【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种包括具有允许高电流输出的向后弯曲的引线的引线框架的半导体装置、包括允许高电流输出的具有连接到引线的端部部分的电构件的引线框架的半导体装置、以及包括允许放置额外的装置的具有向后弯曲的引线的引线框架的半导体装置。
技术介绍
1、诸如sic和gan晶体管管芯的宽带隙装置相比于标准的si装置可以实现高得多的电流密度。因此，可以在同样的电流输出下使用更小的管芯，或者可以采用相同大小的管芯实现更高的电流输出。其结果是，装置的互连(导线、夹具等)也必须承载更高的电流，这可能会限制一些装置。对不同互连选择方案的调查表明，对于一些情况，引线的区域可能是实现高电流互连的限制因素。因此，对于这样的装置，增加引线的可接合区域的可能方式将是有益的。
2、另外，将无源装置或其他装置集成到功率封装中变得越来越重要。由于管芯焊盘的区域经常受限制，因此这些添加的装置有时也沉积在引线区域中，从而进一步减小了可以用于接合的自由区域。同时，额外的装置与管芯焊盘热解耦，其中电源开关的功耗将导致不利的加热。因此，增加可以用于接合的区域是有益的。
<...【技术保护点】
1.一种半导体装置(10；20)，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置(10；20)，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置(10；20)，其中，
4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置(10)，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置(10)，其中，
6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置(20)，还包括：
7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置(10；20)，其中，
8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置(10)，其中，
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