【技术实现步骤摘要】
用于等离子体处理的装置和等离子体处理腔室
本公开涉及等离子体处理系统。
技术介绍
在等离子体处理中,等离子体形成电离和/或能量激发物质,以与可为例如半导体晶片的工件相互作用。为了形成和/或维持等离子体,一个或多个射频(RF)和/或微波发生器通常产生振荡电场和/或磁场。在一些晶片处理系统中,等离子体是在与所处理的一个或多个晶片相同的位置中产生的;在其他情况下,等离子体在一个位置中产生,并移动至晶片受处理的另一位置。所产生的等离子体通常包含高能和/或高腐蚀性物质和/或高能电子,使得产生它们的设备有时因与高能物质和/或电子接触发生劣化。例如,暴露于高能物质和/或电子的材料可能被蚀刻和/或溅射,从而产生经蚀刻和/或经溅射的材料,所述蚀刻和/或溅射材料可绕各种表面移动并且可反应或沉积在各种表面上。
技术实现思路
在一个实施方式中,一种用于等离子体处理的装置包括:第一等离子体源;第一平面电极;气体分配设备;等离子体阻挡筛网;以及工件卡盘。所述第一等离子体源产生第一等离子体产物。所述第一平面电极包括限定从其中穿过的多个第一孔隙的第一板,所述第一平面电极的第一侧设置为相对于所述第一等离子体源,使得所述第一等离子体产物从所述第一等离子体源离开,穿过所述多个第一孔隙到达所述第一平面电极的第二侧。所述气体分配设备包括限定从其中穿过的多个第二孔隙的第二板,所述气体分配设备的第一侧设置为面对所述第一平面电极的第二侧,使得所述第一等离子体产物继续穿过所述多个第二孔隙到达所述气体分配设备的第二侧。所述等离子体阻挡筛网包括限定从其中穿过的多个第四孔隙的第三板,所述等离子体阻挡筛网的第一侧设置为面 ...
【技术保护点】
一种用于等离子体处理的装置,所述装置包括:第一等离子体源,所述第一等离子体源产生第一等离子体产物;第一平面电极,所述第一平面电极包括限定从其中穿过的多个第一孔隙的第一板,所述第一平面电极的第一侧设置为相对于所述第一等离子体源,使得所述第一等离子体产物从所述第一等离子体源离开,穿过所述多个第一孔隙到达所述第一平面电极的第二侧;气体分配设备,所述气体分配设备包括限定从其中穿过的多个第二孔隙的第二板,所述气体分配设备的第一侧设置为面对所述第一平面电极的第二侧,使得所述第一等离子体产物继续穿过所述多个第二孔隙到达所述气体分配设备的第二侧;等离子体阻挡筛网,所述等离子体阻挡筛网包括限定从其中穿过的多个第四孔隙的第三板,所述等离子体阻挡筛网的第一侧设置为面对所述气体分配设备的第二侧,使得所述第一等离子体产物穿过所述多个第四孔隙到达所述等离子体阻挡筛网的第二侧;以及卡盘,所述卡盘面对所述等离子体阻挡筛网的所述第二侧,所述等离子体阻挡筛网与所述卡盘在其间限定工艺腔室;其中所述第四孔隙具有足够小的大小,以便阻挡所述工艺腔室中产生的等离子体到达所述气体分配设备。
【技术特征摘要】
2015.08.27 US 14/838,0861.一种用于等离子体处理的装置,所述装置包括:第一等离子体源,所述第一等离子体源产生第一等离子体产物;第一平面电极,所述第一平面电极包括限定从其中穿过的多个第一孔隙的第一板,所述第一平面电极的第一侧设置为相对于所述第一等离子体源,使得所述第一等离子体产物从所述第一等离子体源离开,穿过所述多个第一孔隙到达所述第一平面电极的第二侧;气体分配设备,所述气体分配设备包括限定从其中穿过的多个第二孔隙的第二板,所述气体分配设备的第一侧设置为面对所述第一平面电极的第二侧,使得所述第一等离子体产物继续穿过所述多个第二孔隙到达所述气体分配设备的第二侧;等离子体阻挡筛网,所述等离子体阻挡筛网包括限定从其中穿过的多个第四孔隙的第三板,所述等离子体阻挡筛网的第一侧设置为面对所述气体分配设备的第二侧,使得所述第一等离子体产物穿过所述多个第四孔隙到达所述等离子体阻挡筛网的第二侧;以及卡盘,所述卡盘面对所述等离子体阻挡筛网的所述第二侧,所述等离子体阻挡筛网与所述卡盘在其间限定工艺腔室;其中所述第四孔隙具有足够小的大小,以便阻挡所述工艺腔室中产生的等离子体到达所述气体分配设备。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述等离子体阻挡筛网所限定的所述第四孔隙中的每一个的特征为:第一孔隙部分,所述第一孔隙部分从所述等离子体阻挡筛网的所述第一侧延伸,并且限定孔轴以及垂直于所述孔轴的第一孔隙较短侧向尺寸,以及第二孔隙部分,所述第二孔隙部分从所述等离子体阻挡筛网的所述第二侧延伸,并且限定约0.05英寸或更小的第二孔隙较短侧向尺寸,并且所述第二孔隙较短侧向尺寸小于所述第一孔隙较短侧向尺寸;其中所述第一孔隙部分和所述第二孔隙部分轴向邻接,以从所述等离子体阻挡筛网的所述第一侧延伸到所述第二侧,从而形成所述第四孔隙。3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述等离子体阻挡筛网在所述等离子体阻挡筛网面对着所述卡盘的区域内限定每平方英寸至少10个所述第四孔隙。4.根据权利要求2所述的装置,其特征在于:所述第二孔隙部分限定其邻接所述第一孔隙部分处的所述第二孔隙较短侧向尺寸;所述第二孔隙部分的至少一部分从所述孔轴向外朝所述第二侧张开;并且至少所述等离子体阻挡筛网的所述第二侧、以及所述第二孔隙部分的表面包括陶瓷涂层。5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,至少所述等离子体阻挡筛网被保持为电接地的,并且围绕所述工艺腔室的周边与支撑结构电连接;并且所述卡盘可切换地连接至射频(RF)功率源或从射频(RF)功率源脱离,使得当连接所述射频功率源时,在所述工艺腔室内产生所述等离子体。6.根据权利要求5所述的装置,其进一步包括陶瓷环,所述陶瓷环围绕所述工艺腔室的所述周边设置,使得所述陶瓷环插置在所述卡盘与所述支撑结构之间。7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于:所述等离子体阻挡网筛中的部分以及所述陶瓷环设置在所述支撑结构的一部分的顶部,并且所述陶瓷环的厚度受控制以在所述陶瓷环与所述等离子体阻挡网筛之间提供间隙。8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述陶瓷环包含具有在0.0001至0.1的范围内的损耗角正切值的材料。9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述气体分配设备还进一步限定气体通道,所述气体通道从所述气体分配设备周边延伸到限定在所述气体分配设备的所述第二侧而不在所述气体分配设备的所述第一侧的多个第三孔隙,使得引入所述气体通道中的工艺气体出现在所述气体分配设备的所述第二侧上。10.一种等离子体处理腔室,所述等离子体处理腔室包括:工件保持器;以及平面电极;所述平面电极跨其中心区域限定以一定厚度分开的平行且相对的第一平面表面和第二平面表面,所述第二平面表面设置为面对所述工件夹具工件保持器,所述平面电极限定从其中穿过的多个孔隙,其中所述孔隙中的每者的特征为:第一孔隙部分,所述第一孔隙部分限定孔轴以及垂直于所述孔轴的第一孔隙较短侧向尺寸,所述第一孔隙部分从所述第一平面表面延伸穿过所述厚度的至少一半,以及第二孔隙部分,所述第二孔隙部分:限定第二孔隙较短侧向尺寸,所述第二孔隙较短侧向尺寸小于所述第一孔隙较短侧向尺寸,并且从所述第二平面表面延伸穿过所述厚度的不到一半;其中所述第一孔隙部分和所述第二孔隙部分轴向邻接,以使所述孔隙为从所...
【专利技术属性】
技术研发人员:T·Q·特兰,S·朴,Z·翁,D·卢博米尔斯基,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:新型
国别省市:美国,US
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