The invention provides a metal interconnection layer structure, an image sensor comprises a plurality of layer is arranged on the device layer on the metal layer; in the dielectric layer between metal layers; wherein, at least one pair of adjacent metal layers, the vertical bottom surface of a layer of metal layer is lower than the height of a metal layer top surface vertical height.
【技术实现步骤摘要】
图像传感器的金属互联层结构及其形成方法
本专利技术涉及图像传感器,尤其涉及一种图像传感器的金属互联层结构及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是将光信号转化为电信号的半导体器件,现有的图像传感器根据感光元件及运作机理的不同分为CCD和CMOS两种,CMOS图像传感器由于其高集成度等诸多特性已经广泛应用于智能手机、平板电脑、车载、视频监控领域。CMOS图像传感器包括器件层及位于器件层表面的若干金属层;现有的金属层的形成过程为形成金属层,覆盖金属层的介质层,通过平台化工艺将介质层表面平坦,再在介质层表面形成另一金属层。此类做法的工艺实现较容易,但会导致相邻金属层之间距离较大,图像传感器的厚度较大,并且电学性能较差。
技术实现思路
为了减少CMOS图像传感器相邻金属层之间的距离本专利技术提供一种图像传感器的金属互联层结构,包括:设置于器件层上的若干层金属层;位于金属层之间的介质层;其中,在至少一对相邻金属层中,上一层金属层的底面的竖直高度低于下一层金属层的顶面的竖直高度。优选的,所述介质层的厚度大于等于100埃。优选的,所述介质层的材质为:氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。本专利技术还提供一种图像传感器的金属互联层结构的形成方法,包括:依次形成设置于器件层上的若干层金属层及位于相邻金属层之间的介质层;其中,在至少一对相邻金属层中,上一层金属层的底面的竖直高度低于下一层金属层的顶面的竖直高度。优选的,至少一对相邻金属层的形成方法包括:形成下一层金属层;形成第一介质层覆盖于下一金属层上;形成上一层金属层,上一层金属层的底面的竖直高度低于下一层金属层的顶面的竖直高度。优选的,所述介 ...
【技术保护点】
一种图像传感器的金属互联层结构,其特征在于,包括:设置于器件层上的若干层金属层;位于金属层之间的介质层;其中,在至少一对相邻金属层中,上一层金属层的底面的竖直高度低于下一层金属层的顶面的竖直高度。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的金属互联层结构,其特征在于,包括:设置于器件层上的若干层金属层;位于金属层之间的介质层;其中,在至少一对相邻金属层中,上一层金属层的底面的竖直高度低于下一层金属层的顶面的竖直高度。2.根据权利要求1所述的图像传感器的金属互联层结构,其特征在于,所述介质层的厚度大于等于100埃。3.根据权利要求1所述的图像传感器的金属互联层结构,其特征在于,所述介质层的材质为:氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。4.一种图像传感器的金属互联层结构的形成方法,其特征在于,包括:依次形成设置于器件层上的若干层金属...
【专利技术属性】
技术研发人员:李杰,
申请(专利权)人:格科微电子上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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