发光二极管封装件制造技术

本实用新型专利技术涉及发光二极管封装件，本实用新型专利技术一个实施例的发光二极管封装件可以包括：引线框架，其包括相互隔开的第1引线部件及第2引线部件；外壳，其支撑所述引线框架，包括使所述第1引线部件及第2引线部件中的任意一个以上的上面一部分露出的第1区域；及发光二极管芯片，其贴装于所述外壳的第1区域；所述外壳还包括形成于上端的上端面和从所述外壳的外侧向所述第1区域侧倾斜地延伸的反射面，所述上端面与所述反射面之间可以形成有错层。根据本实用新型专利技术，舒缓地形成发光二极管封装件的外壳内侧壁的倾斜角度，因而能够提高发光二极管封装件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管封装件，更详细而言，涉及一种在外壳上形成有反射面的发光二极管封装件。
技术介绍
发光二极管作为把借助电子与空穴的复合而发生的光释放到外部的无机半导体元件，最近正在显示装置、汽车灯、普通照明等多种领域中使用。这种发光二极管具有寿命长、耗电低、响应速度快的优点。因此，利用发光二极管的发光装置在多样的领域被用于光源。以往的发光二极管封装件在发光二极管芯片配置于引线框架上的状态下，被外壳封装。而且，外壳的内侧壁具有预定的角度，以便从发光二极管芯片发光的光能够在封装的外壳的内侧壁反射。此时，发光二极管芯片与引线框架的电气连接可以利用金属线，为了对发光二极管芯片进行引线键合，在发光二极管芯片与外壳的内侧壁之间，需要形成既定以上的空间。可是，在外壳的大小既定的状态下，为了确保供发光二极管芯片贴装的空间，外壳的内侧壁只能近于垂直地形成，因此，存在外壳的内侧壁无法更大地发挥作为反射面的作用的问题。
技术实现思路
技术问题本技术要解决的课题是提供一种能够通过在外壳的内侧壁中的反射而提高发光效率的发光二极管封装件。技术方案本技术提供一种发光二极管封装件，包括：引线框架，其包括相互隔开的第1引线部件及第2引线部件；外壳，其支撑所述引线框架，包括使所述第1引线部件及第2引线部件中的任意一个以上的上面一部分露出的第1区域；及发光二极管芯片，其贴装于所述外壳的第1区域；所述外壳还包括形成于上端的上端面和从所述外壳的外侧向所述第1区域侧倾斜地延伸的反射面，所述上端面与所述反射面之间形成有错层。技术效果根据本技术，舒缓地形成发光二极管封装件的外壳内侧壁的倾斜角度，因而能够提高发光二极管封装件的发光效率。而且，如上所述，为了提高发光二极管封装件的发光效率而舒缓地形成外壳内侧壁的倾斜角度，因而防止能够贴装发光二极管芯片的引线框架的露出区域大小减小，为此，外壳内侧壁包括第1反射面及第2反射面，使第2反射面的倾斜角度大于第1反射面的倾斜角度，从而能够防止引线框架的露出区域的大小减小。另外，加大作为反射面的外壳的内侧壁末端的倾斜角度，从而能够使可贴装发光二极管芯片的空间实现最大化。进一步地，使外壳内侧壁的末端角度为90以下，使得末端反射的光也释放到外部，从而能够提高发光二极管封装件的发光效率。而且，外壳的上部面具有预定的宽度，并凸出使得与反射面具有错层，因而在向外壳的内侧填充密封材料并形成的过程中，能够防止密封材料溢出到外壳的外部。进一步地，使角侧宽度更大于外壳上部面的侧面侧宽度，即使在制作工序中发生外部冲击，也能够防止发生外壳破裂等问题。另外，可以形成得外壳上部面的角侧的形状具有曲线，反射面的形状也具有曲线，使得能够提高发光二极管芯片发光的光在角侧的反射面进行反射的效率。另外，第2区域在外壳上形成，使第2引线部件露出，使得在第1区域与第2区域之间，外壳凸出于上部而形成，因而发光二极管芯片释放的光不直接到达齐纳二极管，具有能够使因齐纳二极管导致的光损失实现最小化的效果。另外，配置于第1区域与第2区域之间的隔壁的上面包括第1反射面、第2反射面及第2倾斜面，随着第2倾斜面从第2反射面向第2区域侧向下倾斜，使得把齐纳二极管引线键合于第1区域的第1引线部件的工序容易，引线的长度变短，从而具有能够减小因引线导致的光干扰的效果。附图说明图1是图示本技术第1实施例的发光二极管封装件的立体图；图2是图示本技术第1实施例的发光二极管封装件的俯视图；图3是沿图2的截取线AA′截取的剖面图。图4是图示本技术第2实施例的发光二极管封装件的立体图；图5是图示本技术第2实施例的发光二极管封装件的俯视图；图6是沿图5的截取线AA′截取的剖面图。图7是图示本技术第2实施例的发光二极管封装件中包括密封材料的情形的示例图；图8是图示本技术第3实施例的发光二极管封装件的立体图；图9是图示本技术第3实施例的发光二极管封装件的俯视图；图10是沿图2的截取线AA′截取的剖面图；图11是图示本技术第4实施例的发光二极管封装件的剖面图；图12是图示本技术第5实施例的发光二极管封装件的剖面图；图13是图示本技术第6实施例的发光二极管封装件的剖面图；图14是图示本技术第7实施例的发光二极管封装件的剖面图。附图标记说明100：发光二极管封装件110：发光二极管芯片120：引线框架122：第1引线部件124：第2引线部件130：外壳132：第1反射面134：第2反射面136：槽138：上端面139：隔壁139a：第1倾斜面139b：第2倾斜面139c：垂直面140：齐纳二极管150：密封材料h1、h2：第1区域、第2区域具体实施方式本技术一个实施例的发光二极管封装件可以包括：引线框架，其包括相互隔开的第1引线部件及第2引线部件；外壳，其支撑所述引线框架，包括使所述第1引线部件及第2引线部件中的任意一个以上的上面一部分露出的第1区域；及发光二极管芯片，其贴装于所述外壳的第1区域；所述外壳包括在上端形成的上端面和从所述外壳的外侧向所述第1区域侧倾斜地延伸的反射面，在所述上端面与所述反射面之间可以形成有错层。而且，所述外壳的上端面可以包括包含第1直线与曲线的内廓线和包含第2直线的外廓线。另外，所述曲线与邻接的第2曲线之间的距离可以大于所述第1直线与邻接的第2直线之间的距离。而且，所述外壳上端面的外廓线可以为矩形形状。另外，就所述外壳的上端面而言，所述外壳的侧面侧的宽度与角侧的宽度可以互不相同。其中，所述角侧的宽度可以为所述侧面侧宽度的3倍至7倍。而且，所述外壳可以还包括为了焊接所述发光二极管芯片而使所述第1引线部件及第2引线部件中的另一个的上面一部分露出的第2区域。其中，可以还包括贴装于所述第2区域的齐纳二极管。另外，可以还包括贴装于所述引线框架上并位于所述外壳内的齐纳二极管。此时，所述发光二极管芯片可以包括：n型半导体层；p型半导体层；及介于所述n型半导体层及p型半导体层之间的活性层；可以还包括覆盖所述第1区域及反射面的密封材料。而且，所述外壳可以具有两条以上的边，位于所述两条以上的边侧的所述反射面的宽度为邻接所述反射面的上端面的宽度的4倍至7倍。下面参照附图，对本技术的优选实施例进行更具体说明。图1是图示本技术第1实施例的发光二极管封装件的立体图，图2是图示本技术第1实施例的发光二极管封装件的俯视图，而且，图3是沿图2的截取线AA′截取的剖面图。如图1及图2所示，本技术第1实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片110、引线框架120、外壳130及齐纳二极管140。发光二极管芯片110具备一个以上，配置于引线框架120上。另外，借助于外部供应的电源，一个以上的发光二极管芯片110可以释放光，从发光二极管芯片110释放的光可以释放到外部。这种发光二极管芯片110如图3所示，包括n型半导体层116、活性层114及p型半导体层112。n型半导体层116、活性层114及p型半导体层112可以分别包括III-V族系列的化合物半导体，作为一个示例，可以包括诸如(Al、Ga、In)N的氮化物半导体。在本实施例中，对在n型半导体层116上部形成有活性层114、在活性层114上部形成有p型半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装件，其特征在于，包括：引线框架，其包括相互隔开的第1引线部件及第2引线部件；外壳，其支撑所述引线框架，包括使所述第1引线部件及第2引线部件中的任意一个以上的上面一部分露出的第1区域；及发光二极管芯片，其贴装于所述外壳的第1区域；所述外壳还包括形成于上端的上端面和从所述外壳的外侧向所述第1区域侧倾斜地延伸的反射面，所述上端面与所述反射面之间形成有错层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装件，其特征在于，包括：引线框架，其包括相互隔开的第1引线部件及第2引线部件；外壳，其支撑所述引线框架，包括使所述第1引线部件及第2引线部件中的任意一个以上的上面一部分露出的第1区域；及发光二极管芯片，其贴装于所述外壳的第1区域；所述外壳还包括形成于上端的上端面和从所述外壳的外侧向所述第1区域侧倾斜地延伸的反射面，所述上端面与所述反射面之间形成有错层。2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其特征在于，所述外壳的上端面包括包含第1直线与曲线的内廓线和包含第2直线的外廓线。3.根据权利要求2所述的发光二极管封装件，其特征在于，所述曲线与邻接的第2曲线之间的距离大于所述第1直线与邻接的第2直线之间的距离。4.根据权利要求2所述的发光二极管封装件，其特征在于，所述外壳的上端面的外廓线为矩形形状。5.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其特征在于，在所述外壳的上端面中，所述外壳的侧面侧的宽度与角侧的宽度互不相同。6.根据权利要求5所述的发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：金赫骏，李亨根，
申请(专利权)人：首尔半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR