氧化层的形成方法及半导体结构技术

本发明专利技术提出一种氧化层的形成方法及半导体结构，氧化层的形成方法包含以下步骤：提供基底；形成氧化薄膜结构，向反应环境中通入氢气，并通入氧气，在基底表面形成氧化薄膜结构；退火处理，向反应环境中通入补偿气体，对氧化薄膜结构进行脉冲式退火处理，以形成氧化层薄膜；重复至少两个包含上述步骤的循环，在基底表面形成叠置的至少两层氧化层薄膜，以此形成氧化层。本发明专利技术采用补偿气体进行脉冲式的退火处理，能够减少二氧化硅中存在的不稳定的Si

【技术实现步骤摘要】
氧化层的形成方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体制备工艺
，尤其涉及一种氧化层的形成方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]在原位水汽生成(In-Situ Steam Generation，ISSG)工艺中，低压高温处理环境下会产生大量的气相活化自由基，该气相活化自由基主要包含氧原子、氧自由基、氢氧基团、水分子等，这些活化自由基与半导体结构的基底的硅(Si)发生氧化反应时，会有少量的Si-H键、Si-OH键生成。由于Si-H键、Si-OH键的稳定性较差，会造成氧化层(例如栅氧化膜)中产生杂质缺陷。再者，由于活化自由基的氧原子在硅与二氧化硅的界面处反应快速，使得生成的二氧化硅的一部分尚未规则排列就已经发生反应，因此容易在上述界面处形成空隙，同样给氧化层带来了缺陷。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够改善氧化层产生杂质和空隙缺陷的氧化层的形成方法。
[0004]本专利技术的另一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种半导体结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化层的形成方法，其特征在于，包含以下步骤：提供基底；形成氧化薄膜结构，向反应环境中通入氢气，并通入氧气，在所述基底表面形成氧化薄膜结构；退火处理，向反应环境中通入补偿气体，对所述氧化薄膜结构进行脉冲式退火处理，以形成氧化层薄膜；重复至少两个包含上述步骤的循环，在所述基底表面形成叠置的至少两层所述氧化层薄膜，以此形成氧化层。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述退火阶段，向所述反应环境中通入氧气，且所述补偿气体的惰性高于氧气。3.根据权利要求2所述的氧化层的形成方法，其特征在于，形成氧化薄膜结构时的氧气的通入，与退火处理时的氧气的通入，为连续的通入氧气的过程。4.根据权利要求1所述的氧化层的形成方法，其特征在于，在至少一个循环中，还包含以下步骤：形成所述氧化薄膜结构后，将反应环境抽真空。5.根据权利要求1所述的氧化层的形成方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭宇峰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：