电子器件制造技术

本发明专利技术涉及电子器件。该电子器件包括在单个壳体中的多个半导体芯片。这样的半导体芯片可以包括不同的半导体材料，例如它们可以包括GaN。使用键合夹片而不是键合线是将这样的半导体芯片连接到衬底的高效方式。

【技术实现步骤摘要】
电子器件本申请为申请日为2014年12月5日、申请号为201410742258.9、题为“电子器件”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及电子器件和用于制造电子器件的方法。
技术介绍
对于面向应用的电子器件的不断增长的需求导致半导体元件在壳体中的日益复杂的布局。这样的元件可以按照不同的配置来布置，如“芯片并排(chipbychip)”、“芯片在芯片上(chiponchip)”“芯片在夹片上(chiponclip)”等。用语“系统级封装”(SIP)是指在单个壳体中包括多芯片模块的器件。SIP可以用于简化模块组件并且减小在板上的所需空间。此外，对于利用除了常规器件中采用的那些半导体材料之外的半导体材料，存在日益增长的需求，以便从它们的电子特性中受益。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电子器件，满足现有技术中的上述需求。根据本专利技术一个方面的实施例，提供一种电子器件，包括：衬底；第一半导体元件，包括一个或多个第一接触元件，所述第一半导体元件布置在所述衬底上；第二半导体元件，包括一个或多个第二接触元件，所述第二半导体元件布置在所述衬底上；以及键合夹片，将所述第一半导体元件和所述第二半导体元件上的所述第一接触元件和所述第二接触元件中的一个或多个电连接到所述衬底。根据本专利技术另一方面的实施例，提供一种电子器件，包括：第一半导体元件，包括第一接触元件；第二半导体元件，包括第二接触元件；以及第一衬底元件和与所述第一衬底元件不同的第二衬底元件，其中所述第一半导体元件和所述第二半导体元件布置在所述第一衬底元件上。根据本专利技术又一方面的实施例，提供一种电子器件，包括：第一半导体元件，包括第一接触元件；第二半导体元件，包括第二接触元件；以及第一衬底元件和与所述第一衬底元件不同的第二衬底元件，其中所述第一半导体元件和所述第二半导体元件布置在所述第一衬底元件上，其中所述电子器件包括共源共栅电路。根据本专利技术的电子器件的实施例，可以提供若干优势，诸如允许在一个壳体中的更高度集成、提供更好的导热性和导电性。附图说明附图被包括在内以提供对实施例的进一步理解，并且附图被结合到本说明书中并构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与本描述一起用于说明实施例的原理。将容易认识到其它实施例和实施例的许多预期优势，因为通过参考以下的详细描述，它们变得更好理解。附图的元件不一定相对彼此成比例。相同的参考标号标示对应的类似部分。图1包括图1A-图1E，示意性地示出电子器件及其组件的各种阶段的实施例。图2包括图2A-图2D，示意性地示出电子器件的进一步实施例。图3包括图3A和图3B，示出了使用电子器件的一些实施例实现的电路的电路图。图4示出了用于制造电子器件的方法的实施例的流程图。具体实施方式现在参照附图描述各方面和实施例，其中贯穿所有附图，类似的参考标号通常用于指代类似的元件。在以下的描述中，为说明的目的，阐述很多特定细节，以便提供对实施例的一个或多个方面的透彻理解。然而，本领域技术人员可以明白的是，实施例的一个或多个方面可以在更少程度的特定细节的情况下实施。在其它情形中，将已知结构和元件以示意形式示出，以便于描述实施例的一个或多个方面。将理解的是，可以利用其它实施例，并且可以进行结构或逻辑的改变，而不脱离本专利技术的范围。应进一步注意的是，附图并未按比例或者不一定按比例。此外，尽管实施例的具体特征或方面可能关于若干实现中的仅一种实现而公开，但如对于任何给定或具体应用可能期望和有利的那样，可以将这种特征或方面与其它实现的一个或多个其它特征或方面结合。而且，在详细描述或权利要求中使用用语“包含”、“含有”、“具有”或其其它变体的程度上，这种用语旨在以类似于用语“包括”的方式为包含性的。可以使用用语“耦合”和“连接”以及派生词。应理解的是，这些用语可以用于指示两个元件彼此合作或交互，而不管它们是直接物理接触或电接触，还是它们没有彼此直接接触。而且，用语“示例性”仅旨在作为示例，而非最佳或最优。因此，以下的详细描述并不是在限制意义上作出的，并且本专利技术的范围由所附权利要求限定。电子器件的实施例可以使用各种类型的晶体管器件。实施例可以使用在半导体裸片或半导体芯片中实施的晶体管器件，其中半导体裸片或半导体芯片可以提供为从半导体晶片制造并从半导体晶片切割出来的半导体材料块的形式，或者提供为其中已经执行进一步的工艺步骤的另一形式，例如，对该半导体裸片或半导体芯片施加封装层。实施例也可以使用包括MOS晶体管结构或IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构的晶体管器件，其中这些结构可以提供为其中晶体管器件的接触元件设置在半导体裸片的主面之一上的形式(水平晶体管结构)，或者提供为其中至少一个电接触元件布置在半导体裸片的第一主面上且至少一个其它电接触元件布置在与半导体裸片的主面相对的第二主面上的形式(垂直晶体管结构)。在任何情况下，半导体裸片或半导体芯片都可以包括在其外表面的一个或多个上的接触元件或接触焊盘，其中接触元件用于电接触半导体裸片。接触元件可以具有任何期望的形式或形状。例如它们在半导体裸片的外表面上可以具有连接盘(land)的形式，即，平坦接触层。接触元件或接触焊盘可以从任何导电材料制成，例如从金属如铝、镍、银、金或铜，或金属合金，或导电有机材料，或导电半导体材料。接触元件也可以形成为上述材料中的一个或多个的层堆叠。根据电子器件的实施例，期望的是提供用于嵌入半导体裸片的封装。根据其实施例，电子器件可以符合单列直插式封装形式。此外或独立于此，电子器件可以包括具有外部引线的封装，该外部引线布置成使得封装类似TO(晶体管外形)类型封装，诸如TO-220或TO-247或TO-264封装。根据电子器件的实施例，提供作为外部引线的多个引线，使得可以将电子器件安装到如印刷电路板(PCB)的基板。电子器件的实施例或晶体管器件的实施例可以包括其中嵌入有半导体裸片或晶体管器件的密封剂或密封材料。密封材料可以是任何电绝缘材料，例如任何种类的模制材料、任何种类的树脂材料或任何种类的环氧树脂材料。密封材料也可以是聚合物材料、聚氨酰胺材料、热塑性材料、有机硅材料、陶瓷材料和玻璃材料。密封材料也可以包括上述材料中的任意材料，并且进一步包括其中嵌入的填充剂材料例如导热添加物(increments)。这些填充剂添加物可以由例如AlO或Al2O3、AlN、BN或者SiN制成。这里所述的器件可以包括一个或多个半导体芯片。半导体芯片可以为不同类型的，并且可以通过不同的技术制造。例如，半导体芯片可以包括集成电、光电或机电的电路或无源器件。集成电路可以设计为逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、功率集成电路、存储器电路、集成无源器件或者微机电系统，微机电系统可以包括诸如桥、薄膜或舌结构之类的微机械结构。半导体芯片不是必需由例如Si、SiC、SiGe、GaAs、GaN的特定半导体材料制造，而是可以包含不是半导体的无机和/或有机材料，例如绝缘体、塑料或金属。此外，半导体芯片可以是封装的或未封装的。在图1A-图1E中示出了电子器件100及其组件的实施例。该电子器件可以包括如图1A所示那样的两个半导体元件101和102。半导体元件101可以包括大量接触元件(电极)，例如半导体元件101可以包括三个电极103A、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，包括：第一半导体元件，包括第一接触元件；第二半导体元件，包括第二接触元件；以及第一衬底元件和与所述第一衬底元件不同的第二衬底元件，其中所述第一半导体元件和所述第二半导体元件并排布置在所述第一衬底元件上，其中所述第一半导体元件的源极接触和所述第二半导体元件的漏极接触电连接到所述第一衬底元件，其中所述第一半导体元件的栅极接触连接到所述第二半导体元件的源极接触，并且所述第一半导体元件的漏极接触以及所述第二半导体元件的源极接触和所述第二半导体元件的栅极接触连接到所述第二衬底元件。

【技术特征摘要】
2013.12.06 US 14/099,0161.一种电子器件，包括：第一半导体元件，包括第一接触元件；第二半导体元件，包括第二接触元件；以及第一衬底元件和与所述第一衬底元件不同的第二衬底元件，其中所述第一半导体元件和所述第二半导体元件并排布置在所述第一衬底元件上，其中所述第一半导体元件的源极接触和所述第二半导体元件的漏极接触电连接到所述第一衬底元件，其中所述第一半导体元件的栅极接触连接到所述第二半导体元件的源极接触，并且所述第一半导体元件的漏极接触以及所述第二半导体元件的源极接触和所述第二半导体元件的栅极接触连接到所述第二衬底元件。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一半导体元件包括基于III-V的半导体材料。3.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述基于III-V的半导体材料包括GaN。4.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一半导体元件包括高电子迁移率晶体管(HEMT)，并且所述第二半导体元件包括功率MOSFET。5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第二衬底元件包括多个引线。6.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述连接中的一个或多个包括键合夹片，所述键合夹片包括铝、镍、银、金、铜或金属合金。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·霍塞尼，J·马勒，R·奥特雷姆巴，J·赫格劳尔，J·施雷德尔，X·施勒格尔，K·希斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利,AT