例的图。图18是沿着图17的线D-D截取的截面图。图19是沿着图17的线E-E截取的截面图。图20是例示在半导体发光器件的制造处理期间，在它们被划分成单独的半导体发光器件之前，两个半导体发光器件的状态的图。图21是例示在半导体发光器件的制造处理期间，在它们被划分成单独的半导体发光器件之后，两个半导体发光器件的状态的图。图22是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。图23是沿着图22的线A-A’截取的截面图。图24是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。图25是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。图26是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。图27是形成电连接件的区域的放大图。图28是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。图29是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。图30图形地示出反射率随着铝(Al)、银(Ag)和金(Au)的波长变化。图31是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。图32是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。图33是例示根据本公开的半导体发光器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子‑空穴复合产生光的有源层；第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；第二电极，所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个；不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介质膜；以及多个连接件，所述多个连接件位于所述不导电反射膜的下面，与所述第一电极和所述第二电极中的一个电连通。

【技术特征摘要】
2012.07.18 KR 10-2012-0078270;2012.07.30 KR 10-2011.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子-空穴复合产生光的有源层；第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；第二电极，所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个；不导电反射膜，所述不导电反射膜形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：全水根，朴恩铉，金勈德，
申请(专利权)人：世迈克琉明有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR