检查温度控制系统的方法技术方案

本发明专利技术提供了一种检查温度控制系统的方法。该方法包括：基于温度控制系统的电流测量值生成测量矩阵；基于测量矩阵计算与测量矩阵具有相同维度的变换矩阵；基于变换矩阵计算与测量矩阵具有相同维度的辅助矩阵；以及基于辅助矩阵与变换矩阵之间的差运算来计算缺陷矩阵，该缺陷矩阵表示多个二极管中的缺陷性二极管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及一种检查温度控制系统的方法，更具体地，涉及一种检查包括布置成矩阵的多个加热器的温度控制系统的方法。

技术介绍

1、制造半导体设备的工艺是在高度受控的参数(例如，温度、大气压力和气氛)下进行的。因此，在其中执行制造半导体设备的工艺的工艺腔室包括用于调整参数的各种元件。

2、用于调整参数的一个元件是温度控制系统，在该温度控制系统中，多个加热器和多个二极管布置成矩阵。多个二极管的缺陷导致加热器的不必要的操作，这降低了温度控制系统的操作可靠性。

3、因此，需要一种识别包括在温度控制系统中的多个二极管中出现的缺陷和缺陷性二极管(defective diode)的方法。

技术实现思路

1、本公开提供了一种通过识别包括在温度控制系统中的多个二极管中出现的缺陷和缺陷性二极管来检查温度控制系统的方法。

2、附加方面将部分地在下面的描述中进行陈述，并且部分地将从描述中变得显而易见，或者可以通过本公开的所呈现的实施方案的实施进行了解。

3、根据本公开的方面，一种检查本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种检查温度控制系统的方法，所述温度控制系统包括布置成矩阵的多个加热器和多个二极管，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括将与所述缺陷矩阵的分量中值为1的分量相对应的多个二极管确定为所述缺陷性二极管。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括将与所述缺陷矩阵的分量中值为0的分量相对应的多个二极管确定为正常二极管。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括将与所述缺陷矩阵的分量中小于阈值的值的分量相对应的多个二极管确定为正常二极管，并且将与所述缺陷矩阵的分量中大于或等于阈值的值的分量相对应的多个二极管确...

【技术特征摘要】

1.一种检查温度控制系统的方法，所述温度控制系统包括布置成矩阵的多个加热器和多个二极管，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括将与所述缺陷矩阵的分量中值为1的分量相对应的多个二极管确定为所述缺陷性二极管。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括将与所述缺陷矩阵的分量中值为0的分量相对应的多个二极管确定为正常二极管。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括将与所述缺陷矩阵的分量中小于阈值的值的分量相对应的多个二极管确定为正常二极管，并且将与所述缺陷矩阵的分量中大于或等于阈值的值的分量相对应的多个二极管确定为缺陷性二极管。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述温度控制系统还包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述变换矩阵的每个分量的值与连接至列总线的缺陷性二极管的数量相同，与所述多个二极管中的所述变换矩阵的每个分量相对应的二极管连接至所述多个列总线的所述列总线。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在接通所述多个行开关元件中任一个行开关元件且断开所述多个列开关元件中任一个列开关元件之后，基于通过所述多个列总线输出的电流的测量值的总和来确定所述测量矩阵的每个分量。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，在仅接通所述多个行开关元件中的一个行开关元件且仅断开所述多个列开关元件中的一个列开关元件之后，基于通过所述多个列总线输出的电流的测量值的总和来确定所述测量矩阵的每个分量。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，在仅接通所述多个行开关元件中的一个行开关元件且仅断开所述多个列开关元件中的一个列开关元件之后，基于通过所述多个行总线输入的电流的测量值的总和来确定所述测量矩阵的每个分量。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助矩阵的每个分量与包括在所述变换矩阵的同一列中的分量的值中的最大值相同。

11.一种检查温度控制系统的方法，该温度控制系统包括：多个行总线；多个行开关元件，所述多个行开关元件分别连接至所述多个行总线；多个列总...

【专利技术属性】
技术研发人员：李忠禹，周允植，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：