一种新型半导体结构的制备方法技术

本发明专利技术提供一种新型半导体结构的制备方法，包括：形成第一半导体材料层；采用浸润气体对所述第一半导体材料层的表面进行浸润处理；在浸润处理后的表面形成第二半导体材料层；其中，所述第二半导体材料层中的第一元素含量大于所述第一半导体材料层中的第一元素含量；所述浸润气体包括形成Ⅳ族或者

【技术实现步骤摘要】
一种新型半导体结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种新型半导体结构的制备方法。

技术介绍

[0002]目前对于8英寸以及8英寸以上的晶元，随着器件尺寸不断微缩，异质外延尤其是叠层纳米线超晶格以及异质GeSi/Ge、SiGe/Si量子阱/超晶格高迁移率沟道、高迁移率二维电子气和空穴气等成为行业研究的主流方向。器件性能的迭代对量子阱界面要求也是逐步提高，传统外延过程中由于生长过程中的温度相对较高，势阱和势垒材料的浓度差等因素会引起材料的相互扩散，进而使得势垒对载流子的限制作用减弱，沟道/电子气/空穴气载流子迁移率降低，器件性能下降。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供的新型半导体结构的制备方法，能够通过浸润处理，形成具有垂直陡峭界面的高质量高迁移率纳米线异质结。
[0004]第一方面，本专利技术提供一种新型半导体结构的制备方法，包括：
[0005]形成第一半导体材料层；
[0006]采用浸润气体对所述第一半导体材料层的表面进行浸润处理；
[0007]在浸润处理后的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：形成第一半导体材料层；采用浸润气体对所述第一半导体材料层的表面进行浸润处理；在浸润处理后的表面形成第二半导体材料层；其中，所述第二半导体材料层中的第一元素含量大于所述第一半导体材料层中的第一元素含量；所述浸润气体包括形成Ⅳ族或者
Ⅲ‑Ⅴ
族半导体材料时使用的气态反应前驱体。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体材料层或所述第二半导体材料层为Ⅳ族或者
Ⅲ‑Ⅴ
族材料形成的异质外延结构材料层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一半导体材料层为锗硅半导体材料层，所述第二半导体层为锗半导体材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔真真，王桂磊，亨利，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：