芯片尺寸封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种芯片尺寸封装结构及其制备方法，所述芯片尺寸封装结构包括：一半导体芯片，所述半导体芯片正面形成有与其内部功能器件相连接的第一连接焊垫；一基板，所述基板的正面形成有第二连接焊垫；金属引线，位于所述半导体芯片与所述基板之间，且与一端与所述第一连接焊垫相连接，另一端与所述第二连接焊垫相连接。本发明专利技术的芯片尺寸封装结构通过打线工艺在半导体芯片表面形成金属引线，可以实现单一半导体芯片与基板的电连接，可以实现单一半导体芯片的塑封；同时，通过打线工艺形成的所述金属引线的高度可以根据实际需要进行控制，可以得到高度足够高的金属引线。

【技术实现步骤摘要】
芯片尺寸封装结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种芯片尺寸封装结构及其制备方法。
技术介绍
在现有工艺中，一般是通过在晶圆上制作出若干个半导体芯片之后，将所述半导体芯片进行晶圆级封装(即先以晶圆为单位将半导体芯片进行封装，而后再将封装好结构切片呈一个一个单独的半导体芯片)，此时，所述半导体芯片可以通过铜柱(Cupillarbump)与其他结构电连接。而若在特殊工艺中，需要对切割后的单个半导体芯片进行封装时，现有的工艺无法在单个所述半导体芯片上制作铜柱，无法通过现有的封装工艺对单个半导体芯片进行有效封装。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种芯片尺寸封装结构及其制备方法，用于解决现有技术中无法在单个半导体芯片上制作铜柱，无法对单个半导体芯片进行有效封装的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种芯片尺寸封装结构，所述芯片尺寸封装结构包括：一半导体芯片，所述半导体芯片正面形成有与其内部功能器件相连接的第一连接焊垫；一基板，所述基板的正面形成有第二连接焊垫；金属引线，位于所述半导体芯片与所述基板之间，且与一端与所述第一连接焊垫相连接，另一端与所述第二连接焊垫相连接。优选地，所述芯片尺寸封装结构还包括固封层，位于所述半导体芯片与所述基板之间，且固封于各所述金属引线外围。优选地，所述固封层的材料包括焊锡。优选地，所述金属引线包括：连接凸块，与所述第一连接焊垫相连接；金属线，位于所述连接凸块上，与所述连接凸块及所述第二连接焊垫相连接。优选地，所述金属引线包括：连接凸块，与所述第二连接焊垫相连接；金属线，位于所述连接凸块上，与所述连接凸块及所述第一连接焊垫相连接。优选地，所述第一连接焊垫、所述第二连接焊垫及所述金属引线的数量均为若干个，且所述金属引线与所述第一连接焊垫及所述第二连接焊垫一一对应连接。优选地，所述芯片尺寸封装结构还包括底部填充胶，填充于所述半导体芯片与所述基板之间，且填满所述金属引线之间的间隙。本专利技术还提供一种芯片尺寸封装结构的制备方法，所述芯片尺寸封装结构的制备方法包括如下步骤：1)提供一半导体芯片，所述半导体芯片的正面形成有第一连接焊垫；2)采用打线工艺于所述半导体芯片正面形成金属引线，所述金属引线与所述第一连接焊垫相连接；3)提供一基板，所述基板的正面形成有第二连接焊垫；4)采用丝网印刷工艺于所述基板的正面形成焊锡，所述焊锡位于所述第二连接焊垫的表面；5)将所述半导体芯片倒装装设于所述基板的正面，所述金属引线与所述焊锡相接触；6)对所述焊锡进行回流处理，以使得所述金属引线插入所述焊锡内，并将所述焊锡固化为固封层固封于所述金属引线外围。优选地，步骤1)中提供给的所述半导体芯片正面形成有若干个所述第一连接焊垫，步骤2)中采用打线工艺于各所述第一连接焊垫的表面分别形成所述金属引线，所述金属引线与所述第一连接焊垫一一对应连接；步骤3)中提供的所述基板正面形成有若干个所述第二连接焊垫。优选地，步骤6)之后，还包括于所述半导体芯片与所述基板之间形成底部填充胶的步骤，所述底部填充胶填满所述金属引线之间的间隙。如上所述，本专利技术的芯片尺寸封装结构及其制备方法，具有以下有益效果：本专利技术的芯片尺寸封装结构通过打线工艺在半导体芯片表面形成金属引线，可以实现单一半导体芯片与基板的电连接，可以实现单一半导体芯片的塑封；同时，通过打线工艺形成的所述金属引线的高度可以根据实际需要进行控制，可以得到高度足够高的金属引线。附图说明图1显示为本专利技术实施例一中提供的芯片尺寸封装结构的制备方法的流程图。图2～图8显示为本专利技术实施例一中提供的芯片尺寸封装结构的制备方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图8显示为本专利技术的芯片尺寸封装结构的结构示意图。元件标号说明1半导体芯片11第一连接焊垫2金属引线21连接凸块22金属线3打线机4基板41第二连接焊垫5丝网51开口6网刷7固封层71焊锡8底部填充胶具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。实施例一请参阅图1，本实施例提供一种芯片尺寸封装结构的制备方法，所述芯片尺寸封装结构的制备方法包括如下步骤：1)提供一半导体芯片，所述半导体芯片的正面形成有第一连接焊垫；2)采用打线工艺于所述半导体芯片正面形成金属引线，所述金属引线与所述第一连接焊垫相连接；3)提供一基板，所述基板的正面形成有第二连接焊垫；4)采用丝网印刷工艺于所述基板的正面形成焊锡，所述焊锡位于所述第二连接焊垫的表面；5)将所述半导体芯片倒装装设于所述基板的正面，所述金属引线与所述焊锡相接触；6)对所述焊锡进行回流处理，以使得所述金属引线插入所述焊锡内，并将所述焊锡固化为固封层固封于所述金属引线外围。在步骤1)中，请参阅图1中的S1步骤及图2，提供一半导体芯片1，所述半导体芯片1的正面形成有第一连接焊垫11。作为示例，所述半导体芯片12可以为现有的任意一种功能芯片，此处不做限定。作为示例，所述第一连接焊垫11的具体数量可以根据实际需要进行设定，图2中以所述半导体芯片12正面形成有四个所述第一连接焊垫11作为示例。需要说明的是，此处所述半导体芯片1是指半导体加工工艺完成后对晶圆进行切片后得到的独立的芯片(die)。在步骤2)中，请参阅图1中的S2步骤及图3，采用打线工艺于所述半导体芯片1正面形成金属引线2，所述金属引线2与所述第一连接焊垫11相连接。作为示例，可以采用打线机3依次在各个所述第一连接焊垫11的表面形成金属引线2，在形成所述金属引线2的过程中，所述金属引线2的高度可以根据实际需要进行截取。作为示例，所述金属引线2可以为一根金属线，也可以为如图3所示包括：连接凸块21及金属线22，其中，所述连接凸块21与所述第一连接焊垫11相连接，具体的，所述连接凸块21位于所述第一连接焊垫11的上表面；所述金属线22位于所述连接凸块21上，与所述连接凸块21相连接。作为示例，所述连接凸块21的宽度可以如图3所示大于所述金属线22的宽度，将所述金属引线2经由宽度大于所述金属线22的所述连接凸块21与所述第一连接焊垫11相接触，可以增大所述金属引线2与所述第一连接焊垫11的接触面积，从而改善所述金属引线2与所述第一连接焊垫11的接触性能。当然，在其他示例中，所述金属引线2也可以经由所述金属线22与所述第一连接焊垫11相连接，即在其他示例中，所述金属线22与所述第一连接焊垫11相连接，所述连接凸块21位于所述金属线22上，且与所述金属线22相连接。作为示例，所述金属引线2的材料可以为但不仅限于铜、铝、锡、金、钛、铊或银等中的至少一种，优选地，本实施例中，所述金属引线2的材料为铜，即所述连接凸块21与所述金属线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述芯片尺寸封装结构包括：一半导体芯片，所述半导体芯片正面形成有与其内部功能器件相连接的第一连接焊垫；一基板，所述基板的正面形成有第二连接焊垫；金属引线，位于所述半导体芯片与所述基板之间，且与一端与所述第一连接焊垫相连接，另一端与所述第二连接焊垫相连接。

【技术特征摘要】
1.一种芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述芯片尺寸封装结构包括：一半导体芯片，所述半导体芯片正面形成有与其内部功能器件相连接的第一连接焊垫；一基板，所述基板的正面形成有第二连接焊垫；金属引线，位于所述半导体芯片与所述基板之间，且与一端与所述第一连接焊垫相连接，另一端与所述第二连接焊垫相连接。2.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述芯片尺寸封装结构还包括固封层，位于所述半导体芯片与所述基板之间，且固封于各所述金属引线外围。3.根据权利要求2所述的芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述固封层的材料包括焊锡。4.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述金属引线包括：连接凸块，与所述第一连接焊垫相连接；金属线，位于所述连接凸块上，与所述连接凸块及所述第二连接焊垫相连接。5.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述金属引线包括：连接凸块，与所述第二连接焊垫相连接；金属线，位于所述连接凸块上，与所述连接凸块及所述第一连接焊垫相连接。6.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述第一连接焊垫、所述第二连接焊垫及所述金属引线的数量均为若干个，且所述金属引线与所述第一连接焊垫及所述第二连接焊垫一一对应连接。7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述芯片尺寸...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，周祖源，吴政达，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32