本发明公开了一种半导体器件的制造方法，提供一衬底；在衬底上依次形成半导体层、硅附加层和光刻掩膜层；在硅附加层上部分区域刻蚀，沿硅（111）晶面形成斜截面，与未被刻蚀的硅（100）晶面构成梯形凹槽，直至暴露出所述半导体层；最后在上述凹槽中...

本发明公开了一种氮化物功率晶体管及其制造方法，该氮化物功率晶体管包括：硅衬底，硅衬底中包括用以形成空间电荷耗尽区的不同掺杂的半导体复合结构；位于硅衬底上的氮化物成核层；位于氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于氮化物缓冲层上的氮化物沟道层；...

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法。该Ⅲ族氮化物半导体器件包括生长在衬底上的氮化物半导体层和钝化层，还包括源极和漏极以及在源极和漏极之间的栅极。其中，上述氮化物半导体层包括氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势...

本发明公开了一种增强型开关器件及其制造方法，通过在氮化物沟道层中嵌入p型氮化物层，使得位于栅极区的p型氮化物层被氮化物包围，源极和漏极之间导电沟道处的二维电子气被p型氮化物层阻断。同时利用形成于栅极区的半极性面和非极性面进一步降低二维电...

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：半导体器件有源区；位于半导体器件有源区上的电极形状控制层，电极形状控制层中含有铝元素，铝元素的含量从半导体器件有源区由下至上逐渐减少；电极形状控制层上设有电极区，电极区设有向半导...

本发明提供了一种氮化物功率器件及其制造方法。该氮化物功率器件在现有器件结构的基础上，在硅衬底上制作出p型硅层和n型硅层交替排列的半导体掺杂多层结构，当有外加电压加载到氮化物功率器件上时，每层半导体掺杂结构都会形成一个空间电荷耗尽区，通过...

本发明公开了一种氮化物高压器件及其制造方法，氮化物高压器件包括：硅衬底；位于所述硅衬底上的氮化物成核层；位于所述氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于所述氮化物缓冲层上的氮化物沟道层；与所述氮化物沟道层相接触的源极和漏极以及位于所述源极和漏...