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本发明提供了一种半导体结构，包括衬底；自下而上层叠设置的V型坑层(1)、V型坑放大层以及半导体外延层；V型坑层靠近V型坑放大层一侧的表面具有第一V型坑；V型坑放大层将第一V型坑放大以形成第二V型坑，第二V型坑位于V型坑放大层靠近半导体外延层...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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