半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体封装结构及其形成方法。其中该半导体封装结构包括：半导体主体；互连结构，设置在该半导体主体的表面上；模塑料，围绕该半导体主体及该互连结构；以及重分布层结构，设置在该互连结构及该模塑料上；其中，该模塑料的一部分在该重分布层结构及该半导体主体之间延伸，并且该部分的模塑料位于该半导体主体的表面的正下方。本发明专利技术实施例的半导体封装结构，具有好的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种半导体封装结构及其形成方法，例如封装上封装(Package-on-Package，PoP)结构及其形成方法。
技术介绍
半导体封装不仅能够为封装于其中的半导体晶粒提供免受环境污染的保护，而且也能够提供该半导体晶粒与印刷电路板(PCB)之间的电连接。例如，半导体晶粒封闭于封装材料中，并且线路(trace)电性连接至该半导体晶粒及该印刷电路板。但是，半导体晶粒与封装材料之间的黏合性差。可以轻易在两种材料的界面处(诸如半导体晶粒与封装材料之间的界面)引起脱层。另外，集中于两种材料的界面处的应力可能导致线路破裂。如此，期望一种创新的半导体封装结构及其形成方法。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构及其形成方法，可以提高可靠性。本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：半导体主体；互连结构，设置在该半导体主体的表面上；模塑料，围绕该半导体主体及该互连结构；以及重分布层结构，设置在该互连结构及该模塑料上；其中，该模塑料的一部分在该重分布层结构及该半导体主体之间延伸，并且该部分的模塑料位于该半导体主体的表面的正下方。其中，该互连结构露出该半导体主体的表面的一部分，该部分的模塑料直接接触该半导体主体的表面的露出的部分。其中，该互连结构包括：介电层，设置在该半导体主体的表面上；绝缘层，设置在该介电层的表面上，并且该介电层位于该半导体主体与该绝缘层之间；以及导电结构，耦接至该重分布层结构，并且该介电层围绕该导电结构的底部，绝缘层围绕该导电结构的顶部。其中，该介电层完全覆盖该半导体主体的表面，该绝缘层露出该介电层的表面的部分；其中，该部分的模塑料夹在该重分布层结构和该介电层的表面的露出的部分之间。其中，该半导体主体的长度大于该绝缘层的长度；或者，该部分的模塑料堆叠在该半导体主体的表面上；或者，该部分的模塑料的侧壁与该半导体主体的侧壁不共平面；或者，该部分的模塑料围绕该绝缘层。本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：半导体主体；导电垫，设置在该半导体主体的表面的下方；重分布层结构，位于在该半导体主体的下方；导电结构，位于该导电垫及该重分布层结构之间，其中该半导体主体的表面面向该重分布层结构；绝缘层，位于该半导体主体的该表面与该重分布层结构之间，其中该表面的部分从该绝缘层中露出；以及模塑料，围绕该半导体主体并且覆盖该表面的该部分。其中，该模塑料从该半导体主体的侧壁横向地延伸至该绝缘层的侧壁。其中，该模塑料的延伸长度介于1μm～200μm之间。其中，该模塑料的邻接该绝缘层的侧壁与该半导体主体的侧壁不共平面；或者，覆盖该表面的该部分的模塑料夹在该重分布层结构与该半导体主体之间。其中，进一步包括：导电通孔结构，耦接至该重分布层结构；其中，该模塑料的第一部分位于该导电通孔结构与该绝缘层之间，该模塑料的第二部分位于该导电通孔结构与该半导体主体之间，并且该模塑料的第一部分的宽度大于该模塑料的第二部分的宽度。其中，进一步包括：黏合层，其中，该半导体主体的一部分位于该黏合层与该绝缘层之间以及另一部分位于该黏合层与该模塑料之间。本专利技术实施例提供了一种形成半导体封装结构的方法，包括：提供晶粒，其中该晶粒包括：半导体主体；导电结构，设置在该半导体主体的表面上；以及绝缘层，围绕该导电结构，其中该半导体主体的表面的部分从该绝缘层中露出；形成围绕该半导体主体及覆盖该半导体主体的表面的露出的部分的模塑料；以及在该模塑料及该绝缘层上形成重分布层结构。其中，形成该晶粒的步骤包括：在该绝缘层中形成第一开口，以露出该半导体主体的表面的部分；以及在该半导体主体中形成沿该第一开口方向的第二开口。其中，该第一开口宽于该第二开口。其中，该第一开口与该第二开口连通。其中，在形成该模塑料之后，该方法进一步包括：对该模塑料执行减薄工艺。本专利技术实施例提供了一种形成半导体封装结构的方法，包括：提供晶粒，其中该晶粒包括：半导体主体；介电层，设置在该半导体主体的表面上；以及绝缘层，设置在该介电层的表面上，其中该介电层位于该半导体主体与该绝缘层之间，该介电层的表面的一部分从该绝缘层中露出；形成围绕该半导体主体及覆盖该介电层的表面的露出的部分的模塑料，；以及在该模塑料及该绝缘层上形成重分布层结构。本专利技术实施例的有益效果是：以上的半导体封装结构，部分的模塑料在重分布层结构和半导体主体之间延伸，并且该部分的模塑料是位于半导体主体的正下方的，因此该部分的模塑料可以作为释放应力的缓冲层，以提高半导体封装接结构的可靠性。附图说明通过阅读接下来的详细描述以及参考附图所做的示例，可以更全面地理解本专利技术，其中：图1A～1G为根据本专利技术一些实施例的形成半导体封装结构的方法中的各阶段的横截面示意图；图2A～2B为根据本专利技术一些实施例的形成半导体封装结构的方法中的各阶段的横截面示意图；图3为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构的横截面示意图；图4为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构的横截面示意图。具体实施方式以下描述为实现本专利技术的较佳预期模式。该描述仅出于说明本专利技术一般原理的目的，而不应视为限制。本专利技术的范围可参考所附的权利要求来确定。参考特定实施例与参考确定的附图来描述本专利技术，但是本专利技术不限制于此，并且本专利技术仅由权利要求来限定。描述的附图仅是示意图而非限制。在附图中，出于说明目的而夸大了某些元件的尺寸，并且某些元件的尺寸并非按比例绘制。图中的尺寸及相对尺寸不对应本专利技术实践中的真实尺寸。图1A～1G为根据本专利技术一些实施例的形成半导体封装结构的方法中的各阶段的横截面示意图。在图1A～1G中描述的各阶段之前、期间及/或之后，可以提供额外的操作。对于不同实施例，可以替换或者取消描述的该些阶段中的部分。额外的特征(如结构)可以添加至该半导体封装结构。对于不同的实施例，可以替换或者取消以下描述的特征中的部分。为了简化图形，在图1A～1G中仅绘示了半导体封装结构的部分。如图1A所示，提供了半导体主体100。在一些实施例中，该半导体主体100可以为晶圆或者面板(panel)。该半导体主体100可以包括：至少一个芯片区110。在一些实施例中，该半导体主体100包括：半导体材料，诸如硅或者另一合适的半导体材料。互连结构形成于该半导体主体100的表面100a上，该表面100a可被称为有源面。在一些实施例中，该互连结构包括：多个导电垫120和介电层130。如图1A所示，该多个导电垫120位于每个芯片区110中的表面100a上。介电层130位于表面100a上并且覆盖每个导电垫120的部分。该互连结构可以进一步包括：至少一条导电线路，层间介电(InterlayerDielectric，ILD)层和金属间介电(Inter-MetalDielectric，IMD)层，位于导电垫120及介电层130的下面。例如，导电垫120为互连结构中的最上层的导电线路。介电层130为互连结构中的最上层的介电层并且可被称为“钝化层”。为了简化图形，此中仅描绘了导电垫120与介电层130作为示例。如图1A所示，该互连结构可以进一步包括：多个导电结构140形成于介电层130的多个开口中，其中开口露出对应的导电垫120的部分。导电结构140伸出介电层130。换言之，介电层130本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：半导体主体；互连结构，设置在该半导体主体的表面上；模塑料，围绕该半导体主体及该互连结构；以及重分布层结构，设置在该互连结构及该模塑料上；其中，该模塑料的一部分在该重分布层结构及该半导体主体之间延伸，并且该部分的模塑料位于该半导体主体的表面的正下方。

【技术特征摘要】
2015.10.05 US 62/237,267;2016.07.15 US 15/212,1251.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：半导体主体；互连结构，设置在该半导体主体的表面上；模塑料，围绕该半导体主体及该互连结构；以及重分布层结构，设置在该互连结构及该模塑料上；其中，该模塑料的一部分在该重分布层结构及该半导体主体之间延伸，并且该部分的模塑料位于该半导体主体的表面的正下方。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该互连结构露出该半导体主体的表面的一部分，该部分的模塑料直接接触该半导体主体的表面的露出的部分。3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该互连结构包括：介电层，设置在该半导体主体的表面上；绝缘层，设置在该介电层的表面上，并且该介电层位于该半导体主体与该绝缘层之间；以及导电结构，耦接至该重分布层结构，并且该介电层围绕该导电结构的底部，该绝缘层围绕该导电结构的顶部。4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该介电层完全覆盖该半导体主体的表面，该绝缘层露出该介电层的表面的部分；其中，该部分的模塑料夹在该重分布层结构和该介电层的表面的露出的部分之间。5.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该半导体主体的长度大于该绝缘层的长度；或者，该部分的模塑料堆叠在该半导体主体的表面上；或者，该部分的模塑料的侧壁与该半导体主体的侧壁不共平面；或者，该部分的模塑料围绕该绝缘层。6.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：半导体主体；导电垫，设置在该半导体主体的表面的下方；重分布层结构，位于在该半导体主体的下方；导电结构，位于该导电垫及该重分布层结构之间，其中该半导体主体的表面面向该重分布层结构；绝缘层，位于该半导体主体的该表面与该重分布层结构之间，其中该表面的部分从该绝缘层中露出；以及模塑料，围绕该半导体主体并且覆盖该表面的该部分。7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，该模塑料从该半导体主体的侧壁横向地延伸至该绝缘层的侧壁。8.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘乃玮，林子闳，彭逸轩，萧景文，黄伟哲，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71