一种三唑化合物及其发光器件制造技术

本发明专利技术涉及有机发光材料技术领域，具体涉及一种三唑化合物及应用该三唑化合物的发光器件。本发明专利技术的三唑化合物包括给电子基团Ar

Three triazole compound and light emitting device thereof

The invention relates to the technical field of organic luminescent materials, in particular to a three azole compound and a light-emitting device using the three azole compound. The three azole compound of the present invention includes an electron donating group Ar

【技术实现步骤摘要】
一种三唑化合物及其发光器件
本专利技术涉及有机发光材料
，具体涉及一种三唑化合物及应用该三唑化合物的发光器件。
技术介绍
有机电致发光器件(OrganicElectroluminescenceDevices，简称OLEDs)，又称发光二极管，是在其中施加电压而将电能转化为光能的装置，是理想的手机、彩电等显示屏。电致发光材料与器件的研究引起了世界科技界和工业界的极大兴趣，EL器件被普遍认为能同时兼有低能耗、广视角、大面积的平板显示技术。TADF(Thermallyactiateddelayedfluorescence，热活化延迟荧光)材料作为第三代发光材料，能够兼顾发光效率和材料稳定性，受到了业内广泛的关注。TADF材料多要求具有D-π-A结构，其中D为Donor(电子给体)，业内常见的电子给体为芳香胺体系或咔唑体系；A为Acceptor(电子受体)，具有碳氮双键的杂环体系均可以作为电子受体；π为桥连基团，桥连基团可以为芳香共轭体系，也可以是非芳香共轭体系，也可以是单键，只要能够使Donor基团和Acceptor基团非共轭的连接。进一步的研究发现，基于D-π-A结构的化合物，只要化合物能够实现HOMO(HighestOccupiedMolecular，最高占有轨道)和LUMO(LowestUnoccupiedMolecular，最低空轨道)的电子云分布分离，就能够获得较小的单线态-三线态能级差(ΔEST)，成为有价值的TADF材料。也有将这种电子云分布分离，称为空间电荷分离。现有技术中，比较常见的芳香杂环吸电子基团为吡啶基、三嗪基等六元杂环，具有TADF性能或电荷分离特征的稳定性好的五元杂环三唑化合物报道较少。因此，需要开发一种玻璃化温度高，成膜性好的具有热活化延迟荧光性能的三唑化合物。
技术实现思路
本专利技术的首要专利技术目的在于提出一种三唑化合物。本专利技术的第二专利技术目的在于提出应用该三唑化合物的发光器件。为了完成本专利技术的目的，采用的技术方案为：本专利技术涉及一种三唑化合物，所述三唑化合物的结构式如通式I所示，其中，X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X10各自独立的表示碳原子或氮原子；Ar1表示C6～36的给电子基团；Ar2表示氢、取代或未取代的C6～36芳香基、取代或未取代的C6～36芳香稠环基；取代基选自卤素、C1～12烷基、C1～12卤素取代的烷基、C6～12芳基、C6～12卤素取代的芳基、C4～12杂芳基和C4～12卤素取代的杂芳基中的一种或多种；a表示0-2的整数，b表示0-2的整数，m表示1-5的整数，n表示1-5的整数。本专利技术还涉及一种发光器件，包括至少一层阳极、至少一层阴极和至少一层有机层层，所述有机层包括通式(I)所述的三唑化合物。本专利技术的技术方案至少具有以下有益的效果：本专利技术的三唑化合物具有对称结构，其合成简单，路线成熟且成本较低。本专利技术的三唑化合物中通过取代基Ar2的自身空间位阻，既保持了原有的TADF性能，同时保证了成膜性，使用该材料的器件具有良好的稳定性。附图说明图1为本专利技术具体实施方式中发光器件的结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例，进一步阐述本申请。应理解，这些实施例仅用于说明本申请而不用于限制本申请的范围。本申请涉及一种结构对称的三唑化合物，具有合成简单，路线成熟且成本较低的优势，该三唑化合物的结构式如通式I所示，其中，X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X10各自独立的表示碳原子或氮原子；Ar1表示C6～36的给电子基团；Ar2表示氢、取代或未取代的C6～36芳香基、取代或未取代的C6～36芳香稠环基；取代基选自卤素、C1～12烷基、C1～12卤素取代的烷基、C6～12芳基、C6～12卤素取代的芳基、C4～12杂芳基和C4～12卤素取代的杂芳基中的一种或多种；a表示0-2的整数，b表示0-2的整数，m表示1-5的整数，n表示1-5的整数。在本专利技术一实施例中，当a＝0时，该三唑化合物的结构式如以下通式II所示：在本专利技术一实施例中，当a＝1时，该三唑化合物的结构式如以下通式III所示：在本专利技术一实施例中，当a＝2时，该三唑化合物的结构式如以下通式IV所示：其中，Xa、Xb、Xc、Xd、Xe各自独立的表示碳原子或氮原子。本专利技术采用的给电子基团可以为咔唑及其衍生基团，或二苯胺及其衍生基团等。通过取代基Ar2的自身空间位阻，既保持了原有的TADF性能，同时保证了成膜性，使用该材料的器件具有良好的稳定性。取代基Ar2主要作用在于调节材料的成膜性，同时也辅助三唑基团提升空间电荷转移能力。当Ar2为芳香稠环基团时，由于空间的立体效应，也可极大提升了取代基Ar2的空间电荷转移能力。除了三唑基团本身作为吸电子基团，能够使化合物产生空间电荷转移之外，还可以通过引入六元含氮杂环基团(如吡啶基团，三嗪基团等)，以进一步增强了材料的空间电荷转移能力。同时由于六元含氮杂环自身的电子传输性能，能够提升材料的电子传输性能，促进了载流子传输平衡，提高了器件稳定性。作为本专利技术三唑化合物的一种改进，当环中不含氮原子或分别有一个、两个、三个氮原子时，三唑化合物的结构式如通式IA、通式IB、通式IC、通式ID、通式IE、通式IF、通式IG、通式IH、通式II、通式IJ、通式IK、通式IL、通式IM或通式IN所示：在上述通式中，Ar1、Ar2所表示的含义与其在通式I中的含义相同。即，Ar1表示C6～36的给电子基团；Ar2表示氢、取代或未取代的C6～36芳香基，或取代或未取代的C6～36芳香稠环基；取代基选自卤素、C1～12烷基、C1～12卤素取代的烷基、C6～12芳基、C6～12卤素取代的芳基、C4～12杂芳基和C4～12卤素取代的杂芳基中的一种或多种。作为本专利技术三唑化合物的一种改进，的结构式如以下之一所示：其中，R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20各自独立的表示氢、卤素、取代或未取代的C1～6烷基、取代或未取代的C6～12芳基，或取代或未取代的C12～24芳胺基；R1、R2各自独立的选自取代或未取代的C1～6烷基，或取代或未取代的C6～12芳基；R11和R12可以通过共价键相连。取代基选自卤素、C1～12烷基、C1～12卤素取代的烷基、C6～12芳基、C6～12卤素取代的芳基、C4～12杂芳基、C4～12卤素取代的杂芳基；A表示C原子或Si原子；Z表示O原子、S原子、亚砜基或砜基；n为0～3的整数。作为本专利技术三唑化合物的一种改进，的结构式如以下之一所示：其中，取代基的含义同上，即取代基选自卤素、C1～12烷基、C1～12卤素取代的烷基、C6～12芳基、C6～12卤素取代的芳基、C4～12杂芳基和C4～12卤素取代的杂芳基中的一种。作为本专利技术三唑化合物的一种改进，Ar2选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的联苯基，和取代或未取代的三联苯基中的任意一种。而取代基选自卤素、C1～12烷基、C1～12卤素取代的烷基、C6～12芳基、C6～12卤素取代的芳基、C4～12杂芳基，和C4～12卤素取代的杂芳基中的任意本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三唑化合物，其特征在于，所述三唑化合物结构式如通式I所示，

【技术特征摘要】
1.一种三唑化合物，其特征在于，所述三唑化合物结构式如通式I所示，其中，X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X10各自独立的表示碳原子或氮原子；Ar1表示C6～36的给电子基团；Ar2表示氢、取代或未取代的C6～36芳香基、取代或未取代的C6～36芳香稠环基；取代基选自卤素、C1～12烷基、C1～12卤素取代的烷基、C6～12芳基、C6～12卤素取代的芳基、C4～12杂芳基和C4～12卤素取代的杂芳基中的一种或多种；a表示0-2的整数，b表示0-2的整数，m表示1-5的整数，n表示1-5的整数。2.根据权利要求1所述的三唑化合物，其特征在于，所述三唑化合物的结构式如通式IA、通式IB、通式IC、通式ID、通式IE、通式IF、通式IG、通式IH、通式II、通式IJ、通式IK、通式IL、通式IM或通式IN所示，其中，Ar1表示C6～36的给电子基团；Ar2表示氢、取代或未取代的C6～36芳香基，或取代或未取代的C6～36芳香稠环基；取代基选自卤素、C1～12烷基、C1～12卤素取代的烷基、C6～12芳基、C6～12卤素取代的芳基、C4～12杂芳基和C4～12卤素取代的杂芳基中的一种或多种。3.根据权利要求1或2所述的三唑化合物，其特征在于，Ar1的结构式如以下之一所示：其中，R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20各自独立的表示氢、卤素、取代或未取代的C1～6烷基、取代或未取代的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄达，曹辰辉，谢再锋，马腾达，
申请(专利权)人：瑞声光电科技常州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32