一种半导体结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构，包括衬底；自下而上层叠设置的V型坑层(1)、V型坑放大层以及半导体外延层；V型坑层靠近V型坑放大层一侧的表面具有第一V型坑；V型坑放大层将第一V型坑放大以形成第二V型坑，第二V型坑位于V型坑放大层靠近半导体外延层一侧的表面，第二V型坑的尺寸大于第一V型坑的尺寸；半导体外延层填充第二V型坑并位于V型坑放大层上；第一V型坑以及放大后的第二V型坑，分别实现了V型坑放大层以及半导体外延层的两次侧向外延效果，两次侧向外延使得位错充分弯曲，有效提高半导体外延层的晶体质量；且第一V型坑和第二V型坑由外延生长过程中自形成，大大降低制备成本，提高制备效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构。

技术介绍

1、gan作为宽禁带半导体材料，具有广泛的应用前景，随着gan基器件技术的发展和应用，目前世界上的通用照明和发光领域，基本为gan基器件所垄断。目前采用的si、sic或蓝宝石等常规衬底由于异质外延不可避免地引起gan基材料内部的缺陷，大量的缺陷严重影响gan基器件的性能及寿命。目前，有效解决位错缺陷的途径除了外延生长工艺参数的优化外，比较有效的方式是在衬底上制备图形化的sio2作为侧向外延的掩膜层，采用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,elo)技术，降低gan基材料晶体缺陷，获得高质量的gan半导体材料。但是在衬底上通过微电子加工技术在衬底上制备sio2掩膜层工艺复杂，成本较高。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种能实现gan基材料高质量外延用的半导体结构，通过在半导体结构生长过程放大v型坑，实现无掩膜的图形化结构用于半导体的侧向外延，改善半导体晶体质量。

2、根据本专利技术的一个方面，提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述V型坑放大层(2)包括多个子层(22)，所述多个子层(22)包括交替排列的第一子层(221)和第二子层(222)。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子层(221)厚度逐渐增加，所述第二子层(222)的厚度保...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述v型坑放大层(2)包括多个子层(22)，所述多个子层(22)包括交替排列的第一子层(221)和第二子层(222)。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子层(221)厚度逐渐增加，所述第二子层(222)的厚度保持不变；或者，

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子层(221)和所述第二子层(222)的材料为ⅲ族氮化物材料，所述第二子层(222)中的al组分大于所述第一子层(221)中的al组分。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述交替排列的第一子层(221)为gan层和第二子层(222)为aln层、第一子层(221)为gan层和第二子层(222)为algan层或者第一子层(221)为algan层和第二子层(222)为aln层。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张丽旸，程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：