【技术实现步骤摘要】
本公开内容的示例涉及栅极驱动器电路。本公开内容还涉及包括至少两个栅极驱动器电路的功率开关组件。
技术介绍
1、诸如mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)和igbt(绝缘栅极双极晶体管)的半导体开关广泛用于高功率转换器、电机控制等的功率模块中。功率模块有不同的配置，诸如半桥、h桥或六件式(six-pack)。如果单独的半导体开关不足以驱动应用所需的电流，可以并联多个半导体开关。并联电连接的半导体开关处理更大的电流或以较小的传导损耗处理相同的电流，并且可以由单栅极驱动器输出信号驱动。例如，使用并联并由相同栅极信号同时驱动的两个mosfet替换单个mosfet，可以使电流容量增加大约一倍，或者可以使传导损耗减半。对并联半导体开关的控制会导致并联半导体开关之间的电压和电流分布不平衡。一直需要提供对并联电连接和开关的半导体开关的高效和/或平衡控制的栅极驱动器组件。
技术实现思路
1、本公开内容的实施方式涉及一种功率开关组件，其包括第一驱动器电路和第二驱动器电路。第一驱动器电路通过第一内部电源节点和第一参考节点供电，并且驱动第一栅极信号。第二驱动器电路通过第二内部电源节点和第二参考节点供电，并且驱动第二栅极信号。第一栅极信号和第二栅极信号同相。第一参考节点和第二参考节点是分离的。第一缓冲电容器电连接在第一内部电源节点与第一参考节点之间。第二缓冲电容器电连接在第二内部电源节点与第二参考节点之间。
2、本公开内容的另一实施方式涉及栅极驱动器电路，其包括第一驱动器电路和第二驱动器电
3、本领域技术人员在阅读下面的详细描述和查看附图时将认识到另外的特征和优点。
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1.一种功率开关组件(900)，包括：
2.根据权利要求1所述的功率开关组件，
3.根据前述权利要求中任一项所述的功率开关组件，还包括：
4.根据权利要求3所述的功率开关组件，
5.根据前述权利要求中任一项所述的功率开关组件，
6.根据前述权利要求中任一项所述的功率开关组件，还包括：
7.根据权利要求1至4中任一项所述的功率开关组件，还包括：
8.根据权利要求3所述的功率开关组件，
9.根据前述权利要求中任一项所述的功率开关组件，还包括：
10.根据前述权利要求中任一项所述的功率开关组件，还包括：
11.根据权利要求10所述的功率开关组件，
12.一种栅极驱动器电路(100)，包括：
13.根据权利要求12所述的栅极驱动器电路，
14.根据权利要求13所述的栅极驱动器电路，还包括：
15.根据权利要求13或14所述的栅极驱动器电路，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种功率开关组件(900)，包括：
2.根据权利要求1所述的功率开关组件，
3.根据前述权利要求中任一项所述的功率开关组件，还包括：
4.根据权利要求3所述的功率开关组件，
5.根据前述权利要求中任一项所述的功率开关组件，
6.根据前述权利要求中任一项所述的功率开关组件，还包括：
7.根据权利要求1至4中任一项所述的功率开关组件，还包括：
8.根据权利要求3所述的功率开...
【专利技术属性】
技术研发人员：安东·毛德，马西莫·格拉索，爱德华·菲尔古特，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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