重配置线路结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种重配置线路结构及其制作方法。本发明专利技术的重配置线路结构适于配置于具有接垫与保护层的基材上，保护层具有暴露出部分接垫的第一开口。重配置线路结构包括第一、第二图案化绝缘层及重配置线路层。第一图案化绝缘层配置于保护层上且包括对应于第一开口的第二开口及至少一凹槽。重配置线路层配置于第一图案化绝缘层上且包括接垫部及导线部。接垫部位于第一图案化绝缘层上，导线部包括本体及凸出本体的至少一根基。本体从接垫部延伸至第一、第二开口内，以与接垫连接。根基伸入凹槽。第二图案化绝缘层覆盖导线部且暴露部分的接垫部。本发明专利技术的重配置线路结构不易剥离，而具有较佳的结构稳定度。

【技术实现步骤摘要】
重配置线路结构及其制作方法
本专利技术涉及一种线路结构及其制作方法，且特别涉及一种重配置线路结构及其制作方法。
技术介绍
在高度情报化社会的今日，多媒体应用的市场不断地急速扩张着。集成电路封装技术亦需配合电子装置的数字化、网络化、区域连接化以及使用人性化的趋势发展。为达成上述的要求，必须强化电子组件的高速处理化、多功能化、积集化、小型轻量化及低价化等多方面的要求，于是集成电路封装技术也跟着朝向微型化、高密度化发展。所谓集成电路封装密度所指的是单位面积所含有脚位(pin)数目多寡的程度。对于高密度集成电路封装而言，缩短集成电路与封装基材间配线的长度，将有助讯号传递速度的提升，是以藉由凸块(bump)作为讯号传递的覆晶封装技术已渐成为高密度封装的主流。覆晶芯片(flipchip)上的焊垫则通常是以数组方式(arraytype)排列，覆晶芯片的焊垫位置未必对应于基板上的接垫位置，目前通常会通过重配置线路层将基板上的接垫位置进行重配置，使其成为覆晶芯片的焊垫的数组分布的型态。如此一来，覆晶芯片的焊垫便能够通过凸块与重配置线路层电性连接于基板上的接垫。由于目前重配置线路层的导线宽度越来越小，为了使导线具有一定的电阻值，通常采用的方式是增加了导线的高度，以使导线的截面积维持一定。这也使得导线的剖面呈现出高且窄的形状。然而，细窄型的导线缩减了其附着于下方基板或是其附着于基板上的绝缘层的面积，容易倾倒而造成剥离(peeling)的状况。
技术实现思路
本专利技术提供一种重配置线路结构，其不易剥离(peeling)，而具有较佳的结构稳定度。本专利技术提供一种重配置线路结构的制作方法，其可制作出上述的重配置线路结构。本专利技术的一种重配置线路结构，适配置于基材上，基材具有接垫与保护层，其中保护层具有第一开口，且第一开口暴露出部分的接垫，重配置线路结构包括第一图案化绝缘层、重配置线路层及第二图案化绝缘层。第一图案化绝缘层配置于保护层上且包括第二开口及至少一凹槽，其中第二开口对应于第一开口以暴露部分的接垫。重配置线路层配置于第一图案化绝缘层上且包括接垫部及导线部，其中接垫部位于第一图案化绝缘层上，导线部包括本体及凸出于本体的至少一根基，本体位于第一图案化绝缘层上从接垫部延伸至第一开口与第二开口内，以与接垫连接，至少一根基伸入至少一凹槽。第二图案化绝缘层设置于第一图案化绝缘层上，第二图案化绝缘层覆盖导线部且暴露部分的接垫部。在本专利技术的一实施例中，上述的至少一凹槽包括条状凹沟或是分离的多个凹槽，至少一根基包括条状根基或是分离的多个桩状根基，且至少一凹槽的数量与位置对应于至少一根基的数量与位置。在本专利技术的一实施例中，上述的各根基的宽度小于本体的宽度。在本专利技术的一实施例中，上述的各根基的宽度沿着远离本体的方向渐缩、渐扩或不变。在本专利技术的一实施例中，上述的各根基在横截导线部的延伸方向的截面积小于、等于或大于本体在横截导线部的延伸方向的截面积。在本专利技术的一实施例中，上述的凹槽的深度小于或等于第一图案化绝缘层的厚度。在本专利技术的一实施例中，上述的导线部的本体在沿着导线部的延伸方向上包括交替相连的多个放大区及多个连接区，这些放大区的宽度分别大于这些连接区的宽度，这些放大区的形状包括圆形、椭圆形、矩形、菱形或不规则形。在本专利技术的一实施例中，上述的重配置线路结构还包括一球底金属(UnderBumpMetallurgic，UBM)层，配置于重配置线路层下方，并位于重配置线路层与第一图案化绝缘层之间以及重配置线路层与接垫之间。在本专利技术的一实施例中，上述的重配置线路结构还包括图案化金属复合层，配置于重配置线路层上，图案化金属复合层的宽度大于重配置线路层的宽度。本专利技术的一种重配置线路结构的制作方法，包括：提供基材，其中基材具有接垫与保护层，保护层具有第一开口，且第一开口暴露出部分的接垫；形成第一绝缘层于保护层上；对第一绝缘层进行两次图案化程序，以制作出第二开口与至少一凹槽，而形成第一图案化绝缘层，其中至少一凹槽的深度小于第二开口的深度；形成重配置线路层于第一图案化绝缘层上，其中重配置线路层包括接垫部及导线部，接垫部位于第一图案化绝缘层上，导线部包括本体及凸出于本体的至少一根基，本体位于第一图案化绝缘层上从接垫部延伸至第一开口与第二开口内，以与接垫连接，至少一根基伸入至少一凹槽；以及形成第二图案化绝缘层于第一图案化绝缘层上且覆盖导线部以及接垫部的周围，第二图案化绝缘层并暴露部分接垫部。在本专利技术的一实施例中，上述的重配置线路结构的制作方法，还包括在形成重配置线路层之前，形成球底金属层于第一图案化绝缘层上，球底金属层覆盖接垫及部分的第一图案化绝缘层。基于上述，本专利技术的重配置线路结构藉由在第一图案化绝缘层形成凹槽，且重配置线路层的导线部包括本体及凸出于本体的根基，导线部除了本体附着于第一图案化绝缘层的面积之外，还通过根基伸入凹槽来增加附着面积，以降低重配置线路层的导线部剥离(peeling)于第一图案化绝缘层的机率，而使得重配置线路层的导线部在基材上具有较佳的结构稳定度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。附图说明图1A是依照本专利技术的一实施例的一种重配置线路结构的局部剖面示意图；图1B是图1A的重配置线路结构的沿A-A线段且隐藏基材与第二图案化绝缘层的剖面示意图；图1C是图1A的重配置线路结构的重配置线路层的俯视示意图；图1D是依照本专利技术的一实施例的一种重配置线路结构的制作方法的步骤示意图；图2至图6分别是依照本专利技术的其他实施例的多种重配置线路结构隐藏第二图案化绝缘层的剖面示意图；图7A是依照本专利技术的一实施例的一种重配置线路结构的局部剖面示意图；图7B是图7A的重配置线路结构的重配置线路层的俯视示意图；图8至图11分别是依照本专利技术的其他实施例的多种重配置线路结构的导线部的本体的俯视示意图；图12至图14分别是依照本专利技术的其他实施例的多种重配置线路结构隐藏第二图案化绝缘层的剖面示意图。附图标记说明：W1、W2、W3：宽度10：基材12：接垫14：保护层16：第一开口100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100k、100l、100m：重配置线路结构110、110a、110b、110c、110d、110e、110f：第一图案化绝缘层112：第二开口114、114a、114b、114c、114d、114e、114f：凹槽120：球底金属层130、130b、130c、130d、130e、130f、130m：重配置线路层131：接垫部132、132b、132c、132d、132e、132f：导线部133、133b、133c、133d、133e、133g、133h、133i、133j：本体134g、134h、134i、134j：放大区135g、135h、135i、135j：连接区136、136b、136c、136d、136e、136f、136m：根基140：图案化金属复合层150：第二图案化绝缘层具体实施方式图1A是依照本专利技术的一实施例的一种重配置线路结构的局部剖面示意图。请先参阅图1A，本实施例的重配置线路结构100适于配置于基材10上，以将基材10的接垫12重配置到其他位置。在本实施例中，基材10可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种重配置线路结构，配置于基材上，所述基材具有接垫与保护层，其中所述保护层具有第一开口，且所述第一开口暴露出部分的所述接垫，其特征在于，所述重配置线路结构包括：第一图案化绝缘层，配置于所述保护层上且包括第二开口及至少一凹槽，其中所述第二开口对应于所述第一开口以暴露部分的所述接垫；重配置线路层，配置于所述第一图案化绝缘层上且包括接垫部及导线部，其中所述接垫部位于所述第一图案化绝缘层上，所述导线部包括本体及凸出于所述本体的至少一根基，所述本体位于所述第一图案化绝缘层上从所述接垫部延伸至所述第一开口与所述第二开口内，以与所述接垫连接，所述至少一根基伸入所述至少一凹槽；以及第二图案化绝缘层，设置于所述第一图案化绝缘层上，所述第二图案化绝缘层覆盖所述导线部且暴露部分的所述接垫部。

【技术特征摘要】
2016.11.23 TW 1051385211.一种重配置线路结构，配置于基材上，所述基材具有接垫与保护层，其中所述保护层具有第一开口，且所述第一开口暴露出部分的所述接垫，其特征在于，所述重配置线路结构包括：第一图案化绝缘层，配置于所述保护层上且包括第二开口及至少一凹槽，其中所述第二开口对应于所述第一开口以暴露部分的所述接垫；重配置线路层，配置于所述第一图案化绝缘层上且包括接垫部及导线部，其中所述接垫部位于所述第一图案化绝缘层上，所述导线部包括本体及凸出于所述本体的至少一根基，所述本体位于所述第一图案化绝缘层上从所述接垫部延伸至所述第一开口与所述第二开口内，以与所述接垫连接，所述至少一根基伸入所述至少一凹槽；以及第二图案化绝缘层，设置于所述第一图案化绝缘层上，所述第二图案化绝缘层覆盖所述导线部且暴露部分的所述接垫部。2.根据权利要求1所述的重配置线路结构，其特征在于，所述至少一凹槽包括条状凹沟或是分离的多个凹槽，所述至少一根基包括条状根基或是分离的多个桩状根基，且所述至少一凹槽的数量与位置对应于所述至少一根基的数量与位置。3.根据权利要求1所述的重配置线路结构，其特征在于，各所述根基的宽度小于所述本体的宽度。4.根据权利要求1所述的重配置线路结构，其特征在于，各所述根基的宽度沿着远离所述本体的方向渐缩、渐扩或不变。5.根据权利要求1所述的重配置线路结构，其特征在于，各所述根基在横截所述导线部的延伸方向的截面积小于、等于或大于所述本体在横截所述导线部的延伸方向的截面积。6.根据权利要求1所述的重配置线路结构，其特征在于，所述凹槽的深度小于或等于所述第一图案化绝缘层的厚度。7.根据权利要求1所述的重配置线路结...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡恩崧，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71