本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括衬底，衬底表面具有多个第一凹槽；第一温度补偿层，位于第一凹槽内，且覆盖第一凹槽的底部和侧部；压电层，压电层设于衬底设置第一凹槽的一侧上；以及位于压电层上的叉指换能器。本发明公开的半...

本申请提供了一种外延衬底的制作方法，包括：提供基底，图形化基底以形成至少一个凹槽；在凹槽内制作过渡层，基于凹槽的形状，对过渡层进行晶面转变处理，过渡层转变为单晶层，单晶层远离基底的表面为(111)晶面。通过基底上凹槽的不同形状，控制过渡...

本技术提供了一种半导体结构，包括衬底，包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域；形成于所述衬底上的沟道结构；以及位于所述第三区域内的第一P型埋层，所述第一P型埋层沿着平行于沟道宽度的方向延伸。本技术提供的半...

本申请公开一种半导体结构，包括：基底，基底为无定形材料，基底存在至少一个凹槽；单晶层，至少部分单晶层设置在凹槽内；外延结构层，位于单晶层远离基底的一侧。本申请公开的半导体结构包括在基底的凹槽内制作单晶层，选用与单晶层热膨胀系数相近的无定...

本发明提供了一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构可以包括：衬底；形成于衬底上的外延结构，包括依次堆叠的至少一组异质结结构；每一组异质结结构包括沟道层和势垒层，且势垒层设于沟道层面向衬底的一侧；每一组异质结结构的势垒层对应于栅极区域的...

本申请提供了一种半导体结构，半导体结构包括，n型半导体层；包含量子垒层和量子阱层的多量子阱层；保护层，位于量子阱层上，为氧掺杂的氮化物材料；p型半导体层。本申请中，氮化物保护层经氧掺杂后可进一步提高保护层的能带宽度和半导体结构的材料质量...

本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括：自下而上的第一氮化物半导体层，第二氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上，第三氮化物半导体层，形成在所述第二氮化物半导体层上，且凹槽贯穿第三半导体层。本发明通过将P型掺杂的第三氮化物半导体...

本发明提供了一种垂直导电型半导体结构及其制作方法，垂直导电型半导体结构包括：重掺杂层、第一半导体层与第二半导体层，重掺杂层与第一半导体层的导电类型相同，第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反，第一半导体层与第二半导体层的材料为GaN基...

本申请提供了一种图像传感器，包括：至少一个感光单元，感光单元具有层叠设置、且不完全交叠的至少两层感光层，在一个感光单元中，每层感光层未与其他感光层交叠的区域用于设置电极线，至少两层感光层的感光组分含量不同。本申请通过为每个感光单元设置不...

本申请涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法。其中，半导体结构包括：衬底、导电层、第一反射镜、发光结构与第二反射镜。衬底上设有导电层，导电层内包覆有至少一个第一反射镜，第一反射镜的一端位于所述导电层远离所述衬底的一侧。发光结构位于导电...

本申请提供了一种图像传感器，包括：至少一个感光单元，感光单元包括主感光区和设置于主感光区外围的副感光区，主感光区的感光组分含量与副感光区的感光组分含量不同，副感光区用于提高图像传感器的动态范围。本申请通过在感光单元的主感光区外围设置了副...

本公开提供了一种发光器件及用于制备发光器件的方法，该发光器件包括：第一衬底；发光结构层，位于第一衬底上；插入层，位于发光结构层上，其中，插入层远离发光结构层的表面为粗糙化表面，插入层对发光结构层有保护作用。本公开提供的发光器件，通过在第...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括相对的第一表面和第二表面；第二半导体层，位于所述第一半导体层上，所述第二半导体层与所述第一半导体层的导电类型相同，所述第二半导体层的掺杂浓度小于所...

本申请提供了一种用于制备半导体结构的方法和半导体结构，方法包括：在生长衬底的一侧依次外延形成第一过渡层、保护层和有源结构层，第一过渡层远离生长衬底的表面为二维平坦表面，保护层在第一平面的正投影至少部分覆盖有源结构层在第一平面的正投影，第...

本申请提供了一种发光器件外延结构及其制备方法。发光器件外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源区和第二半导体层；有源区包括至少一组层叠设置的势垒层和量子阱层，量子阱层背离第一半导体层的表面具有第一粗糙度，势垒层背离第一半导体层的表面...

本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底、第一类型掩膜层、第二类型掩膜层以及外延层；第一类型掩膜层具有第一类型窗口；第一类型掩膜层包括第一掩膜叠层，第一掩膜叠层包括靠近基底的第一掩膜层与远离基底的第二掩膜层，第一掩膜...

本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底、第一掩膜层、第一外延层以及第二外延层；第一掩膜层位于基底上，第一掩膜层具有暴露基底的第一窗口，第一窗口包括远离基底的开口端与靠近基底的底壁端，开口端在基底所在平面上的正投影落...

本发明提供一种半导体结构及其制备方式，半导体结构包括衬底，衬底包括位于中心的第一区域以及位于第一区域外围的第二区域；以及位于衬底上的复合缓冲层，复合缓冲层包括第一缓冲层，第一缓冲层中包括C元素，第一缓冲层包括至少一组层叠设置的第一子缓冲...

本发明提供了一种半导体结构，包括衬底；自下而上层叠设置的V型坑层(1)、V型坑放大层以及半导体外延层；V型坑层靠近V型坑放大层一侧的表面具有第一V型坑；V型坑放大层将第一V型坑放大以形成第二V型坑，第二V型坑位于V型坑放大层靠近半导体外...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法，包括：第一半导体层，第一半导体层的第一表面形成多个第一凸起；第二半导体层，形成在第一半导体层上，且背向第一半导体层的表面形成多个第二凸起，第二凸起与第一凸起对应；第二半导体层与第一半导体层的导电类型...