半导体结构及其制作方法技术

一种半导体结构及其制作方法，提供P型半导体层(11)，P型半导体层包括GaN基材料，且上表面(11a)为Ga面；在P型半导体层上形成第一N型半导体层(12)，第一N型半导体层包括GaN基材料，且上表面(12a)为N面；湿法刻蚀去除部分区域的第一N型半导体层，暴露所述P型半导体层。暴露所述P型半导体层。暴露所述P型半导体层。暴露所述P型半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：