元器件内置多层基板制造技术

多层基板(101)包括：层叠体(1)，该层叠体(1)通过层叠多个绝缘性基材(2)而形成；第一元器件(31)，该第一元器件(31)在层叠体(1)内部配置成在层叠体(1)的厚度方式上具有第一高度；第二元器件(32)，该第二元器件(32)在层叠体(1)内部配置成具有不同于所述第一高度的第二高度，且配置为在俯视时部分或全部与第一元器件(31)的部分相重叠；以及补充构件(4)，该补充构件(4)的刚性高于绝缘性基材(2)，且配置成在厚度方向上位于第二元器件(32)的下端以上且上端以下的高度范围内，且俯视时其至少一部分存在于第一元器件(31)的投影区域中不与第二元器件(32)相重叠的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及多层基板。
技术介绍
可能会在由热塑性树脂构成的树脂膜层叠而形成的多层基板中内置有电子元器件。在专利特开2008-141007号公报(专利文献1)中记载了具有下述目的的专利技术：即，降低作用于内置于上述多层基板的电子元器件的应力，抑制电子元器件所受到的损伤。专利文献1中，设置有用于使电子元器件插入到形成多层基板的多个树脂膜中的部分树脂膜的贯通孔。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2008-141007号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题将元器件内置于树脂多层基板内时的布线的高密度化正在不断推进。内置于一个树脂多层基板中的元器件彼此之间在俯视时可能成为相重叠的位置关系。内置的元器件中也可能存在易碎的元器件。例如IC(Integrated Circuit:集成电路)那样面积较大且较薄的元器件可能较为易碎。在包含有上述易碎元器件的多个元器件在俯视时在一个树脂多层基板的内部呈相重叠的位置关系时，易碎元器件可能会在统一层叠时发生开裂这样的不良情
况。在柔性基板中内置有元器件的情况下，可能发生因柔性基板在使用中被弯曲从而引起应力作用于元器件的情况。特别是在俯视时多个元器件以相重叠的方式进行内置的树脂多层基板被弯曲使用的情况下，元器件会处于易碎的严酷环境。在高密度地内置元器件的情况下，该倾向特别显著。因而，在该情况下也同样需要使内置元器件不易碎的对策。专利文献1中所记载的专利技术中，仅使得电子元器件的插入方向上的高度小于形成有贯通孔的树脂膜的厚度，但并未考虑在一个树脂多层基板的内部内置有多个元器件且在俯视时元器件呈彼此重叠的位置关系的情况。此处，本专利技术的目的在于提供一种即使在内置于一个多层基板中的元器件彼此在俯视时呈相重叠的位置关系的情况下、内置元器件也不易碎的多层基板。解决技术问题所采用的技术手段为了实现以上目的，基于本专利技术的多层基板包括：层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘性基材而形成；第1元器件，该第1元器件在所述层叠体内部配置成在所述层叠体的厚度方向上具有第一高度；第2元器件，该第2元器件在所述层叠体内部配置成具有不同于所述第一高度的第二高度，且配置成在俯视时部分或全部与所述第1元器件的部分相重叠；以及补充构件，该补充构件的刚性高于所述绝缘性基材，且配置成在厚度方向上位于所述第2元器件的下端以上且上端以下的高度范围内，且俯视时其至少一部分存在于所述第1元器件的投影区域中不与所述第2元器件相重叠的范围内。专利技术效果根据本专利技术，将比绝缘性基材2的刚性要高的补充构件配置成如下：即，
至少一部分存在于所述第1元器件的投影区域中不与所述第2元器件相重叠的范围内，因此，能消除第1元器件易碎的状态。即，根据本专利技术，能提高内置元器件不易碎的多层基板。附图说明图1是基于本专利技术的实施方式1的多层基板的剖视图。图2是基于本专利技术的实施方式1的多层基板的底面透视图。图3是基于本专利技术的实施方式1的多层基板中所包含的补充构件的立体图。图4是基于本专利技术的实施方式2的多层基板的剖视图。图5是基于本专利技术的实施方式3的多层基板的剖视图。图6是基于本专利技术的实施方式4的多层基板的剖视图。图7是基于本专利技术的实施方式5的多层基板的剖视图。图8是基于本专利技术的实施方式5的多层基板中所包含的补充构件的立体图。图9是基于本专利技术的实施方式5的多层基板中所包含的补充构件的变形例的立体图。图10是基于本专利技术的实施方式6的多层基板的剖视图。图11是基于本专利技术的实施方式6的多层基板的底面透视图。图12是基于本专利技术的实施方式7的多层基板的剖视图。图13是基于本专利技术的实施方式8的多层基板的剖视图。图14是基于本专利技术的实施方式9的多层基板的剖视图。图15是基于本专利技术的实施方式10的多层基板的剖视图。图16是基于本专利技术的实施方式10的多层基板的底面透视图。图17是基于本专利技术的实施方式10的多层基板的变形例的剖视图。图18是基于本专利技术的实施方式10的多层基板的变形例的底面透视图。图19是基于本专利技术的实施方式11的多层基板的剖视图。图20是基于本专利技术的实施方式11的多层基板的底面透视图。具体实施方式(实施方式1)参照图1至图3，说明基于本专利技术的实施方式1的多层基板101。如图1所示，多层基板101包括：层叠体1，该层叠体1通过层叠多个绝缘性基材2而形成；第1元器件31，该第1元器件31配置成在层叠体1的内部在层叠体1的厚度方向上具有第一高度；以及第2元器件32，该第2元器件32配置成在层叠体1的内部具有不同于所述第一高度的第二高度，且配置成俯视时部分或全部与第1元器件31的部分相重叠。还具有补充构件4，该补充构件4的刚性高于绝缘性基材2，且配置成如下：即，在厚度方向上位于第2元器件32的下端以上且上端以下的高度范围内，并且在俯视时，其至少一部分存在于第1元器件31的投影区域中的不与第2元器件32相重叠的区域的范围内。如图1所示，多层基板101除了包括第1元器件31及第2元器件32之外，还可以包括元器件3。多层基板101的内部还可以包括层间连接导体6及导体图案7。在图1所示的例子中，多层基板101在最下层具有外部电极18，但这仅是一个示例，外部电极18的有无、个数、形状等都不限于此。例如，除了最下层的外部电极之外，或者代替最下层的外部电极，也可以在最上层设置外部电极。为了进一步明确第1元器件31、第2元器件32及补充构件4的位置关系，图2中示出了从下方透视多层基板101而得到的状态。在图2中，为了方便说明，仅示出第1元器件31、第2元器件32及补充构件4。对于之后示出的其他透视图，也同样适用该方式。第1元器件31大于第2元器件32，第2元器件以在第1元器件31的中央附
近重叠的方式进行配置，因此，在图2中，在第2元器件32的周围，第1元器件31的未与第2元器件32相重叠的区域扩展。该区域中重叠有补充构件4。补充构件4的外缘与第1元器件31的外缘大致一致。补充构件4由与导体图案7为相同材料所形成的导体图案构成。图3中示出了从多层基板101中单独提取出补充构件4的情况。在该例中，补充构件4是对形成为框状的导体图案进行三层组合而成的集合体。补充构件4包括导体图案401、导体图案402、导体图案403。属于一个补充构件4的导体图案彼此之间可以如上述那样相互隔开。属于补充构件4的各个导体图案401、402、403能利用与现有导体图案7相同的方式进行制作。在本实施方式中，将比绝缘性基材2的刚性要高的补充构件4配置成如下：即，其至少一部分存在于所述第1元器件31的投影区域中不与所述第2元器件32相重叠的范围内，因此，能消除第1元器件31易碎的状态。即，本实施方式中能提供一种即使在内置于一个多层基板中的元器件彼此在俯视时呈相重叠的位置关系的情况下、内置元器件也不易碎的多层基板。在图2所示的例子中，配置为补充构件4整体正好收纳于第1元器件31的未与第2元器件32相重叠的区域中，但是并非补充构件4必需整体收纳于该区域中。只要补充构件4的至少一部分收纳于该区域中即可。此外，优选至少补充构件4的主要部分收纳于该区域中。此处所谓的主要部分是指若以俯视时的面积进行比较则占一半以上的部分。如本实施方式所示那样，优选补充构件4的外缘在俯视时会与第1元器件31的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层基板，其特征在于，包括：层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘性基材而形成；第1元器件，该第1元器件在所述层叠体内部配置成在所述层叠体的厚度方向上具有第一高度；第2元器件，该第2元器件在所述层叠体内部配置成具有不同于所述第一高度的第二高度，且配置成在俯视时部分或全部与所述第1元器件的部分相重叠；以及补充构件，该补充构件的刚性高于所述绝缘性基材，并且配置成在厚度方向上位于所述第2元器件的下端以上且上端以下的高度范围内，且俯视时其至少一部分存在于所述第1元器件的投影区域中不与所述第2元器件相重叠的范围内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.10 JP 2014-0811231.一种多层基板，其特征在于，包括：层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘性基材而形成；第1元器件，该第1元器件在所述层叠体内部配置成在所述层叠体的厚度方向上具有第一高度；第2元器件，该第2元器件在所述层叠体内部配置成具有不同于所述第一高度的第二高度，且配置成在俯视时部分或全部与所述第1元器件的部分相重叠；以及补充构件，该补充构件的刚性高于所述绝缘性基材，并且配置成在厚度方向上位于所述第2元器件的下端以上且上端以下的高度范围内，且俯视时其至少一部分存在于所述第1元器件的投影区域中不与所述第2元器件相重叠的范围内。2.如权利要求1所述的多层基板，其特征在于，所述补充构件的外缘在俯视时与所述第1元器件的投影区域中的、不与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大坪喜人，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP