蚀刻气体组合物、基底处理设备和图案形成方法技术

本公开涉及一种蚀刻气体组合物、一种基底处理设备和一种图案形成方法。所述蚀刻气体组合物包括至少两种C3或C4有机氟化合物、以及氟化钽，并且所述至少两种C3或C4有机氟化合物是同分异构体。同分异构体。同分异构体。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻气体组合物、基底处理设备和图案形成方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于2022年6月21日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0075693号韩国专利申请，并要求该韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文中。


[0003]本公开涉及一种蚀刻气体组合物、一种基底处理设备以及一种使用蚀刻气体组合物的图案形成方法。更具体地，本公开涉及一种能够根据蚀刻工艺改善图案孔畸变并减小图案线的临界尺寸(CD)的蚀刻气体组合物、一种基底处理设备以及一种使用蚀刻气体组合物的图案形成方法。

技术介绍

[0004]随着电子工业的发展，半导体装置的集成程度提高，并且不断要求图案大小的小型化。因此，需要一种具有优异的蚀刻选择比并且能够改善图案孔畸变和图案轮廓的蚀刻气体组合物。

技术实现思路

[0005]提供了一种具有优异的蚀刻选择比并且能够改善图案孔畸变和图案轮廓的蚀刻气体组合物。
[0006]提供了一种具有优异的蚀刻选择比并且能够改善图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻气体组合物，包括：至少两种C3或C4有机氟化合物；以及氟化钽，其中，所述至少两种C3或C4有机氟化合物是同分异构体。2.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中，所述至少两种C3或C4有机氟化合物各自具有C3H2F6的分子式。3.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中，所述至少两种C3或C4有机氟化合物从1,1,1,3,3,3
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六氟丙烷、1,1,1,2,3,3
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六氟丙烷和1,1,2,2,3,3
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六氟丙烷之中选择。4.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中，所述氟化钽具有TaF5的分子式。5.根据权利要求3所述的蚀刻气体组合物，其中，所述至少两种C3或C4有机氟化合物包括第一有机氟化合物和第二有机氟化合物，所述第一有机氟化合物是1,1,1,2,3,3
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六氟丙烷，并且所述第二有机氟化合物从1,1,1,3,3,3
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六氟丙烷和1,1,2,2,3,3
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六氟丙烷之中选择。6.根据权利要求3所述的蚀刻气体组合物，其中，所述至少两种C3或C4有机氟化合物包括第一有机氟化合物和第二有机氟化合物，所述第一有机氟化合物是1,1,1,3,3,3
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六氟丙烷，并且所述第二有机氟化合物是1,1,2,2,3,3
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六氟丙烷。7.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中，基于100体积份的所述蚀刻气体组合物，所述氟化钽以约1体积份至约5体积份的量被包括。8.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中，所述至少两种C3或C4有机氟化合物各自具有C4H2F6的分子式。9.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中，所述至少两种C3或C4有机氟化合物从六氟异丁烯、(2Z)
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1,1,1,4,4,4
‑
六氟
‑2‑
丁烯、2,3,3,4,4,4
‑
六氟
‑1‑
丁烯、(2Z)
‑
1,1,1,2,4,4
‑
六氟
‑2‑
丁烯、(2Z)
‑
1,1,2,3,4,4
‑
六氟
‑2‑
丁烯、1,1,2,3,4,4
‑
六氟
‑2‑
丁烯、(3R,4S)
‑
1,1,2,2,3,4
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六氟环丁烷和1,1,2,2,3,3

【专利技术属性】
技术研发人员：闵庚石，文映柱，张敏炯，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：