本申请提供了一种紫外LED及其制作方法，制作方法中，在电子提供层上形成N型过渡层和/或在空穴提供层上形成P型过渡层，电子提供层与空穴提供层的材料都至少包括Al、Ga、N三种元素，N型过渡层与P型过渡层的材料为GaN；在N型过渡层上形成N...

本发明提供的一种半导体器件及半导体器件的制备方法，半导体器件包括衬底、依次在衬底上形成的GaN和势垒层、通过刻蚀所述GaN层和所述势垒层形成的第一凹槽、形成在第一凹槽以及与所述第一凹槽相接的所述势垒层的上表面的n型重掺杂GaN材料，本发...

一种半导体结构的制作方法及半导体结构，所述制作方法包括：提供衬底(1)；在所述衬底(1)上形成无定形层(2)，所述无定形层(2)包括多个图形(21)，使部分衬底(1)暴露；在所述无定形层(2)上形成金属氮化物层(3)；去除所述无定形层(...

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管，包括：衬底、绝缘层、鳍部、源极、漏极以及栅极结构；其中，绝缘层位于衬底上；鳍部凸出于绝缘层，鳍部包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区；鳍部包括：在朝向背离衬底的方向上依次堆叠设置的第一异质结结构...

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管，包括：衬底、绝缘层、鳍部、源极、漏极以及栅极结构；其中，绝缘层位于衬底上；鳍部凸出于绝缘层，鳍部包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区；鳍部包括：在朝向背离衬底的方向上依次堆叠设置的第一异质结结构...

本发明提供了一种GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法，GaN基复合衬底包括：隔离衬底、GaN基衬底，以及位于隔离衬底与GaN基衬底之间的键合层。本发明采用GaN基复合衬底取代GaN基材料衬底，复合衬底通过键合层将GaN基衬底与隔离...

本申请提供了一种晶圆承载盘和外延设备。晶圆承载盘包括盘状本体，盘状本体具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面及第二表面和盘状本体具有相同的回转中心；还包括晶圆槽，晶圆槽为从第一表面向第二表面凹陷形成以容纳晶圆的凹槽，多个晶圆槽沿回转...

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶片承载盘，解决了利用晶片承载盘进行外延生长所得到的外延片发光波长的均匀性差的问题。该晶片承载盘包括：晶片承载盘本体；晶片承载盘本体上设置有承载槽，承载槽用于承载晶片，承载槽的底部包括中心区域和围绕...

本发明提供的一种半导体器件及半导体器件的制备方法，半导体器件包括衬底、依次在衬底上形成的GaN和势垒层、通过刻蚀所述GaN层和所述势垒层形成的第一凹槽、形成在第一凹槽以及与所述第一凹槽相接的所述势垒层的上表面的n型重掺杂GaN材料，本发...

本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构中，半导体衬底、异质结与原位绝缘层自下而上分布，原位绝缘层中具有凹槽，过渡层至少位于原位绝缘层上，p型半导体层位于凹槽内以及过渡层上的栅极区域，n型离子重掺杂层位于栅极区域的p型半导体层...

一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：氮化镓基材料层；和P型栅结构，包括依次叠置在氮化镓基材料层上的P型掺杂层和保护层，保护层的热稳定性高于P型掺杂层。保护层的热稳定性高于P型掺杂层。保护层的热稳定性高于P型掺杂层。

本申请提供了一种半导体结构及其衬底、半导体结构及其衬底的制作方法，衬底的制作方法中，自预制作衬底的表面在每一子单元区内开设凹槽，预制作衬底包括若干单元区，每一单元区包括至少两个子单元区；在凹槽内填入导热材料形成衬底；一个单元区中，各个子...

本申请提供了一种半导体结构及其衬底，半导体结构及其衬底的制作方法，衬底的制作方法中，自预制作衬底的表面在每一子单元区内开设凹槽，预制作衬底包括若干单元区，每一单元区包括至少两个子单元区；一个单元区中，各个子单元区的开孔率不同；对预制作衬...

本申请提供了一种半导体结构及其衬底，半导体结构及其衬底的制作方法，衬底的制作方法中，自预制作衬底的背面在每一子单元区内开设凹槽，预制作衬底包括若干单元区，每一单元区包括至少两个子单元区；一个单元区中，各个子单元区的预设开孔率不同。基台向...

本申请涉及一种承载盘和反应腔室，承载盘包括多个用于放置晶圆片的凹槽，凹槽的深度小于晶圆片的厚度；凹槽的边缘设置有至少一个凸起结构，凸起结构用于阻挡晶圆片。如此，既可以通过深度小于晶圆片的厚度的凹槽避免MOCVD外延过程中凹槽侧壁因热传导...

本实用新型提供了一种石墨盘和反应腔室，涉及化学气相沉积技术领域。该石墨盘包括：盘体，其中，盘体的一侧设置有第一凹槽，用于容纳衬底，盘体的侧表面设置有第二凹槽，用于减少石墨盘对衬底的边缘的热传导。本实用新型实施例提供的石墨盘，通过设置有盘...

一种晶圆承载盘(1)及化学气相淀积设备，解决了晶圆(3)的制作过程中，由于受热不均匀导致沉积的外延材料的波长不均匀，从而导致良品率降低的问题。包括：晶圆承载槽(2)；以及两个凸起结构(22)，分别设置在所述晶圆承载槽(2)的底部。(2)...

本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，制作方法中，提供第一P型半导体层，在第一P型半导体层上依次形成N型半导体层与第二P型半导体层，第一P型半导体层、N型半导体层以及第二P型半导体层都包括GaN基材料；其中，所提供的第一P型半导体层中...

一种半导体结构及其制作方法，提供P型半导体层(11)，P型半导体层包括GaN基材料，且上表面(11a)为Ga面；在P型半导体层上形成第一N型半导体层(12)，第一N型半导体层包括GaN基材料，且上表面(12a)为N面；湿法刻蚀去除部分区...

一种半导体结构(1)的制作方法，包括：先提供衬底(10)，衬底(10)包括若干器件区(10a)以及环绕每一器件区(10a)的外围区(10b)；接着在各个器件区(10a)上形成牺牲层(11)，在牺牲层(11)以及未覆盖牺牲层(11)的衬底...