【技术实现步骤摘要】
本公开内容的示例涉及制造半导体电路的方法，特别是soi器件。本公开内容还涉及包括半导体晶圆的晶圆复合体和半导体器件。
技术介绍
1、越来越薄的硅器件的发展趋势部分是由于需要减少半导体主体中的寄生效应和节省昂贵的半导体材料。所涉及的技术之一是绝缘体上硅(soi)技术，该技术涉及在层状硅-绝缘体-硅衬底或层状硅-绝缘体衬底中制造硅半导体器件。基于soi的器件不同于由没有绝缘体基底的硅层制成的传统器件，这是因为有源半导体层位于电绝缘体(通常是二氧化硅)之上。较薄的半导体层可以降低寄生电容和要生长的晶体半导体材料的量。
2、在半导体器件，尤其是薄半导体器件的制造中，一直需要更高的生产率和产量。
技术实现思路
1、本公开内容的实施方式涉及制造半导体器件的方法。形成包括器件层和绝缘体层的层堆叠。器件层包括电子元件。绝缘体层邻近器件层的后表面。将间隔盘粘接在层堆叠的与器件层相对的一侧上。间隔盘和层堆叠形成晶圆复合体。将晶圆复合体分割成多个单独的半导体芯片，其中，每个半导体芯片包括层堆叠的一部分和间隔盘的一部分。
2、本公开内容的另一实施方式涉及制造半导体器件的另一种方法。提供了一种晶圆复合体，其中，晶圆复合体包括层堆叠、粘合带和位于粘合带的与层堆叠相对的一侧上的间隔盘。层堆叠包括至少器件层和与器件层接触的绝缘体层。电子元件形成在器件层中。粘合带位于层堆叠的与器件层相对的一侧上。将晶圆复合体切割成多个单独的半导体芯片，其中，每个半导体芯片包括层堆叠的一部分和间隔盘的一部分。
3、本公开内容的另一实施方式涉及制造半导体器件的另一种方法。提供了半导体芯片。半导体芯片包括器件层部分、与器件层部分的后表面接触的绝缘体层部分、形成在绝缘体层部分的与器件层部分相对的一侧上的粘合层、以及形成在粘合层的与绝缘体层部分相对的一侧上的间隔层。电子元件形成在器件层部分中。接触盘形成在器件层部分的接触侧表面上。在接触盘与器件端子之间形成电连接。
4、本公开内容的另一实施方式涉及晶圆复合体。层堆叠包括器件层和绝缘体层，其中，器件层包括电子元件，并且其中，绝缘体层与器件层的后表面接触。粘合带位于层堆叠的与器件层相对的一侧上。间隔盘位于粘合带的与绝缘体层相对的一侧上，其中，间隔盘和层堆叠的横向形状和尺寸相同。
5、本公开内容的另一实施方式涉及具有包括电子元件的器件层部分的半导体器件。接触盘形成在器件层部分的接触侧表面上。绝缘体层部分与器件层部分的后表面接触。粘合层位于绝缘体层部分的与器件层部分相对的一侧上。间隔层位于粘合层的与绝缘体层部分相对的一侧上。
6、本领域技术人员在阅读下面的详细描述并查看附图时将认识到附加的特征和优点。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种制造半导体电路的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，
4.根据权利要求3所述的方法，
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述间隔盘(190)被直接粘接至所述绝缘体层(120)的与所述器件层(110)相对的表面上，以及
6.根据权利要求5所述的方法，
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，
8.根据权利要求5所述的方法，还包括：
9.一种制造半导体电路的方法，所述方法包括：
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
11.一种晶圆复合体，包括：
12.根据权利要求11所述的晶圆复合体，
13.一种半导体器件，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，
15.根据权利要求13或14所述的半导体器件，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体电路的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，
4.根据权利要求3所述的方法，
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述间隔盘(190)被直接粘接至所述绝缘体层(120)的与所述器件层(110)相对的表面上，以及
6.根据权利要求5所述的方法，
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赫尔曼·格鲁贝尔，约尔格·布施，德里克·德比，托马斯·菲舍尔，丹尼尔·波尔沃尔，马蒂亚斯·施密特，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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