本发明涉及移送对象物的载体移送设备和将其包括的物品保管系统还有物品保管系统的载体安放方法。载体移送设备包括：工作台，具备被安放载体的安放面，所述载体容纳有物品；移送单元，通过在所述工作台的安放面中形成的通孔升降，并用于支承所述载体的下面...

本公开提供一种电源面板、电源结构以及用于运送基板的设施。根据本公开的电源面板包括：电源主体，供应电力；以及散热部，包括入口和出口，空气通过安装在所述电源主体中的散热风扇经由所述入口被吸入到所述电源主体中，并且空气通过所述散热风扇从所述电...

本发明提供了一种基板加工装置和基板加工方法，其能够通过使用等离子体加工基板。该基板加工装置包括：工艺腔室，其提供加工基板的内部空间；自旋卡盘，其用作下电极、在工艺腔室的内部空间中支承基板并且旋转支承的基板；以及等离子体生成单元，其安装在...

本发明涉及当利用光谱来检查诸如晶片等的目标对象时，以准直的光的形式选择性地调节照明光的数值孔径，从而防止由照明光引起的衍射现象的检查设备和检查方法。检查设备可以包括：相机单元，设置在目标对象的上方；照射单元，被配置成用照明光照射目标对象...

提供一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：一腔室，所述腔室包括一处理空间；一支撑台，所述支撑台设置在所述腔室的所述处理空间内且配置成支撑一基板；一介电板，所述介电板覆盖所述腔室的一上壁中的一开口；一透明电极，所述透明电极设置在所述介电...

本发明公开一种基板处理设备，所述基板处理设备包含一处理室，具有一处理空间，一基板在所述处理空间中被等离子体处理，及具有一透明窗口；一气体流动单元，向所述处理室供应和排放一工艺气体；以及一激光照射器，从所述处理室的一外部空间通过所述透明窗...

本发明涉及一种基板处理装置。公开了一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理方法包括通过向基板照射激光来去除一部分薄膜，并且在去除一部分薄膜之后，通过向基板供应化学品来去除剩余部分的薄膜。

本发明的实施例将提供可以抑制发热的电力供应装置以及包括其的半导体制造设备、移送系统。根据本发明的半导体制造设备中向移送装置供应电力的电力供应装置包括：导电性材料的第一基底部件，沿着所述移送装置的移动路径设置；第二基底部件，形成在所述第一...

一种用于防止悬浮台堵塞的装置，其包括：移动构件，在用于提升基板的悬浮台与设置在悬浮台上方的喷嘴之间移动；以及盖，安装在移动构件上，并且通过移动构件在悬浮台与喷嘴之间移动，以覆盖悬浮台。

本发明的实施例旨在提供能够防止输送台车的冲撞危险并当冲撞时最小化部件破损的输送台车以及具备其的物品输送系统。根据本发明的在制造工厂中传送物品的输送台车包括：行驶单元，沿着行驶轨道行驶；以及吊车单元，在所述行驶单元的下方支承物品。所述吊车...

本发明提供了一种检查温度控制系统的方法。该方法包括：基于温度控制系统的电流测量值生成测量矩阵；基于测量矩阵计算与测量矩阵具有相同维度的变换矩阵；基于变换矩阵计算与测量矩阵具有相同维度的辅助矩阵；以及基于辅助矩阵与变换矩阵之间的差运算来计...

本发明公开了一种设备进度控制方法和装置，该设备进度控制方法和装置能够通过虚拟地模拟设备的操作而在各种环境中根据最优进度来操作设备，该方法包括：(a)从设备终端或操作员终端接收与设备的操作相关的参数信息；(b)通过使用该参数信息生成反映当...

一种基板处理模块及激光束提供方法，所述基板处理模块包括多个基板处理装置，每一个基板处理装置包括其中具有一处理空间的一处理室，用于在所述处理空间中支撑一基板的一支撑单元，用于供应一处理气体到所述处理空间中的一气体供应单元，用于从供应到所述...

一种用于显示器制造的喷墨装置以及一种基板处理设备。所述用于显示器制造的喷墨装置包括喷嘴单元，所述喷嘴单元具有排放口以用于将墨水排放到基板上；充电单元，所述充电单元设置在所述喷嘴单元的一侧并对所述墨水充电；以及加速电极，所述加速电极隔着所...

本发明提供了一种动力部和驱动轴分离、防止驱动轴屈曲并且直线度得到改善的芯片分离器、使用所述芯片分离器分离芯片的方法及包括所述芯片分离器的贴片装置。在一实施例中，所述芯片分离器包括：分离器部件，用于分离切割胶带上的芯片；罩体，用于贴紧所述...

本发明构思提供了缓冲腔室、基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置包括：批量式处理浴，该批量式处理浴用于以批量式方式处理基板；单一式处理腔室，该单一式处理腔室用于以单一式方式处理该基板；以及缓冲腔室，该缓冲腔室定位在在该批量式处理腔室...

本公开涉及一种蚀刻气体组合物、一种基底处理设备和一种图案形成方法。所述蚀刻气体组合物包括至少两种C3或C4有机氟化合物、以及氟化钽，并且所述至少两种C3或C4有机氟化合物是同分异构体。同分异构体。同分异构体。

一种用于清洗基板的背面的设备可以包括清洗组件，该清洗组件可以包括容纳清洗液的清洗液提供部和向清洗液施加超声波使得从清洗液提供部朝向基板的背面形成清洗液的柱的超声波提供部。可以通过使清洗液的柱与基板的背面接触来清洗基板的背面。面接触来清洗...

本公开涉及一种蚀刻气体组合物、一种基底处理设备和一种图案形成方法。所述蚀刻气体组合物包括至少两种C3或C4有机氟化合物、以及氟化铌，并且至少两种C3或C4有机氟化合物是同分异构体。异构体。异构体。

本发明提供一种蚀刻气体组合物，其包括至少两种C3或C4有机氟化合物和氟化钼，并且所述至少两种C3或C4有机氟化合物是异构体。有机氟化合物是异构体。有机氟化合物是异构体。