【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电路控制领域，特别涉及一种防止光可控硅误触发控制电路。
技术介绍
1、现有的单片机控制系统的交流负载控制电路中，控制电路与工作电路之间往往采用隔离控制开关来作为两者之间的控制传递元件，其中使用的最多的是光可控硅，而在实际使用中光可控硅往往与可控硅三极管配合，通过光可控硅来触发可控硅三极管来对工作电路进行控制。
2、但现有的光可控硅和可控硅三极管配合使用的控制电路中，不同的光可控硅的电压上升率即在关断状态下电压的上升斜率dv/dt不同，当实际电压上升率超限时会导致光可控硅误触发的现象发生，因此对于使用电压上升斜率较低的光可控硅的控制电路而言，需要额外附加一防误触发电路来提高控制电路的使用可靠性。
技术实现思路
1、本技术的主要目的是提供一种通过加入防误触发电路来防止电压上升快速导致光可控硅两端耐压上升过大的防止光可控硅误触发控制电路。
2、本技术提出一种防止光可控硅误触发控制电路，包括光可控硅u1和可控硅三极管qr1，所述光可控硅u1输入端与控制电路连接，所...
【技术保护点】
1.一种防止光可控硅误触发控制电路，
2.根据权利要求1所述的防止光可控硅误触发控制电路，其特征在于，所述光可控硅U1的型号为MOC3022。
3.根据权利要求1所述的防止光可控硅误触发控制电路，其特征在于，还包括保护电阻R3、R4和R5，所述光可控硅U1输出回路的一端先与所述保护电阻R3连接后与所述分压电阻R1和R2连接，所述光可控硅U1输出回路的另一端与所述保护电阻R4连接后分别与可控硅三极管QR1以及保护电阻R5连接。
4.根据权利要求1所述的防止光可控硅误触发控制电路，其特征在于，所述可控硅三极管QR1的型号为BTB16-800。
【技术特征摘要】
1.一种防止光可控硅误触发控制电路，
2.根据权利要求1所述的防止光可控硅误触发控制电路，其特征在于，所述光可控硅u1的型号为moc3022。
3.根据权利要求1所述的防止光可控硅误触发控制电路，其特征在于，还包括保护电阻r3、r4和r5，所述光可控硅u1输出回路的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李武彪，巫俊杰，
申请(专利权)人：中山市良臣子电器有限公司，
类型：新型
国别省市：
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