【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种包括具有允许高电流输出的向后弯曲的引线的引线框架的半导体装置、包括允许高电流输出的具有连接到引线的端部部分的电构件的引线框架的半导体装置、以及包括允许放置额外的装置的具有向后弯曲的引线的引线框架的半导体装置。
技术介绍
1、诸如sic和gan晶体管管芯的宽带隙装置相比于标准的si装置可以实现高得多的电流密度。因此，可以在同样的电流输出下使用更小的管芯，或者可以采用相同大小的管芯实现更高的电流输出。其结果是，装置的互连(导线、夹具等)也必须承载更高的电流，这可能会限制一些装置。对不同互连选择方案的调查表明，对于一些情况，引线的区域可能是实现高电流互连的限制因素。因此，对于这样的装置，增加引线的可接合区域的可能方式将是有益的。
2、另外，将无源装置或其他装置集成到功率封装中变得越来越重要。由于管芯焊盘的区域经常受限制，因此这些添加的装置有时也沉积在引线区域中，从而进一步减小了可以用于接合的自由区域。同时，额外的装置与管芯焊盘热解耦，其中电源开关的功耗将导致不利的加热。因此，增加可以用于接合的区域是有益的。
3、存在用于增加互连的电流密度的不同方式，例如使用夹具，使用楔型上楔型技术或楔型-球型-楔型(wedge-ball-wedge)技术。然而，这些选择方案也带来了缺点，例如可靠性问题，
4、出于这些原因以及其他原因，存在对本公开的需求。
技术实现思路
1、本公开的第一方面涉及一种半导体装置，包括：引线框架，其包括管芯焊盘以及多个引线；半
2、本公开的第二方面涉及一种半导体装置，包括：引线框架，其包括管芯焊盘、多个引线以及与多个引线的子组连接的横条；半导体管芯，其设置在管芯焊盘上，半导体管芯包括位于其第一主面上的接触焊盘；一个或多个接合导线，其连接在接触焊盘与横条之间；以及电构件，其以电构件的一部分连接到引线的端部部分的方式连接到横条。
3、根据第一方面和第二方面的本公开的总体思想是，增加引线框架上的用于导线接合的有源区域。存在两种可能的选择方案来增加接合区域。如先前作为第一方面提及的第一选择方案原则上描述了扩展的引线框架的使用。在该方法中，在对引线框架的冲压处理期间留下了额外的引线框架表面。额外的区域连接到表面需要扩大的引线。该方法的思想是具有将(多个)芯片与引线区域进行连接的第一导线接合步骤。在产生了全部的导线接合(达到可能的最大数量的导线接合)之后，可以在弯曲工具中使引线框架的扩展区域弯曲，从而在第一区域的导线接合上面形成第二层。该第二区域然后可以用于添加额外的导线接合(或者集成无源管芯/额外的管芯)。由于额外的层在弯曲区域之上与引线框架连接，因此到导线接合的第二层的高电流通过量是可能的。
4、得到类似结果的第二种可能性是使用附接在导线接合的第一层上面的额外的电构件，例如，较大的带。该较大的带可以焊接、激光焊接或熔接在引线的两个边缘上。另外，可能的是，使用激光辅助工艺将楔型物不仅连接到引线的侧面，而且将第二层与位于第一层上的导线熔接在一起(类似于竖直导线方法)。
5、根据第一方面和第二方面的上述选择方案允许使用导线接合的额外层，但也可以用于将额外的装置集成在导线或电构件上面(系统集成选择方案)。
6、本公开的第三方面涉及一种半导体装置，包括：引线框架，其包括管芯焊盘和多个引线，其中，多个引线中的一个引线向后弯曲；半导体管芯，其设置在管芯焊盘上，半导体管芯包括位于其第一主面上的接触焊盘；半导体装置还包括另外的装置，其设置在向后弯曲的引线的上表面上。
7、根据第三方面的这样的半导体装置可以独立于根据第一方面和第二方面的半导体装置而实施。其利用了以下事实：引线框架的引线可以通过接合导线连接到半导体装置的接触焊盘中的一个接触焊盘，并且可以另外向后弯曲以提供额外的区域以供额外的装置安装在其上。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置(10；20)，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置(10；20)，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置(10；20)，其中，
4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置(10)，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置(10)，其中，
6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置(20)，还包括：
7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置(10；20)，其中，
8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置(10)，其中，
9.一种半导体装置(30)，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置(30)，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置(30)，其中，
12.根据权利要求8至10中的任一项所述的半导体装置(30)，还包括：
13.一种半导体装置(40)，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置(40)，其中，
15.根据权利要求13或14所述
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置(10；20)，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置(10；20)，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置(10；20)，其中，
4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置(10)，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置(10)，其中，
6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置(20)，还包括：
7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置(10；20)，其中，
8.根据前述...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·施瓦布，J·特罗伊，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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